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VeTek Semiconductor liefert hochwertige einkristalline Wafer und Substrate aus Aluminiumnitrid (AlN) für Halbleiterbauelemente mit extrem großer Bandlücke der nächsten Generation. Mit einer extrem großen Bandlücke von ca. 6,2 eV, hervorragender Wärmeleitfähigkeit, außergewöhnlicher elektrischer Isolierung und hervorragender Gitter- und Wärmeausdehnungsübereinstimmung mit GaN sind AlN-Wafer ideal für Hochleistungs-HF-Geräte, Hochspannungs-Leistungselektronik und Optoelektronik im tiefen Ultraviolett (DUV).

Die hochreinen Quarzofenrohre von VeTek Semiconductor sind zentrale Prozesskammerkomponenten für thermische Verarbeitungsanlagen für Halbleiter. Diese aus dehydroxyliertem Quarzglas in Halbleiterqualität hergestellten Rohre dienen als versiegelter Reaktionshohlraum in Oxidationsöfen, Diffusionsöfen, Glühöfen und LPCVD-Systemen. Sie bieten außergewöhnliche Reinheit, thermische Stabilität und chemische Beständigkeit und sorgen für gleichmäßige Temperaturfelder, stabilen Gasfluss und äußerst geringe Kontamination bei der 4/6/8/12-Zoll-Waferverarbeitung.

Das Solid SiC-Zubehör von VeTek Semiconductor für die Aixtron G10-SiC-Plattform besteht aus hochreinen, vollständig dichten Siliziumkarbidkomponenten, die für die anspruchsvolle thermische und chemische Umgebung des epitaktischen SiC-Wachstums entwickelt wurden. Diese Teile bieten eine hervorragende Hochtemperaturstabilität, chemische Beständigkeit und eine äußerst geringe Partikelbildung und unterstützen die Hochdurchsatz-Planetenreaktorkonfiguration 9×150 mm/6×200 mm, die bei der Herstellung von Leistungsgeräten verwendet wird.

Der professionelle VETEK-Reinigungsservice für CVD-SiC-beschichtete Graphitteile ist ein spezialisierter technischer Service, der für MOCVD-Gerätesuszeptoren und Graphitkomponenten von Aixtron/Veeco entwickelt wurde, die in GaN/AlN/AlGaN-Epitaxieprozessen verwendet werden. Unser firmeneigener Reinigungsprozess eliminiert den Oberflächen-Memory-Effekt gründlich, stellt einen stabilen Gasfluss im Reaktor wieder her und schützt die 100 µm CVD-SiC-Beschichtung streng ohne Dickenverlust und ohne Metallrückstände.

Der VETEK CVD SiC-beschichtete Graphit-Suszeptor für Wafer-Träger ist eine Hochleistungs-Wafer-Trägerkomponente, die für Halbleiterepitaxieprozesse entwickelt wurde. Das Produkt verwendet hochreinen Graphit als Substrat und ist mit einer gleichmäßigen CVD-Siliziumkarbidschicht (SiC) beschichtet, die eine hervorragende thermische Stabilität, chemische Beständigkeit und Partikelkontrolle bietet. Als wichtige Graphit-Suszeptorkomponente stützt es Wafer direkt in der Reaktionskammer und trägt dazu bei, eine gleichmäßige Temperaturverteilung und stabile epitaktische Wachstumsbedingungen aufrechtzuerhalten.

VeTek Semiconductor liefert hochwertiges hochreines Siliziumkarbid (SiC)-Pulver, das speziell auf die ertragreiche SiC-Kristallzüchtung (PVT-Prozess), die Herstellung von Halbleitersubstraten und fortschrittliche Funktionskeramik zugeschnitten ist. Unser hochreines SiC-Rohmaterial wird mithilfe einer ultrareinen Reinigungstechnologie verarbeitet und bietet außergewöhnlich niedrige Spurenmetallgehalte, reproduzierbare Sublimationsleistung und eine äußerst konstante Qualität von Charge zu Charge, um die strengen Anforderungen der Halbleiterfertigung zu erfüllen.