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Während des SIC -epitaxialen Wachstumsprozesses kann ein SIC -beschichtetes Graphitsuspensionsfehler auftreten. Diese Arbeit führt eine strenge Analyse des Versagensphänoms der sic -beschichteten Graphitsuspension durch, die hauptsächlich zwei Faktoren umfasst: sic epitaxiale Gasversagen und SIC -Beschichtungsversagen.

In diesem Artikel werden hauptsächlich die jeweiligen Prozessvorteile und Unterschiede des Epitaxieprozesses des molekularen Strahls und der metallorganischen chemischen Dampfabscheidungstechnologien erörtert.

Das poröse Tantalcarbid von VeTek Semiconductor verfügt als SiC-Kristallwachstumsmaterial der neuen Generation über viele hervorragende Produkteigenschaften und spielt eine Schlüsselrolle in einer Vielzahl von Halbleiterverarbeitungstechnologien.