VeTek Semiconductor ist ein führender Hersteller von Tantalcarbid-Beschichtungsmaterialien für die Halbleiterindustrie. Zu unserem Hauptproduktangebot gehören CVD-Tantalcarbid-Beschichtungsteile, gesinterte TaC-Beschichtungsteile für das SiC-Kristallwachstum oder den Halbleiterepitaxieprozess. VeTek Semiconductor hat ISO9001 bestanden und verfügt über eine gute Qualitätskontrolle. VeTek Semiconductor ist bestrebt, durch kontinuierliche Forschung und Entwicklung iterativer Technologien zum Innovator in der Tantalcarbid-Beschichtungsbranche zu werden.
Die Hauptprodukte sind TaC-beschichteter Führungsring, CVD-TaC-beschichteter dreiblättriger Führungsring, Tantal-Carbid-TaC-beschichteter Halbmond, CVD-TaC-beschichteter planetarischer SiC-Epitaxie-Suszeptor, Tantal-Carbid-Beschichtungsring, Tantal-Carbid-beschichteter poröser Graphit, TaC-beschichteter Rotationssuszeptor, Tantal-Carbid-Ring, TaC-beschichtete Rotationsplatte, TaC-beschichteter Wafer-Suszeptor, TaC-beschichteter Deflektor Ring, CVD-TaC-Beschichtungsabdeckung, TaC-beschichtetes Spannfutter usw., die Reinheit liegt unter 5 ppm, können die Kundenanforderungen erfüllen.
TaC-Beschichtungsgraphit entsteht durch Beschichten der Oberfläche eines hochreinen Graphitsubstrats mit einer feinen Schicht Tantalkarbid durch ein proprietäres CVD-Verfahren (Chemical Vapour Deposition). Der Vorteil ist im folgenden Bild dargestellt:
Die Tantalcarbid (TaC)-Beschichtung hat aufgrund ihres hohen Schmelzpunkts von bis zu 3880 °C, ihrer hervorragenden mechanischen Festigkeit, Härte und Beständigkeit gegen Thermoschocks Aufmerksamkeit erregt, was sie zu einer attraktiven Alternative zu Epitaxieprozessen für Verbindungshalbleiter mit höheren Temperaturanforderungen macht, wie zum Beispiel dem MOCVD-System von Aixtron und dem LPE-SiC-Epitaxieprozess. Sie findet auch eine breite Anwendung im SiC-Kristallwachstumsprozess mit der PVT-Methode.
Hauptmerkmale
● Temperaturstabilität bis 2500 °C mit ausgezeichneter Thermoschockbeständigkeit.
● Ultrahohe Reinheit (<5 ppm) und starke Haftung auf Graphit für minimale Partikelbildung.
● Hervorragende Beständigkeit gegen H₂-, NH₃-, SiH₄- und Si-Dämpfe in rauen Prozessumgebungen.
● Schutzbeschichtung mit Größen bis zu einem Durchmesser von 750 mm, einzigartig in China erhältlich.
Produktspezifikation
Parameter der VeTek Semiconductor Tantalcarbid-Beschichtung:
| Physikalische Eigenschaften der TaC-Beschichtung |
| Dichte |
14,3 g/cm³ |
| Härte |
2000 HK |
| Wärmeausdehnung |
6,3×10⁻⁶/K |
| Widerstand |
1×10⁻⁵ Ohm·cm |
| Thermische Stabilität |
<2500°C |
| Beschichtungsdicke |
≥20μm (typisch 35±10μm) |
Karbid (TaC)-Beschichtung auf einem mikroskopischen Querschnitt:
TaC-Beschichtung EDX-Daten:
Kristallstrukturdaten der TaC-Beschichtung:
| Element |
Atomprozent |
|
|
Pt. 1 |
Pt. 2 |
Pt. 3 |
Durchschnitt |
| C K |
52.10
|
57.41
|
52.37
|
53.96
|
| Ta M |
47.90
|
42.59
|
47.63
|
46.04
|
Anwendungen
Um den vielfältigen Anforderungen von Halbleiterprozessen gerecht zu werden, bietet VeTek gezielte Tantalcarbid-Beschichtungsprodukte an. Die folgende Tabelle klassifiziert sie nach Hauptanwendungsbereichen und listet typische Komponenten und anwendbare Prozesse auf:
| Anwendungsbereich |
Typische Produkte |
Anwendungsbeschreibung |
| SiC-Epitaxie |
CVD-TaC-beschichteter Planetensuszeptor,TaC-beschichteter Wafer-Suszeptor,TaC-beschichteter Führungsring
|
Geeignet für Hochtemperatur-SiC-Epitaxieprozesse (z. B. LPE-Methode) und bietet eine hohe thermische Stabilität und eine Schnittstelle mit geringer Kontamination, um die Gleichmäßigkeit des Films sicherzustellen. |
| GaN / LED-Epitaxie (MOCVD) |
Duschkopf, Satellitenscheibe, Abdeckring, Hitzeschild, Einspritzdüse |
Geeignet für Aixtron MOCVD-Systeme, beständig gegen H₂/NH₃-Korrosion, reduziert die Partikelverunreinigung und verbessert die LED-Epitaxieausbeute. |
| SiC-Kristallwachstum (PVT-Methode) |
TaC-beschichteter poröser Graphit,TaC-beschichteter Halbmond,Führungsring,Abdeckung,Futter
|
Wird beim Wachstum von PVT-SiC-Ingots verwendet, hält bis zu 2500 °C stand, verhindert Graphitreaktionen und gewährleistet die Kristallreinheit. |
| Hochtemperatur-Heiz- und Unterstützungskomponenten |
Induktiver Heizsuszeptor,Widerstandsheizelement, Waferträger
|
Geeignet für Induktions- oder Widerstandsheizsysteme, bietet hohe Härte und Temperaturwechselbeständigkeit und verlängert die Lebensdauer der Komponenten um das Drei- bis Fünffache. |
Ausführlichere Prozessanpassungslösungen finden Sie imSiliziumkarbid-Epitaxieentsprechende Anwendungsseite.
Wir unterstützen maßgeschneiderte Dienstleistungen basierend auf den Kundenanforderungen. ISO9001 mit guter Qualitätskontrolle bestanden.
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