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Der CVD-SiC-beschichtete RTP-Suszeptor von VeTek Semiconductor eignet sich für Geräte zur schnellen thermischen Verarbeitung (RTP) und schnellen thermischen Ausheilung (RTA), die in der gesamten Halbleiterfertigung eingesetzt werden. Das Substrat wird aus hochreinem isostatischem Graphit gefertigt, auf dem eine dichte CVD-Siliziumkarbidschicht (SiC) abgeschieden wird. Diese Konstruktion sorgt für eine hohe Wärmeleitfähigkeit, robuste chemische Inertheit und anhaltende Dimensionsstabilität bei wiederholten Hochtemperaturzyklen.

Für anspruchsvolle Halbleiterkristallwachstumsanwendungen liefert der dreiteilige Graphittiegel von VETEK die Stabilität, Reinheit und thermische Gleichmäßigkeit, die der Prozess erfordert. Das geteilte Design besteht aus hochwertigem isostatischem Graphit – optional mit SiC-, TaC- oder PyC-Beschichtung – und dient nicht nur der Bequemlichkeit. Es reduziert aktiv die thermische Belastung, beschleunigt die Wartung und sorgt für eine kontinuierliche Leistung von Zyklus zu Zyklus.

Der mit VETEK PG (Pyrolytischer Graphit) beschichtete Ring wurde speziell für Halbleiter-Wärmefelder und Kristallwachstumsumgebungen entwickelt, in denen eine gleichmäßige Wärmeverteilung und stabile Temperaturen nicht verhandelbar sind. Ausgehend von einer hochreinen Graphitbasis und abschließend mit einer dichten pyrolytischen Graphitbeschichtung bietet diese Komponente eine außergewöhnliche Wärmeleitfähigkeit, hält starken Temperaturschocks stand und behält ihre Abmessungen über lange Laufzeiten bei extremen Temperaturen. Diese Ringe werden häufig in Kristallwachstumsöfen, Hochtemperaturöfen und Wärmefeldbaugruppen für Halbleiter eingesetzt – überall dort, wo eine präzise Temperaturkontrolle direkt die Prozesswiederholbarkeit und die Qualität des Endprodukts beeinflusst.

Wenn Sie jemals mit einem ungleichmäßigen Gasfluss oder einer Partikelverunreinigung in einer Abscheidungskammer zu kämpfen hatten, ist der VETEK CVD SiC-beschichtete Graphit-Duschkopf genau das Richtige für Sie. Es beginnt mit hochreinem isostatischem Graphit für thermische Stabilität und einfache Bearbeitung und erhält dann eine dichte CVD-Siliziumkarbid (SiC)-Beschichtung, die die Oberfläche versiegelt, korrosiven Gasen (wie HCl oder NF₃) widersteht und ein Ausgasen verhindert. Das Ergebnis ist eine Gasverteilungsplatte, die einen gleichmäßigen Fluss über den Wafer liefert, Hochtemperaturepitaxie beherrscht und viel länger hält als blanker Graphit oder Quarz – was sie zu einer zuverlässigen Komponente für CVD-, PECVD-, MOCVD-, Siliziumepitaxie- und SiC-Epitaxieprozesse macht. Wir bieten auch kundenspezifische Lochmuster und -größen an, da keine zwei Reaktoren genau gleich sind.

Das hochreine Siliziumkarbid-Pulver (SiC) von VeTek Semiconductor wurde speziell für das SiC-Kristallwachstum, Halbleitermaterialien und fortschrittliche Keramikanwendungen entwickelt. Durch fortschrittliche Reinigungstechnologie und strenge Qualitätskontrolle bietet unser SiC-Pulver einen extrem niedrigen Verunreinigungsgrad, eine stabile Partikelverteilung und eine hervorragende Konsistenz für anspruchsvolle Herstellungsprozesse.

In SiC-PVT-Kristallzüchtungsanlagen werden Graphitteile über lange Zeiträume bei sehr hohen Temperaturen betrieben. Der PyC-beschichtete Graphitring von VeTek ist für diese Art von Einsatz konzipiert. Per CVD wird eine pyrolytische Kohlenstoffschicht auf hochreinem Graphit abgeschieden. Dadurch erhält das Teil eine bessere Oberflächenstabilität und es lösen sich im Betrieb weniger Partikel. Normalerweise platzieren Sie es im Wärmefeldbereich, um die Dampfströmung und die Wärmeausbreitung im Ofen zu steuern. Die Beschichtung verlangsamt außerdem die Graphitsublimation bei Temperaturen über 2200 °C, was die Lebensdauer des gesamten Bauteils verlängert.