VeTek Semiconductor ist ein führender Hersteller von Tantalcarbid-Beschichtungsmaterialien für die Halbleiterindustrie. Zu unserem Hauptproduktangebot gehören CVD-Tantalcarbid-Beschichtungsteile, gesinterte TaC-Beschichtungsteile für das SiC-Kristallwachstum oder den Halbleiterepitaxieprozess. VeTek Semiconductor hat ISO9001 bestanden und verfügt über eine gute Qualitätskontrolle. VeTek Semiconductor ist bestrebt, durch kontinuierliche Forschung und Entwicklung iterativer Technologien zum Innovator in der Tantalcarbid-Beschichtungsindustrie zu werden.
Die Hauptprodukte sindTaC-beschichteter Führungsring, CVD-TaC-beschichteter dreiblättriger Führungsring, Tantalkarbid-TaC-beschichteter Halbmond, CVD-TaC-beschichteter planetarischer epitaktischer SiC-Suszeptor, Tantalkarbid-Beschichtungsring, Mit Tantalkarbid beschichteter poröser Graphit, Rotationssuszeptor mit TaC-Beschichtung, Tantal-Karbid-Ring, Rotationsplatte mit TaC-Beschichtung, TaC-beschichteter Wafer-Suszeptor, TaC-beschichteter Deflektorring, CVD-TaC-Beschichtungsabdeckung, TaC-beschichtetes Spannfutterusw., die Reinheit liegt unter 5 ppm, kann die Kundenanforderungen erfüllen.
TaC-Beschichtungsgraphit wird hergestellt, indem die Oberfläche eines hochreinen Graphitsubstrats mit einer feinen Schicht Tantalkarbid durch ein proprietäres chemisches Gasphasenabscheidungsverfahren (CVD) beschichtet wird. Der Vorteil ist im folgenden Bild dargestellt:
Die Tantalcarbid (TaC)-Beschichtung hat aufgrund ihres hohen Schmelzpunkts von bis zu 3880 °C, ihrer hervorragenden mechanischen Festigkeit, Härte und Beständigkeit gegen Thermoschocks Aufmerksamkeit erregt, was sie zu einer attraktiven Alternative zu Epitaxieprozessen für Verbindungshalbleiter mit höheren Temperaturanforderungen macht. wie das Aixtron MOCVD-System und der LPE-SiC-Epitaxieprozess. Es findet auch eine breite Anwendung im SiC-Kristallwachstumsprozess mit der PVT-Methode.
Hauptmerkmale:
●Temperaturstabilität
●Ultrahohe Reinheit
●Beständigkeit gegen H2, NH3, SiH4, Si
●Beständigkeit gegen thermische Bestände
●Starke Haftung auf Graphit
●Schutzbeschichtung
● Größe bis 750 mm Durchmesser (Der einzige Hersteller in China erreicht diese Größe)
Anwendungen:
●Waffelträger
● Induktiver Heizsuszeptor
● Widerstandsheizelement
●Satellitenscheibe
●Duschkopf
●Führungsring
●LED-Epi-Empfänger
●Einspritzdüse
●Abdeckring
● Hitzeschild
Tantalcarbid (TaC)-Beschichtung auf einem mikroskopischen Querschnitt:
Parameter der VeTek Semiconductor Tantalcarbid-Beschichtung:
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Physikalische Eigenschaften der TaC-Beschichtung
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Dichte
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14,3 (g/cm³)
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Spezifischer Emissionsgrad
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0.3
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Wärmeausdehnungskoeffizient
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6,3 10-6/K
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Härte (HK)
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2000 HK
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Widerstand
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1×10-5Ohm*cm
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Thermische Stabilität
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<2500℃
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Graphitgrößenänderungen
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-10~-20um
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Beschichtungsdicke
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≥20um typischer Wert (35um±10um)
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TaC-Beschichtung EDX-Daten：
Kristallstrukturdaten der TaC-Beschichtung:
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Element
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Atomprozent
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Pt. 1
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Pt. 2
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Pt. 3
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Durchschnitt
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C K
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52.10
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57.41
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52.37
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53.96
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Ihnen
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47.90
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42.59
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47.63
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46.04
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