Produkte

Siliziumkarbidbeschichtung

VeTek Semiconductor ist auf die Herstellung hochreiner Siliziumkarbid-Beschichtungsprodukte spezialisiert. Diese Beschichtungen sind für die Anwendung auf gereinigtem Graphit, Keramik und hochschmelzenden Metallkomponenten konzipiert.


Unsere hochreinen Beschichtungen sind vor allem für den Einsatz in der Halbleiter- und Elektronikindustrie bestimmt. Sie dienen als Schutzschicht für Waferträger, Suszeptoren und Heizelemente und schützen sie vor korrosiven und reaktiven Umgebungen, die bei Prozessen wie MOCVD und EPI auftreten. Diese Prozesse sind integraler Bestandteil der Waferverarbeitung und Geräteherstellung. Darüber hinaus eignen sich unsere Beschichtungen gut für Anwendungen in Vakuumöfen und zur Probenerwärmung, wo Hochvakuum, reaktive und Sauerstoffumgebungen herrschen.


Bei VeTek Semiconductor bieten wir mit unseren fortschrittlichen Werkstattkapazitäten eine umfassende Lösung. Dadurch ist es uns möglich, die Basiskomponenten aus Graphit, Keramik oder Refraktärmetallen herzustellen und die SiC- oder TaC-Keramikbeschichtungen im eigenen Haus aufzubringen. Wir bieten auch Beschichtungsdienste für vom Kunden bereitgestellte Teile an und gewährleisten so die Flexibilität, unterschiedlichen Anforderungen gerecht zu werden.


Unsere Siliziumkarbid-Beschichtungsprodukte werden häufig in der Si-Epitaxie, SiC-Epitaxie, im MOCVD-System, im RTP/RTA-Prozess, im Ätzprozess, im ICP/PSS-Ätzprozess und im Prozess verschiedener LED-Typen, einschließlich blauer und grüner LED, UV-LED und tiefem UV, eingesetzt LED usw., die an Geräte von LPE, Aixtron, Veeco, Nuflare, TEL, ASM, Annealsys, TSI usw. angepasst sind.


Reaktorteile, die wir herstellen können:


Aixtron G5 MOCVD Susceptors


Die Siliziumkarbidbeschichtung bietet mehrere einzigartige Vorteile:

Silicon Carbide Coating several unique advantages



VeTek Semiconductor Siliziumkarbid-Beschichtungsparameter

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung
Eigentum Typischer Wert
Kristallstruktur Polykristalline FCC-β-Phase, hauptsächlich (111)-orientiert
Dichte der SiC-Beschichtung 3,21 g/cm³
SiC-Beschichtung. Härte 2500 Vickers-Härte (500 g Belastung)
Körnung 2~10μm
Chemische Reinheit 99,99995 %
Wärmekapazität 640 J·kg-1·K-1
Sublimationstemperatur 2700℃
Biegefestigkeit 415 MPa RT 4-Punkt
Elastizitätsmodul 430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃
Wärmeleitfähigkeit 300W·m-1·K-1
Wärmeausdehnung (CTE) 4,5×10-6K-1

CVD-SIC-FILM-KRISTALLSTRUKTUR

CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE



Silicon Carbide coated Epi susceptor Mit Siliziumkarbid beschichteter Epi-Suszeptor SiC Coating Wafer Carrier Waferträger mit SiC-Beschichtung SiC coated Satellite cover for MOCVD SiC-beschichtete Satellitenabdeckung für MOCVD CVD SiC Coating Wafer Epi Susceptor CVD-SiC-Beschichtungswafer-Epi-Suszeptor CVD SiC coating Heating Element Heizelement mit CVD-SiC-Beschichtung Aixtron Satellite wafer carrier Aixtron Satellite Wafer-Träger SiC Coating Epi susceptor Epi-Empfänger mit SiC-Beschichtung SiC coating halfmoon graphite parts Halbmondförmige Graphitteile mit SiC-Beschichtung


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MOCVD-SiC-beschichteter Suszeptor

MOCVD-SiC-beschichteter Suszeptor

VETEK MOCVD SiC Coated Susceptor ist eine präzisionsgefertigte Trägerlösung, die speziell für das epitaktische Wachstum von LEDs und Verbindungshalbleitern entwickelt wurde. Es weist eine außergewöhnliche thermische Gleichmäßigkeit und chemische Inertheit in komplexen MOCVD-Umgebungen auf. Durch den Einsatz des strengen CVD-Abscheidungsprozesses von VETEK sind wir bestrebt, die Konsistenz des Waferwachstums zu verbessern und die Lebensdauer der Kernkomponenten zu verlängern, um eine stabile und zuverlässige Leistungssicherung für jede Charge Ihrer Halbleiterproduktion zu gewährleisten.
Massiver Fokussierring aus Siliziumkarbid

Massiver Fokussierring aus Siliziumkarbid

Der Fokussierungsring aus festem Siliziumkarbid (SiC) von Veteksemicon ist eine wichtige Verbrauchskomponente, die in fortschrittlichen Halbleiterepitaxie- und Plasmaätzprozessen verwendet wird, bei denen eine präzise Steuerung der Plasmaverteilung, der thermischen Gleichmäßigkeit und der Waferkanteneffekte von entscheidender Bedeutung ist. Dieser aus hochreinem massivem Siliziumkarbid gefertigte Fokussierring weist eine außergewöhnliche Plasmaerosionsbeständigkeit, Hochtemperaturstabilität und chemische Inertheit auf und ermöglicht so eine zuverlässige Leistung unter aggressiven Prozessbedingungen. Wir freuen uns auf Ihre Anfrage.
SiC-beschichtete epitaktische Reaktorkammer

SiC-beschichtete epitaktische Reaktorkammer

Die SiC-beschichtete Epitaxie-Reaktorkammer von Veteksemicon ist eine Kernkomponente, die für anspruchsvolle Halbleiter-Epitaxie-Wachstumsprozesse entwickelt wurde. Mithilfe fortschrittlicher chemischer Gasphasenabscheidung (CVD) bildet dieses Produkt eine dichte, hochreine SiC-Beschichtung auf einem hochfesten Graphitsubstrat, was zu einer überlegenen Hochtemperaturstabilität und Korrosionsbeständigkeit führt. Es widersteht wirksam den korrosiven Wirkungen von Reaktionsgasen in Prozessumgebungen mit hohen Temperaturen, unterdrückt Partikelverunreinigungen erheblich, gewährleistet eine gleichbleibende Qualität des Epitaxiematerials und eine hohe Ausbeute und verlängert den Wartungszyklus und die Lebensdauer der Reaktionskammer erheblich. Es ist eine wichtige Wahl für die Verbesserung der Fertigungseffizienz und Zuverlässigkeit von Halbleitern mit großer Bandlücke wie SiC und GaN.
EPI-Empfängerteile

EPI-Empfängerteile

Im Kernprozess des epitaktischen Wachstums von Siliziumkarbid ist sich Veteksemicon bewusst, dass die Leistung des Suszeptors direkt die Qualität und Produktionseffizienz der epitaktischen Schicht bestimmt. Unsere hochreinen EPI-Suszeptoren, die speziell für den SiC-Bereich entwickelt wurden, nutzen ein spezielles Graphitsubstrat und eine dichte CVD-SiC-Beschichtung. Mit ihrer überlegenen thermischen Stabilität, hervorragenden Korrosionsbeständigkeit und extrem niedrigen Partikelerzeugungsrate gewährleisten sie den Kunden eine beispiellose Dicke und Gleichmäßigkeit der Dotierung, selbst in rauen Prozessumgebungen mit hohen Temperaturen. Wenn Sie sich für Veteksemicon entscheiden, entscheiden Sie sich für den Grundstein für Zuverlässigkeit und Leistung für Ihre fortschrittlichen Halbleiterfertigungsprozesse.
SiC-beschichteter Graphitsuszeptor für ASM

SiC-beschichteter Graphitsuszeptor für ASM

Der SiC-beschichtete Graphitsuszeptor von Veteksemicon für ASM ist eine Kernträgerkomponente in Halbleiter-Epitaxieprozessen. Dieses Produkt nutzt unsere proprietäre pyrolytische Siliziumkarbid-Beschichtungstechnologie und Präzisionsbearbeitungsprozesse, um eine überragende Leistung und eine extrem lange Lebensdauer in Hochtemperatur- und korrosiven Prozessumgebungen zu gewährleisten. Wir verstehen die strengen Anforderungen epitaktischer Prozesse an Substratreinheit, thermische Stabilität und Konsistenz sehr gut und sind bestrebt, unseren Kunden stabile, zuverlässige Lösungen zu bieten, die die Gesamtleistung der Ausrüstung verbessern.
Fokusring aus Siliziumkarbid

Fokusring aus Siliziumkarbid

Der Veteksemicon-Fokusring wurde speziell für anspruchsvolle Halbleiter-Ätzgeräte entwickelt, insbesondere für SiC-Ätzanwendungen. Seine Hauptfunktion besteht darin, die Verteilung des elektromagnetischen Feldes innerhalb der Reaktionskammer zu optimieren und so eine gleichmäßige und fokussierte Plasmawirkung über die gesamte Waferoberfläche sicherzustellen. Ein Hochleistungs-Fokusring verbessert die Gleichmäßigkeit der Ätzrate erheblich und reduziert Kanteneffekte, wodurch die Produktausbeute und die Produktionseffizienz direkt gesteigert werden.
Als professioneller Hersteller und Lieferant in China haben wir unsere eigene Fabrik. Unabhängig davon, ob Sie maßgeschneiderte Dienste benötigen, um die spezifischen Bedürfnisse Ihrer Region zu erfüllen oder erweiterte und langlebige Siliziumkarbidbeschichtung in China hergestellt zu werden, können Sie uns eine Nachricht hinterlassen.
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