Über uns

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WuYi TianYao Advanced Material Tech.Co., Ltd.
WuYi TianYao Advanced Material Tech.Co.,Ltd wurde 2016 gegründet und ist ein führender Anbieter von fortschrittlichen Beschichtungsmaterialien für die Halbleiterindustrie. Unser Gründer, ein ehemaliger Experte des Instituts für Materialien der Chinesischen Akademie der Wissenschaften, gründete das Unternehmen mit dem Schwerpunkt auf der Entwicklung innovativer Lösungen für die Branche.

Zu unserem Hauptproduktangebot gehören:CVD-Siliziumkarbid (SiC)-Beschichtungen, Tantalcarbid (TaC)-Beschichtungen, SiC-Massen, SiC-Pulver und hochreine SiC-Materialien. Die Hauptprodukte sind SiC-beschichtete Graphitsuszeptoren, Vorheizringe, TaC-beschichtete Umleitungsringe, Halbmondteile usw., die Reinheit liegt unter 5 ppm und kann die Kundenanforderungen erfüllen.
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VeTek ist der Fachmann für Hersteller und Lieferanten von Siliziumkarbidbeschichtungen, Tantalkarbidbeschichtungen und Spezialgraphit in China. Sie können sicher sein, dass Sie die Produkte in unserer Fabrik kaufen, und wir bieten Ihnen einen hochwertigen Kundendienst.

Nachricht

  • Was ist ein Pecvd Graphitboot?
    2025-03-04
    Was ist ein Pecvd Graphitboot?

    Das Kernmaterial von PECVD-Graphitboot ist ein hochreines isotropes Graphitmaterial (die Reinheit beträgt normalerweise ≥ 99,999%), was eine hervorragende elektrische Leitfähigkeit, Wärmeleitfähigkeit und Dichte aufweist. Im Vergleich zu gewöhnlichen Graphitbooten haben PECVD -Graphitboote viele Vorteile für physikalische und chemische Eigenschaften und werden hauptsächlich in der Halbleiter- und Photovoltaikindustrie verwendet, insbesondere in PECVD- und CVD -Prozessen.

  • Wie verstärkt poröses Graphit das Wachstum von Siliziumkarbidkristall?
    2025-01-09
    Wie verstärkt poröses Graphit das Wachstum von Siliziumkarbidkristall?

    Dieser Blog nimmt "Wie poröse Graphit das Wachstum von Siliziumkarbidkristall verstärkt?" Als Thema und detaillierte poröse Graphit -Key -Take -Aways detailliert, die Rolle von Siliziumkarbid in der Halbleitertechnologie, einzigartige Eigenschaften von porösen Graphiten, wie poröser Graphit den PVT -Prozess, Innovationen in porösen Graphitmaterialien und andere Winkel optimiert.

  • CVD -Technologieinnovation hinter dem Nobelpreis
    2025-01-02
    CVD -Technologieinnovation hinter dem Nobelpreis

    In diesem Blog werden die spezifischen Anwendungen der künstlichen Intelligenz im Bereich CVD aus zwei Aspekten erörtert: die Bedeutung und die Herausforderungen der Technologie der chemischen Dampfablagerung (CVD) in der Physik- und CVD -Technologie und des maschinellen Lernens.

  • Was ist SIC-beschichtete Graphit-Anfälligkeit?
    2024-12-27
    Was ist SIC-beschichtete Graphit-Anfälligkeit?

    Dieser Blog nimmt "Was ist SIC-beschichtete Graphit-SUPPTOR?" Als Thema und diskutiert es aus den Perspektiven der epitaxialen Schicht und ihrer Ausrüstung, die Bedeutung des sic -beschichteten Graphit -Suszeptors in CVD -Geräten, der SIC -Beschichtungstechnologie, des Marktwettbewerbs und der technologischen Innovation von Vetek Semiconductor.

  • Wie erstellt man CVD TAC -Beschichtung? - VetekemaMon
    2024-08-23
    Wie erstellt man CVD TAC -Beschichtung? - VetekemaMon

    In diesem Artikel wird die Produktmerkmale der CVD -TAC -Beschichtung, den Prozess der Vorbereitung der CVD -TAC -Beschichtung unter Verwendung der CVD -Methode und die grundlegende Methode zum Nachweis der vorbereiteten CVD -TAC -Beschichtung vorgestellt.

  • Was ist Tantal Carbid TAC -Beschichtung? - VetekemaMon
    2024-08-22
    Was ist Tantal Carbid TAC -Beschichtung? - VetekemaMon

    In diesem Artikel wird die Produkteigenschaften der TAC -Beschichtung eingeführt, dem spezifischen Prozess der Vorbereitung von TAC -Beschichtungsprodukten mithilfe der CVD -Technologie, die beliebteste TAC -Beschichtung von Vetekememon und analysiert kurz die Gründe für die Auswahl von Vetekememon.

  • Was ist TAC -Beschichtung? - Vetek Semiconductor
    2024-08-15
    Was ist TAC -Beschichtung? - Vetek Semiconductor

    In diesem Artikel wird hauptsächlich die Produkttypen, Produktmerkmale und Hauptfunktionen der TAC -Beschichtung in der Halbleiterverarbeitung eingeführt und führt eine umfassende Analyse und Interpretation von TAC -Beschichtungsprodukten als Ganzes durch.

  • Die Entwicklung von CVD-SiC von Dünnfilmbeschichtungen zu Massenmaterialien
    2026-04-10
    Die Entwicklung von CVD-SiC von Dünnfilmbeschichtungen zu Massenmaterialien

    Hochreine Materialien sind für die Halbleiterfertigung unerlässlich. Diese Prozesse sind mit extremer Hitze und ätzenden Chemikalien verbunden. CVD-SiC (Chemical Vapour Deposition Silicon Carbide) sorgt für die nötige Stabilität und Festigkeit. Aufgrund seiner hohen Reinheit und Dichte ist es heute die erste Wahl für fortschrittliche Ausrüstungsteile.

  • Der unsichtbare Engpass beim SiC-Wachstum: Warum 7N Bulk CVD SiC-Rohmaterial herkömmliches Pulver ersetzt
    2026-04-07
    Der unsichtbare Engpass beim SiC-Wachstum: Warum 7N Bulk CVD SiC-Rohmaterial herkömmliches Pulver ersetzt

    In der Welt der Siliziumkarbid-Halbleiter (SiC) stehen 8-Zoll-Epitaxiereaktoren oder die Feinheiten des Waferpolierens im Mittelpunkt der Aufmerksamkeit. Wenn wir die Lieferkette jedoch bis zum Anfang zurückverfolgen – im PVT-Ofen (Physical Vapour Transport) – findet still und leise eine grundlegende „Materialrevolution“ statt.

  • Piezoelektrische PZT-Wafer: Hochleistungslösungen für MEMS der nächsten Generation
    2026-03-20
    Piezoelektrische PZT-Wafer: Hochleistungslösungen für MEMS der nächsten Generation

    Im Zeitalter der rasanten MEMS-Entwicklung (Mikroelektromechanische Systeme) ist die Auswahl des richtigen piezoelektrischen Materials eine entscheidende Entscheidung für die Geräteleistung. PZT-Dünnschichtwafer (Blei-Zirkonat-Titanat) haben sich gegenüber Alternativen wie AlN (Aluminiumnitrid) als erste Wahl herausgestellt und bieten eine überlegene elektromechanische Kopplung für modernste Sensoren und Aktoren.

  • Hochreine Suszeptoren: Der Schlüssel zur Ausbeute an maßgeschneiderten Halbleiterwafern im Jahr 2026
    2026-03-14
    Hochreine Suszeptoren: Der Schlüssel zur Ausbeute an maßgeschneiderten Halbleiterwafern im Jahr 2026

    Während sich die Halbleiterfertigung weiter in Richtung fortschrittlicher Prozessknoten, höherer Integration und komplexerer Architekturen weiterentwickelt, verändern sich die entscheidenden Faktoren für die Waferausbeute subtil. Bei der kundenspezifischen Herstellung von Halbleiterwafern liegt der Durchbruch bei der Ausbeute nicht mehr nur in Kernprozessen wie Lithographie oder Ätzen; Hochreine Suszeptoren werden zunehmend zur zugrunde liegenden Variablen, die die Prozessstabilität und -konsistenz beeinflussen.

  • SiC- vs. TaC-Beschichtung: Die ultimative Abschirmung für Graphit-Suszeptoren in der Hochtemperatur-Halbleiterverarbeitung
    2026-03-05
    SiC- vs. TaC-Beschichtung: Die ultimative Abschirmung für Graphit-Suszeptoren in der Hochtemperatur-Halbleiterverarbeitung

    In der Welt der Wide-Bandgap-Halbleiter (WBG) ist der fortschrittliche Herstellungsprozess die „Seele“, der Graphit-Suszeptor das „Rückgrat“ und seine Oberflächenbeschichtung die entscheidende „Haut“.

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