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Heißes Presssenssintern ist die Hauptmethode zur Vorbereitung von Hochleistungs-SIC-Keramik. Der Prozess des heißen Pressessinterns umfasst: Auswahl hochreines SIC-Pulvers, Drücken und Formteilen unter hoher Temperatur und hohem Druck und dann Sintern. Mit dieser Methode erstellte SIC -Keramik haben die Vorteile von hoher Reinheit und hoher Dichte und werden häufig bei der Schleifscheiben und Wärmebehandlungsgeräten für die Waferverarbeitung verwendet.

Zu den wichtigsten Wachstumsmethoden von Siliciumcarbid (SIC) gehören PVT, TSSG und HTCVD mit jeweils unterschiedlichen Vorteilen und Herausforderungen. Thermische Feldmaterialien auf Kohlenstoffbasis wie Isolationssystemen, Kreuzgruppen, TAC-Beschichtungen und poröse Graphit verbessern das Kristallwachstum, indem sie Stabilität, Wärmeleitfähigkeit und Reinheit verleihen, die für die genaue Herstellung und Anwendung von SIC wesentlich sind.

SiC verfügt über eine hohe Härte, Wärmeleitfähigkeit und Korrosionsbeständigkeit und eignet sich daher ideal für die Halbleiterfertigung. Die CVD-SiC-Beschichtung wird durch chemische Gasphasenabscheidung erzeugt und bietet eine hohe Wärmeleitfähigkeit, chemische Stabilität und eine passende Gitterkonstante für epitaktisches Wachstum. Seine geringe Wärmeausdehnung und hohe Härte sorgen für Haltbarkeit und Präzision und machen es unverzichtbar für Anwendungen wie Waferträger, Vorheizringe und mehr. VeTek Semiconductor ist auf kundenspezifische SiC-Beschichtungen für verschiedene Branchenanforderungen spezialisiert.