Siliziumkarbidkeramik

VeTek Semiconductor ist Ihr innovativer Partner im Bereich der Halbleiterverarbeitung. Mit unserem umfangreichen Portfolio an Materialkombinationen aus Siliziumkarbidkeramik in Halbleiterqualität, Komponentenfertigungskapazitäten und anwendungstechnischen Dienstleistungen können wir Ihnen bei der Bewältigung bedeutender Herausforderungen helfen. Technische Siliziumkarbidkeramiken werden aufgrund ihrer außergewöhnlichen Materialleistung häufig in der Halbleiterindustrie eingesetzt. Die hochreine Siliziumkarbidkeramik von VeTek Semiconductor wird häufig im gesamten Zyklus der Halbleiterherstellung und -verarbeitung eingesetzt.

DIFFUSION & LPCVD-VERARBEITUNG

VeTek Semiconductor bietet technische Keramikkomponenten, die speziell für Batch-Diffusions- und LPCVD-Anforderungen entwickelt wurden, darunter:

• Leitbleche und Halter
• Einspritzdüsen
• Liner und Prozessrohre
• Cantilever-Paddel aus Siliziumkarbid
• Waffelschiffchen und Sockel

SiC-Cantilever-Paddel SiC-Prozessrohre Siliziumkarbid-Prozessrohr SiC-Vertikal-Wafer-Boot Horizontales Waferboot aus SiC SiC-Horizontalwafer-Boot SiC-LPCVD-Waferboot SiC-Horizontalplattenboot SiC-Keramik-Dichtungsring

ÄTZPROZESSKOMPONENTEN

Minimieren Sie Verunreinigungen und außerplanmäßige Wartungsarbeiten mit hochreinen Komponenten, die für die Anforderungen der Plasmaätzverarbeitung entwickelt wurden, darunter:

Fokusringe

Düsen

Schilde

Duschköpfe

Fenster / Deckel

Andere benutzerdefinierte Komponenten

SCHNELLE THERMISCHE VERARBEITUNG UND EPITAXIALE PROZESSKOMPONENTEN

VeTek Semiconductor bietet fortschrittliche Materialkomponenten, die auf Hochtemperatur-Wärmeverarbeitungsanwendungen in der Halbleiterindustrie zugeschnitten sind. Diese Anwendungen umfassen RTP, Epi-Prozesse, Diffusion, Oxidation und Glühen. Unsere technische Keramik ist so konzipiert, dass sie thermischen Schocks standhält und eine zuverlässige und konstante Leistung liefert. Mit den Komponenten von VeTek Semiconductor können Halbleiterhersteller eine effiziente und qualitativ hochwertige thermische Verarbeitung erreichen und so zum Gesamterfolg der Halbleiterproduktion beitragen.

• Diffusoren

• Isolatoren

• Suszeptoren

• Andere kundenspezifische thermische Komponenten

Physikalische Eigenschaften von rekristallisiertem Siliziumkarbid
Eigentum	Typischer Wert
Arbeitstemperatur (°C)	1600°C (mit Sauerstoff), 1700°C (reduzierende Umgebung)
SiC / SiC-Gehalt	> 99,96 %
Si / Freier Si-Gehalt	< 0,1 %
Schüttdichte	2,60–2,70 g/cm3
Scheinbare Porosität	< 16 %
Kompressionsstärke	> 600 MPa
Kaltbiegefestigkeit	80-90 MPa (20°C)
Warmbiegefestigkeit	90–100 MPa (1400 °C)
Wärmeausdehnung bei 1500 °C	4,70 · 10-6/°C
Wärmeleitfähigkeit bei 1200 °C	23 W/m·K
Elastizitätsmodul	240 GPa
Thermoschockbeständigkeit	Extrem gut

7N hochreiner CVD-SiC-Rohstoff

Die Qualität des Ausgangsmaterials ist der Hauptfaktor, der die Waferausbeute bei der Herstellung von SiC-Einkristallen begrenzt. VETEKs 7N High-Purity CVD SiC Bulk bietet eine hochdichte polykristalline Alternative zu herkömmlichen Pulvern, die speziell für den physikalischen Dampftransport (PVT) entwickelt wurde. Durch die Verwendung einer Massen-CVD-Form beseitigen wir häufige Wachstumsfehler und verbessern den Ofendurchsatz erheblich. Wir freuen uns auf Ihre Anfrage.

Vakuum-Heißpressofen zum Binden von Siliziumkarbid-Keimkristallen

Die SiC-Keimbindungstechnologie ist einer der Schlüsselprozesse, die das Kristallwachstum beeinflussen. VETEK hat basierend auf den Eigenschaften dieses Prozesses einen speziellen Vakuum-Heißpressofen für die Samenbindung entwickelt. Der Ofen kann verschiedene Fehler, die während des Keimbindungsprozesses entstehen, effektiv reduzieren und so die Ausbeute und die Endqualität des Kristallbarrens verbessern.

Silikon-Kassettenboot

Das Silizium-Kassettenboot von Veteksemicon ist ein präzisionsgefertigter Waferträger, der speziell für Hochtemperatur-Halbleiterofenanwendungen entwickelt wurde, einschließlich Oxidation, Diffusion, Eintreiben und Glühen. Hergestellt aus hochreinem Silizium und nach fortschrittlichen Kontaminationskontrollstandards gefertigt, bietet es eine thermisch stabile, chemisch inerte Plattform, die den Eigenschaften von Siliziumwafern selbst sehr nahe kommt. Diese Ausrichtung minimiert die thermische Belastung, reduziert Schlupf und Defektbildung und sorgt für eine außergewöhnlich gleichmäßige Wärmeverteilung in der gesamten Charge

Auslegerpaddel aus Siliziumkarbid für die Waferverarbeitung

Das Siliziumkarbid-Cantilever-Paddel von Veteksemicon wurde für die fortschrittliche Waferverarbeitung in der Halbleiterfertigung entwickelt. Es besteht aus hochreinem SiC und bietet hervorragende thermische Stabilität, hervorragende mechanische Festigkeit und hervorragende Beständigkeit gegenüber hohen Temperaturen und korrosiven Umgebungen. Diese Funktionen gewährleisten eine präzise Waferhandhabung, längere Lebensdauer und zuverlässige Leistung in Prozessen wie MOCVD, Epitaxie und Diffusion. Willkommen zur Beratung.

Silizium -Carbid -Roboterarm

Unser Roboterarm des Siliciumcarbids (SIC) ist für die Handhabung von Hochleistungswafern in der Herstellung fortschrittlicher Halbleiter ausgelegt. Dieser Roboterarm aus hohem Siliziumcarbid aus hoher Purität bietet einen außergewöhnlichen Widerstand gegen hohe Temperaturen, Plasmakorrosion und chemische Angriffe, um einen zuverlässigen Betrieb in anspruchsvollen Reinraumumgebungen zu gewährleisten. Die außergewöhnliche mechanische Festigkeit und die dimensionale Stabilität ermöglichen eine präzise Handhabung des Wafers und minimieren Kontaminationsrisiken und machen es zu einer idealen Wahl für MOCVD, Epitaxie, Ionenimplantation und andere Anwendungen für kritische Waferhandhabungen. Wir begrüßen Ihre Anfragen.

Silizium -Carbide -Waferboot

Vetekemicon SIC-Waferboote werden in kritischen Hochtemperaturprozessen bei der Herstellung von Halbleiter häufig eingesetzt und dienen als zuverlässige Träger für Oxidations-, Diffusions- und Glühprozesse für integrierte Kreisläufe auf Siliziumbasis. Sie zeichnen sich auch im Halbleitersektor der dritten Generation aus und eignen sich perfekt für anspruchsvolle Prozesse wie epitaxiale Wachstum (EPI) und metallorganische chemische Dampfablagerung (MOCVD) für SIC- und GaN-Stromversorgungsgeräte. Sie unterstützen auch die Hochtemperaturherstellung hocheffizienter Solarzellen in der Photovoltaikindustrie. Ich freue mich auf Ihre weitere Beratung.

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