Wafersubstrat ist ein Wafer aus Halbleiter-Einkristallmaterial. Das Substrat kann direkt in den Wafer-Herstellungsprozess zur Herstellung von Halbleiterbauelementen eintreten oder durch einen Epitaxieprozess zur Herstellung von Epitaxie-Wafern verarbeitet werden.
Wafer-Substrat als grundlegende Stützstruktur von Halbleiterbauelementen hat direkten Einfluss auf die Leistung und Stabilität der Bauelemente. Als „Grundlage“ für die Herstellung von Halbleiterbauelementen müssen auf dem Substrat eine Reihe von Herstellungsprozessen wie Dünnschichtwachstum und Lithographie durchgeführt werden.
Zusammenfassung der Substrattypen
- Einkristalliner Siliziumwafer: derzeit das gebräuchlichste Substratmaterial, weit verbreitet bei der Herstellung von integrierten Schaltkreisen (ICs), Mikroprozessoren, Speichern, MEMS-Geräten, Leistungsgeräten usw.;
- SOI-Substrat: Wird für leistungsstarke integrierte Schaltkreise mit geringem Stromverbrauch verwendet, z. B. analoge und digitale Hochfrequenzschaltkreise, HF-Geräte und Energieverwaltungschips.
- Verbindungshalbleitersubstrate: Galliumarsenid-Substrat (GaAs): Mikrowellen- und Millimeterwellen-Kommunikationsgeräte usw. Galliumnitrid-Substrat (GaN): verwendet für HF-Leistungsverstärker, HEMT usw. Siliziumkarbid-Substrat (SiC): verwendet für Elektrofahrzeuge, Leistungswandler und andere Leistungsgeräte Indiumphosphid-Substrat (InP): verwendet für Laser, Fotodetektoren usw.;
- Saphirsubstrat: wird für die LED-Herstellung, RFIC (Radio Frequency Integrated Circuit) usw. verwendet;
Vetek Semiconductor ist ein professioneller Lieferant von SiC-Substraten und SOI-Substraten in China. Unser halbisolierendes 4H-SiC-Substrat und unser halbisolierendes 4H-SiC-Substrat werden häufig in Schlüsselkomponenten von Halbleiterfertigungsanlagen eingesetzt.
Vetek Semiconductor ist bestrebt, fortschrittliche und anpassbare Wafersubstratprodukte und technische Lösungen verschiedener Spezifikationen für die Halbleiterindustrie bereitzustellen. Wir freuen uns aufrichtig darauf, Ihr Lieferant in China zu werden.
Hauptmerkmale
- Professioneller Lieferant von SiC-Substraten (4H N-Typ und halbisolierend) und SOI-Substraten für Energie-, HF- und fortschrittliche IC-Anwendungen.
- Breites Substratportfolio, das Silizium, Verbindungshalbleiter (SiC, GaN, GaAs, InP), Saphir und Spezialwafer (PZT, SiN, Dummy-Wafer) umfasst.
- Hohe Materialqualität und Prozesskonsistenz, geeignet für epitaktisches Wachstum, Geräteherstellung und Geräteprozesssteuerung.
- Anpassbare Spezifikationen und technische Lösungen, die auf unterschiedliche Anforderungen der Halbleiterfertigung zugeschnitten sind.
- Zuverlässige, in China ansässige Lieferung mit anwendungstechnischer Unterstützung für Leistungsgeräte, MEMS, LED, HF und thermische Prozesswerkzeuge.
Produktkategorien
- SiC-Substrate: 4H-N-Typ- und halbisolierende SiC-Wafer für Leistungsgeräte und HF-Anwendungen
- SOI-Substrate: Silizium-auf-Isolator-Wafer für Hochleistungs-ICs und HF-Geräte mit geringem Stromverbrauch
- Spezialität/Prozesswafer: CVD-SiC-beschichtete Dummy-Wafer, SiN-Substrate, piezoelektrische PZT-Wafer auf Si/SOI
- Andere Verbund-/Saphirsubstrate:Unterstützung von LED-, HF- und optoelektronischen Anwendungen (wie in der Übersicht aufgeführt)
Anwendungen
Um den vielfältigen Anforderungen der Halbleiterfertigung gerecht zu werden, bietet VeTek gezielt Wafersubstratprodukte an. Die folgende Tabelle klassifiziert sie nach Hauptanwendungsbereichen:
| Anwendungsbereich |
Typische Produkte |
Anwendungsbeschreibung |
| Elektrogeräte und Elektrofahrzeuge |
4H-SiC-Substrate (N-Typ / halbisolierend) |
Siliziumkarbid-Substrate für Leistungswandler, Elektrofahrzeuge und Hochspannungsgeräte, die hohe Temperaturen und einen hohen Wirkungsgrad erfordern. |
| HF-/Hochfrequenz-ICs |
SOI-Substrate, GaN/GaAs-verwandte Substrate, halbisolierendes SiC |
Hochleistungssubstrate mit geringem Stromverbrauch für HF-Geräte, Leistungsverstärker, HEMTs und analoge/digitale Hochfrequenzschaltungen. |
| MEMS und Sensoren |
Piezoelektrische PZT-Wafer (PZT auf Si/SOI), SiN-Substrate |
Piezoelektrische und hochfeste Substrate für MEMS-Wandler, Sensoren, 5G, medizinische und tragbare Geräte, die eine elektromechanische Umwandlung erfordern. |
| Prozesskontrolle und -prüfung |
CVD SiC-Beschichtung Dummy-Wafer |
Dummy- und Testwafer zur Gerätequalifizierung, Prozessüberwachung und Kontaminationskontrolle in Halbleiterfertigungslinien. |
| LED / Optoelektronik |
Saphirsubstrate, Verbindungshalbleitersubstrate (InP etc.) |
Substrate für die LED-Herstellung, Laser, Fotodetektoren und RFIC-Anwendungen, die optische und Hochfrequenzleistung erfordern. |
| Erweiterte IC/Logik und Speicher |
Einkristalline Siliziumwafer, SOI-Substrate |
Mainstream- und fortschrittliche Substrate für integrierte Schaltkreise, Mikroprozessoren, Speicher und Energieverwaltungschips. |
Ausführlichere Prozessanpassungslösungen finden Sie imSiliziumkarbid-EpitaxieUndSiliziumepitaxieverwandte Seiten.
Als professioneller Waferhersteller und -lieferant in China verfügen wir über eine eigene Fabrik. Egal, ob Sie maßgeschneiderte Dienstleistungen benötigen, um den spezifischen Anforderungen Ihrer Region gerecht zu werden, oder fortschrittliche und langlebige Wafer aus China kaufen möchten, Sie können das tunhinterlassen Sie uns eine Nachricht.
