RTA/RTP-Prozess

VeTek Semiconductor bietet RTA/RTP-Prozess-Waferträger aus hochreinem Graphit und einer SiC-Beschichtung anVerunreinigung unter 5 ppm.

Ein Schnellglühofen ist eine Art Ausrüstung für die Materialglühbehandlung undRTA/RTP-ProzessDurch die Steuerung des Erwärmungs- und Abkühlungsprozesses des Materials kann die kristalline Struktur des Materials verbessert, die innere Spannung verringert und die mechanischen und physikalischen Eigenschaften des Materials verbessert werden. Eine der Kernkomponenten in der Kammer des Schnellglühofens ist der Waferträger/Wafer-Empfängerzum Laden von Wafern. B. eine Waferheizung in der ProzesskammerTrägerplattespielt eine wichtige Rolle bei der schnellen Erwärmung und Temperaturausgleichsbehandlung.

Siliziumkarbid, Aluminiumnitrid und Graphit-Siliziumkarbid sind verfügbare Materialien für den Schnellglühofen, und die Hauptauswahl auf dem Markt ist Graphit undSiliziumkarbidbeschichtung als Materialien. 

Die folgenden sinddie Funktionen und die hervorragende Leistungvon VeTek Semiconductor SiC-beschichtetem RTA-RTP-Prozess-Waferträger:

-Hohe Temperaturstabilität: Die SiC-Beschichtung weist eine hervorragende Hochtemperaturstabilität auf und gewährleistet die Integrität der Struktur und mechanische Festigkeit auch bei extremen Temperaturen. Aufgrund dieser Fähigkeit eignet es sich hervorragend für anspruchsvolle Wärmebehandlungsprozesse.

-Ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit: Die SiC-Beschichtung verfügt über eine außergewöhnliche Wärmeleitfähigkeit und ermöglicht eine schnelle und gleichmäßige Wärmeverteilung. Dies führt zu einer schnelleren Wärmeverarbeitung, wodurch die Aufheizzeit erheblich verkürzt und die Gesamtproduktivität gesteigert wird. Durch die Verbesserung der Wärmeübertragungseffizienz trägt es zu einer höheren Produktionseffizienz und einer überlegenen Produktqualität bei.

-Chemische Inertheit: Die inhärente chemische Inertheit von Siliziumkarbid sorgt für eine hervorragende Korrosionsbeständigkeit gegenüber verschiedenen Chemikalien. Unser kohlenstoffbeschichteter Siliziumkarbid-Waferträger kann in verschiedenen chemischen Umgebungen zuverlässig arbeiten, ohne die Wafer zu verunreinigen oder zu beschädigen.

-Oberflächenebenheit: Die CVD-Siliziumkarbidschicht sorgt für eine äußerst ebene und glatte Oberfläche und garantiert einen stabilen Kontakt mit den Wafern während der thermischen Bearbeitung. Dadurch wird das Einbringen zusätzlicher Oberflächenfehler vermieden und optimale Bearbeitungsergebnisse gewährleistet.

-Leicht und hochfest: Unser SiC-beschichteter RTP-Waferträger ist leicht und verfügt dennoch über eine bemerkenswerte Festigkeit. Diese Eigenschaft erleichtert das bequeme und zuverlässige Be- und Entladen von Wafern.

So verwenden Sie den RTA RTP Process Waferträger:

Wafer-Empfänger und Empfängerabdeckung mit SiC-Beschichtung von VeTek Semiconductor

RTA RTP-Empfänger RTA RTP-Waferträger RTP-Tablett (für RTA-Schnellerwärmungsbehandlung) RTP-Tablett (für RTA-Schnellerwärmungsbehandlung) RTP-Empfänger RTP-Wafer-Unterstützungstablett