VeTek Semiconductor ist Ihr innovativer Partner im Bereich der Halbleiterverarbeitung. Mit unserem umfangreichen Portfolio an Materialkombinationen aus Siliziumkarbidkeramik in Halbleiterqualität, Komponentenfertigungskapazitäten und anwendungstechnischen Dienstleistungen können wir Ihnen bei der Bewältigung bedeutender Herausforderungen helfen. Technische Siliziumkarbidkeramiken werden aufgrund ihrer außergewöhnlichen Materialleistung häufig in der Halbleiterindustrie eingesetzt. Die hochreine Siliziumkarbidkeramik von VeTek Semiconductor wird häufig im gesamten Zyklus der Halbleiterherstellung und -verarbeitung eingesetzt.
DIFFUSION & LPCVD-VERARBEITUNG
VeTek Semiconductor bietet technische Keramikkomponenten, die speziell für Batch-Diffusions- und LPCVD-Anforderungen entwickelt wurden, darunter:
● Leitbleche und Halter
● Einspritzdüsen
● Liner und Prozessrohre
● Cantilever-Paddel aus Siliziumkarbid
● Wafer-Boote und Sockel
ÄTZPROZESSKOMPONENTEN
Minimieren Sie Verunreinigungen und außerplanmäßige Wartungsarbeiten mit hochreinen Komponenten, die für die Anforderungen der Plasmaätzverarbeitung entwickelt wurden, darunter:
● Fokusringe
● Düsen
● Schilde
● Duschköpfe
● Fenster/Deckel
● Andere benutzerdefinierte Komponenten
SCHNELLE THERMISCHE VERARBEITUNG UND EPITAXIALE PROZESSKOMPONENTEN
VeTek Semiconductor bietet fortschrittliche Materialkomponenten, die auf Hochtemperatur-Wärmeverarbeitungsanwendungen in der Halbleiterindustrie zugeschnitten sind. Diese Anwendungen umfassen RTP, Epi-Prozesse, Diffusion, Oxidation und Glühen. Unsere technische Keramik ist so konzipiert, dass sie thermischen Schocks standhält und eine zuverlässige und konstante Leistung liefert. Mit den Komponenten von VeTek Semiconductor können Halbleiterhersteller eine effiziente und qualitativ hochwertige thermische Verarbeitung erreichen und so zum Gesamterfolg der Halbleiterproduktion beitragen.
● Diffusoren
● Isolatoren
● Suszeptoren
● Andere kundenspezifische thermische Komponenten
Hauptmerkmale
● Ultrahohe Reinheit: SiC-Gehalt >99,96 %, freies Silizium <0,1 %, wodurch Metallverunreinigungen minimiert werden.
● Hervorragende Hochtemperaturleistung: Arbeitstemperatur bis zu 1600 °C (oxidierend) / 1700 °C (reduzierend).
● Hervorragende Temperaturwechselbeständigkeit und geringe Wärmeausdehnung für zuverlässige Leistung bei schnellen Temperaturzyklen.
● Hohe mechanische Festigkeit (Kompression >600 MPa) und chemische Inertheit gegenüber Prozessgasen und Plasmen.
● Umfassende Produktpalette für Diffusions-/LPCVD-, Ätz-, RTP- und Epi-Prozesse – von Wafer-Booten über Fokusringe bis hin zu kundenspezifischen Teilen.
● Lange Lebensdauer und geringere Partikelbildung, wodurch die Wartungshäufigkeit verringert und der Ertrag verbessert wird.
Produktspezifikationen
Physikalische Eigenschaften von rekristallisiertem Siliziumkarbid
| Eigentum |
Typischer Wert |
| Arbeitstemperatur (°C) |
1600°C (mit Sauerstoff), 1700°C (reduzierende Umgebung) |
| SiC / SiC-Gehalt |
> 99,96 % |
| Si / Freier Si-Gehalt |
< 0,1 % |
| Schüttdichte |
2,60-2,70 g/cm³ |
| Scheinbare Porosität |
< 16 % |
| Kompressionsstärke |
> 600 MPa |
| Kaltbiegefestigkeit |
80-90 MPa (20°C) |
| Warmbiegefestigkeit |
90–100 MPa (1400 °C) |
| Wärmeausdehnung bei 1500 °C |
4,70 × 10⁻⁶/°C |
| Wärmeleitfähigkeit bei 1200 °C |
23 W/m·K |
| Elastizitätsmodul |
240 GPa |
| Thermoschockbeständigkeit |
Extrem gut |
Anwendungen
Um den vielfältigen Anforderungen von Halbleiterprozessen gerecht zu werden, bietet VeTek gezielt Produkte aus Siliziumkarbidkeramik an. Die folgende Tabelle klassifiziert sie nach Hauptanwendungsbereichen:
| Anwendungsbereich |
Typische Produkte |
Anwendungsbeschreibung |
| Diffusion und LPCVD |
SiC-Wafer-Boote, freitragende Paddel, Prozessrohre, Liner, Injektoren,Leitbleche und Halter
|
Hochreine SiC-Komponenten für Batch-Diffusions- und LPCVD-Öfen; ausgezeichnete thermische Stabilität und chemische Beständigkeit bis 1600–1700 °C, geringe Kontamination. |
| Plasmaätzprozess |
Fokusringe, Düsen, Schilde, Duschköpfe, Fenster/Deckel, kundenspezifische Ätzkomponenten |
Hochreine SiC-Teile, die für Plasmaätzumgebungen entwickelt wurden; Minimierung der Partikelerzeugung und außerplanmäßige Wartung, überlegene Plasmabeständigkeit. |
| RTP / Epitaxie / thermische Verarbeitung |
Suszeptoren, Diffusoren, Isolatoren, kundenspezifische thermische Komponenten |
Komponenten für RTP, Epi, Diffusion, Oxidation und Glühen; Entwickelt, um Thermoschocks standzuhalten und eine konstante Hochtemperaturleistung zu liefern. |
| SiC-Kristallwachstum (PVT) |
Hochreines SiC-Pulver,7N CVD-SiC-Rohmaterial, Teile im Zusammenhang mit der Samenbindung |
Hochreine SiC-Ausgangsmaterialien und unterstützende Komponenten für das PVT-SiC-Einkristallwachstum zur Verbesserung der Ausbeute und Kristallqualität. |
| Wafer-Handhabung und -Träger |
Vertikale/horizontale SiC-Wafer-Boote, Silikon-Kassettenboote, Sockel, Dichtungsringe
|
Präzisionsträger und Dichtungskomponenten, die für thermische Gleichmäßigkeit, mechanische Stabilität und minimale Kontamination während der Hochtemperaturverarbeitung sorgen. |
Ausführlichere Prozessanpassungslösungen finden Sie imOxidations- und Diffusionsofenverwandte Seiten.
Als professioneller Hersteller und Lieferant von Siliziumkarbidkeramik in China verfügen wir über eine eigene Fabrik. Egal, ob Sie maßgeschneiderte Dienstleistungen benötigen, um den spezifischen Anforderungen Ihrer Region gerecht zu werden, oder fortschrittliche und langlebige Siliziumkarbidkeramik aus China kaufen möchten, Sie können das tunhinterlassen Sie uns eine Nachricht.
