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MOCVD-Technologie

VeTek Semiconductor verfügt über Vorteile und Erfahrung mit Ersatzteilen der MOCVD-Technologie.

MOCVD, der vollständige Name für Metal-Organic Chemical Vapour Deposition (metallorganische chemische Gasphasenabscheidung), kann auch als metallorganische Gasphasenepitaxie bezeichnet werden. Organometallische Verbindungen sind eine Klasse von Verbindungen mit Metall-Kohlenstoff-Bindungen. Diese Verbindungen enthalten mindestens eine chemische Bindung zwischen einem Metall und einem Kohlenstoffatom. Metallorganische Verbindungen werden häufig als Vorläufer verwendet und können durch verschiedene Abscheidungstechniken dünne Filme oder Nanostrukturen auf dem Substrat bilden.

Die metallorganische chemische Gasphasenabscheidung (MOCVD-Technologie) ist eine gängige epitaktische Wachstumstechnologie. Die MOCVD-Technologie wird häufig bei der Herstellung von Halbleiterlasern und LEDs eingesetzt. Insbesondere bei der Herstellung von LEDs ist MOCVD eine Schlüsseltechnologie für die Herstellung von Galliumnitrid (GaN) und verwandten Materialien.

Es gibt zwei Hauptformen der Epitaxie: Flüssigphasenepitaxie (LPE) und Dampfphasenepitaxie (VPE). Die Gasphasenepitaxie kann weiter in metallorganische chemische Gasphasenabscheidung (MOCVD) und Molekularstrahlepitaxie (MBE) unterteilt werden.

Ausländische Gerätehersteller werden hauptsächlich von Aixtron und Veeco vertreten. Das MOCVD-System ist eine der Schlüsselausrüstungen für die Herstellung von Lasern, LEDs, fotoelektrischen Komponenten, Stromversorgung, HF-Geräten und Solarzellen.

Hauptmerkmale der von unserem Unternehmen hergestellten MOCVD-Technologie-Ersatzteile:

1) Hohe Dichte und vollständige Einkapselung: Die Graphitbasis als Ganzes befindet sich in einer Arbeitsumgebung mit hohen Temperaturen und Korrosion, die Oberfläche muss vollständig umhüllt sein und die Beschichtung muss eine gute Verdichtung aufweisen, um eine gute Schutzfunktion zu erfüllen.

2) Gute Oberflächenebenheit: Da die für das Einkristallwachstum verwendete Graphitbasis eine sehr hohe Oberflächenebenheit erfordert, sollte die ursprüngliche Ebenheit der Basis nach der Vorbereitung der Beschichtung beibehalten werden, d. h. die Beschichtungsschicht muss gleichmäßig sein.

3) Gute Haftfestigkeit: Reduzieren Sie den Unterschied im Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen der Graphitbasis und dem Beschichtungsmaterial, wodurch die Haftfestigkeit zwischen beiden effektiv verbessert werden kann und die Beschichtung nach Hitzeeinwirkung bei hohen und niedrigen Temperaturen nicht leicht reißt Zyklus.

4) Hohe Wärmeleitfähigkeit: Für ein qualitativ hochwertiges Spanwachstum muss die Graphitbasis eine schnelle und gleichmäßige Wärme liefern, daher sollte das Beschichtungsmaterial eine hohe Wärmeleitfähigkeit aufweisen.

5) Hoher Schmelzpunkt, Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen, Korrosionsbeständigkeit: Die Beschichtung sollte in der Lage sein, bei hohen Temperaturen und in korrosiven Arbeitsumgebungen stabil zu arbeiten.



Platzieren Sie 4 Zoll Substrat
Blaugrüne Epitaxie für das Wachstum von LED
Untergebracht in der Reaktionskammer
Direkter Kontakt mit dem Wafer
Platzieren Sie 4 Zoll Substrat
Wird zum Wachsen von UV-LED-Epitaxiefilmen verwendet
Untergebracht in der Reaktionskammer
Direkter Kontakt mit dem Wafer
Veeco K868/Veeco K700 Maschine
Weiße LED-Epitaxie/Blaugrüne LED-Epitaxie
Wird in VEECO-Geräten verwendet
Für MOCVD-Epitaxie
Suszeptor mit SiC-Beschichtung
Aixtron TS-Ausrüstung
Tiefe Ultraviolett-Epitaxie
2-Zoll-Substrat
Veeco-Ausrüstung
Rot-Gelbe LED-Epitaxie
4-Zoll-Wafer-Substrat
TaC-beschichteter Suszeptor
(SiC Epi/UV-LED-Empfänger)
SiC-beschichteter Suszeptor
(ALD/Si Epi/LED MOCVD Suszeptor)


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Waferträger für VEECO MOCVD (LED-Epitaxie)

Waferträger für VEECO MOCVD (LED-Epitaxie)

Vetek Semiconductor stellt Waferträger für VEECO MOCVD-Systeme her, die speziell für LED-Epitaxiearbeiten wie GaN-LEDs, blaugrüne LEDs und das Wachstum von LEDs im tiefen UV-Bereich entwickelt wurden. Diese Träger beginnen mit hochreinem Graphit und erhalten eine dichte CVD-Siliziumkarbid (SiC)-Beschichtung. Diese Kombination hält den hohen Temperaturen, die bei MOCVD auftreten, gut stand – gute thermische Stabilität, Korrosionsbeständigkeit und eine lange Lebensdauer der Beschichtung.
MOCVD-SiC-beschichteter Suszeptor

MOCVD-SiC-beschichteter Suszeptor

VETEK MOCVD SiC Coated Susceptor ist eine präzisionsgefertigte Trägerlösung, die speziell für das epitaktische Wachstum von LEDs und Verbindungshalbleitern entwickelt wurde. Es weist eine außergewöhnliche thermische Gleichmäßigkeit und chemische Inertheit in komplexen MOCVD-Umgebungen auf. Durch den Einsatz des strengen CVD-Abscheidungsprozesses von VETEK sind wir bestrebt, die Konsistenz des Waferwachstums zu verbessern und die Lebensdauer der Kernkomponenten zu verlängern, um eine stabile und zuverlässige Leistungssicherung für jede Charge Ihrer Halbleiterproduktion zu gewährleisten.
Sic beschichtete Planetary Susceptor

Sic beschichtete Planetary Susceptor

Unser sic -beschichteter Planeten -Suszeptor ist eine Kernkomponente im Hochtemperaturprozess der Halbleiterherstellung. Sein Design kombiniert das Graphit -Substrat mit Siliziumcarbidbeschichtung, um eine umfassende Optimierung der Leistung des thermischen Managements, der chemischen Stabilität und der mechanischen Festigkeit zu erreichen.
Sic beschichtete tiefe UV -LED -SURCEPTOR

Sic beschichtete tiefe UV -LED -SURCEPTOR

SIC Coated Deep UV -LED -SUPTORE ist für den MocvD -Prozess ausgelegt, um ein effizientes und stabiles Deep UV -LED -epitaxiale Schichtwachstum zu unterstützen. Vetek Semiconductor ist ein führender Hersteller und Lieferant von SIC Coated Deep UV -LED -Anfälligkeit in China. Wir haben reichhaltige Erfahrung und haben langfristige kooperative Beziehungen zu vielen LED-Epitaxialherstellern aufgebaut. Wir sind der beste inländische Hersteller von Suszeptorprodukten für LEDs. Nach Jahren der Überprüfung ist unsere Produktlebensspanne mit der von Top -internationalen Herstellern entspricht. Ich freue mich auf Ihre Anfrage.
LED-Epitaxie-Suszeptor

LED-Epitaxie-Suszeptor

Der LED-Epitaxie-Suszeptor von VeTek Semiconductor ist für die epitaktische Herstellung blauer und grüner LEDs konzipiert. Es kombiniert Siliziumkarbidbeschichtung und SGL-Graphit und weist eine hohe Härte, geringe Rauheit, gute thermische Stabilität und ausgezeichnete chemische Stabilität auf. Der LED-Epitaxie-Suszeptor ist eines der herausragendsten Produkte von VeTek Semiconductor. Wir freuen uns auf Ihre Anfrage.
Veeco LED EP

Veeco LED EP

Vetek Semiconductor's Veeco LED EPI SUPPICECTOR ist für das epitaxiale Wachstum von roten und gelben LEDs ausgelegt. Fortgeschrittene Materialien und CVD -SIC -Beschichtungstechnologie gewährleisten die thermische Stabilität des Suszeptors, wodurch das Temperaturfeld während des Wachstums gleichmäßig ist, Kristalldefekte reduziert und die Qualität und Konsistenz von epitaxialen Wafern verbessert. Es ist mit der epitaxialen Wachstumsgeräte von Veeco kompatibel und kann nahtlos in die Produktionslinie integriert werden. Präzises Design und zuverlässige Leistung verbessern die Effizienz und senken die Kosten. Ich freue mich auf Ihre Anfragen.
Als professioneller MOCVD-Technologie Hersteller und Lieferant in China verfügen wir über eine eigene Fabrik. Egal, ob Sie maßgeschneiderte Dienstleistungen benötigen, um den spezifischen Anforderungen Ihrer Region gerecht zu werden, oder fortschrittliche und langlebige Produkte aus China kaufen möchten, Sie können uns eine Nachricht hinterlassen.
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