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Vetek Semiconductor nahm an der CSEAC 2026 in Wuxi, China, teil und präsentierte seine fortschrittlichen CVD-SiC- und TaC-Beschichtungen, Graphitkomponenten, SiC-Keramik und andere Halbleiterkernmaterialien. Die Veranstaltung bot wertvolle Gelegenheiten, Kundenpartnerschaften zu stärken, neue Technologien zu diskutieren, Kooperationsprojekte voranzutreiben und zukünftige Möglichkeiten in der globalen Halbleiterindustrie zu erkunden.

VETEK Semiconductor ist auf sechs Hauptproduktkategorien spezialisiert, darunter CVD-SiC-Beschichtungen, CVD-TaC-Beschichtungen, festes SiC, hochreines Graphit und Kohlenstofffasern, Quarz und Hochleistungskeramik sowie Halbleiterwafer. Unsere Produkte bedienen kritische Halbleiterprozesse wie Epitaxie, Ätzen und Kristallwachstum. Mit zwei Forschungs- und Entwicklungsplattformen, einem vollständig integrierten Fertigungssystem und globalen Liefermöglichkeiten gelten wir als national spezialisiertes und hochentwickeltes „kleines Riesenunternehmen“.

Die neue Halbleiterfertigungsanlage von VETEK ist in die Bauphase eines Reinraums für Halbleiter eingetreten. Der neue Standort wird die Produktion von CVD-SiC-beschichteten Graphitkomponenten, TaC-Beschichtungen, PyC-Beschichtungen, massiven SiC-Teilen und hochreinen Graphitmaterialien für Halbleiteranwendungen unterstützen.

VeTek Semiconductor teilt wichtige Erkenntnisse der SNEC 2026 Shanghai und hebt hochreinen Graphit, CVD-SiC-beschichtete Graphitkomponenten, Kohlenstoffverbundwerkstoffe und fortschrittliche Wärmefeldmaterialien hervor, die die Solar- und Photovoltaikproduktion der nächsten Generation unterstützen.

VETEK feiert das Richtfest seiner neuen Halbleiterfertigungsbasis und erweitert damit die Produktionskapazität für fortschrittliche SiC-, TaC- und PyC-Beschichtungstechnologien, feste SiC-Komponenten, hochreine Graphitteile und Halbleiter-Wärmefeldmaterialien.

Am 5. September besuchten die Kunden von Vetek Semiconductor die SIC -Beschichtungs- und TAC -Beschichtungsfabriken und erzielten weitere Vereinbarungen zu den neuesten epitaxialen Prozesslösungen.

Am 5. September 2025 besuchte ein Kunde aus Polen eine Fabrik von VETEK, um sich über unsere fortschrittlichen Technologien und innovativen Prozesse bei der Herstellung von Kohlefaserprodukten zu informieren.

Die CVD-Siliziumkarbidbeschichtung wird durch die Abscheidung einer dichten SiC-Schicht auf hochreinem Graphit durch kontrollierte Gasphasen- und Oberflächenreaktionen hergestellt. In diesem Artikel werden die Substratvorbereitung, das MTS-basierte CVD-Wachstum, die Keimbildung und der Stofftransfer, die Schichtdicke und -gleichmäßigkeit, die SiC/Graphit-Grenzflächenspannung, häufige Defekte und die Prüfung der Halbleiterqualität erläutert. Es zeigt auch, warum Prozessparameter und Komponentengeometrie für Suszeptoren und Waferträger, die in der Epitaxie und MOCVD verwendet werden, gemeinsam entwickelt werden müssen.

Bei der Siliziumkarbid-Beschichtung handelt es sich um eine dichte CVD-SiC-Schicht, die auf Komponenten aus hochreinem Graphit aufgebracht wird, die in der Halbleiterverarbeitung verwendet werden. In diesem Artikel wird erklärt, warum Graphit mit SiC beschichtet wird, wie CVD-SiC gebildet wird, welche Beschichtungseigenschaften und Grenzflächenfaktoren die Leistung steuern und wie SiC-beschichteter Graphit Siliziumepitaxie, SiC-Epitaxie und MOCVD unterstützt. Außerdem werden die Beschichtungsdicke, die CTE-Diskrepanz, das Delaminierungsrisiko und die technischen Informationen untersucht, die bei der Spezifikation von Suszeptoren, Waferträgern und anderen beschichteten Komponenten erforderlich sind.

Technisches Whitepaper darüber, wie CVD-SiC- und TaC-Beschichtungen die thermische Stabilität, Kontamination, Partikel und Wiederholbarkeit in der Halbleiterepitaxie beeinflussen, mit Parametertabellen, einem Entscheidungsbaum für die Beschichtungsauswahl, Fehlermechanismen und RFQ-Kriterien.

8-Zoll-SiC befindet sich mittlerweile in der Massenproduktion, aber die Waferausbeute – nicht die Kapazität – trennt die Gewinner. In diesem Leitfaden wird erklärt, warum die TaC-Beschichtung auf Graphit-Heißzonenteilen über die Ausbeute entscheidet und wie man einen Lieferanten qualifiziert.

Bei der modernen Chipherstellung sorgt das Substrat für physikalische Unterstützung und einen Wärmeableitungspfad, während die Epitaxieschicht die elektrischen Leistungsgrenzen des Geräts bestimmt. Dieser Artikel bietet eine eingehende Analyse der grundlegenden Unterschiede zwischen einkristallinen Silizium- und Siliziumkarbidsubstraten und CVD/MBE-Epitaxieprozessen und zeigt, wie die Epitaxietechnologie die Leistung von Hochfrequenz- und Hochspannungsgeräten durch Reduzierung der Defektdichte und Einbeziehung von Dehnungstechniken verbessert. Unabhängig davon, ob Sie Prozessingenieur oder Beschaffungsentscheider sind, hilft Ihnen dieser Leitfaden dabei, schnell die am besten geeignete Waferauswahlstrategie zu ermitteln.

Eingehende Analyse der Ursachen für Kantenvergilbung und Abblättern der Siliziumkarbidbeschichtung auf MOCVD-Epitaxie-Graphitsuszeptoren. VeTek eliminierte Mikrostress durch die präzise Steuerung der anfänglichen CVD-Abscheidungsrate und des Strömungsfelds, steigerte die Beschichtungsausbeute von 50 % auf 90 % und verlängerte die Lebensdauer von Teilen aus hochreinem Graphit.

Um die 1,4 %ige Dickenschwankung von Tasche zu Tasche bei Silizium-Epitaxie-Graphit-Suszeptoren mit mehreren Taschen zu bewältigen, verbesserte VeTek Semi die Ebenheit der Suszeptoren auf <0,08 mm und reduzierte die Schwankung durch CVD-Strömungsfeldsimulation und hochpräzise SiC-Beschichtung auf 0,69 %, wodurch die Waferausbeute gesteigert wurde.

Erfahren Sie, wie Vetek radiale Risse in großen MOCVD-SiC-beschichteten Graphitsuszeptoren beseitigt hat. Die Neugestaltung des Strukturspannungspuffers und die CTE-Anpassung erhöhten die Lebensdauer um über 300 %.

Ein Jahrzehnt der SiC-Entwicklung – von den frühen Herausforderungen bei der Kommerzialisierung von 4-Zoll-Wafern bis zum heutigen Übergang zu 8-Zoll-Wafern. Entdecken Sie, wie CVD-SiC-Beschichtungen, feste SiC- und TaC-Materialien eine zuverlässige Halbleiterfertigung ermöglichen.