Hochreines SiC-Pulver

VeTek Semiconductor ist ein Branchenpionier, der sich auf die Entwicklung, Produktion und Vermarktung von hochreinem SiC-Pulver spezialisiert hat, das für seine ultrahohe Reinheit, gleichmäßige Partikelgrößenverteilung und hervorragende Kristallstruktur bekannt ist. Das Unternehmen verfügt über ein Forschungs- und Entwicklungsteam bestehend aus erfahrenen Experten, um technologische Innovationen kontinuierlich voranzutreiben. Mit fortschrittlicher Produktionstechnologie und -ausrüstung können Reinheit, Partikelgröße und Leistung von hochreinem SiC-Pulver genau gesteuert werden. Eine strenge Qualitätskontrolle stellt sicher, dass jede Charge den anspruchsvollsten Industriestandards entspricht und ein stabiles und zuverlässiges Basismaterial für Ihre High-End-Anwendungen bietet.

Vorteile des hochreinen SiC-Pulvers von VeTek Semiconductor:

1. Hohe Reinheit: Der SiC-Gehalt beträgt 99,9999 %, der Verunreinigungsgehalt ist sehr niedrig, was die negativen Auswirkungen auf die Leistung von Halbleiter- und Photovoltaikgeräten verringert und die Konsistenz und Zuverlässigkeit der Produkte verbessert.

2. Hervorragende physikalische Eigenschaften: einschließlich hoher Härte, hoher Festigkeit und hoher Verschleißfestigkeit, so dass während der Verarbeitung und Verwendung eine gute strukturelle Stabilität erhalten bleibt.

3. Hohe Wärmeleitfähigkeit: Kann Wärme schnell leiten, die Wärmeableitungseffizienz des Geräts verbessern, die Betriebstemperatur senken und dadurch die Lebensdauer des Geräts verlängern.

4. Niedriger Ausdehnungskoeffizient: Die Größenänderung ist bei Temperaturänderungen gering, wodurch Materialrisse oder Leistungseinbußen durch thermische Ausdehnung und Kontraktion verringert werden.

5. Gute chemische Stabilität: Säure- und Alkalikorrosionsbeständigkeit, kann in komplexer chemischer Umgebung stabil bleiben.

6. Eigenschaften mit großer Bandlücke: mit hoher elektrischer Durchbruchfeldstärke und Elektronensättigungsdriftgeschwindigkeit, geeignet für die Herstellung von Hochtemperatur-, Hochdruck-, Hochfrequenz- und Hochleistungshalbleiterbauelementen.

7. Hohe Elektronenmobilität: Dies trägt zur Verbesserung der Arbeitsgeschwindigkeit und Effizienz von Halbleiterbauelementen bei.

8. Umweltschutz: Relativ geringe Umweltbelastung im Herstellungs- und Nutzungsprozess.

Hochreines SiC-Pulver hat die folgenden Anwendungen in der Halbleiter- und Photovoltaikindustrie:

Halbleiterindustrie:

- Substratmaterial: Hochreines SiC-Pulver kann zur Herstellung von Siliziumkarbidsubstraten verwendet werden, die zur Herstellung von Hochfrequenz-, Hochtemperatur-, Hochdruck-Leistungsgeräten und HF-Geräten verwendet werden können.

Epitaxiewachstum: Im Halbleiterherstellungsprozess kann hochreines Siliziumkarbidpulver als Rohstoff für das Epitaxiewachstum verwendet werden, mit dem hochwertige Siliziumkarbid-Epitaxieschichten auf dem Substrat gezüchtet werden.

-Verpackungsmaterialien: Hochreines Siliziumkarbidpulver kann zur Herstellung von Halbleiterverpackungsmaterialien verwendet werden, um die Wärmeableitungsleistung und Zuverlässigkeit der Verpackung zu verbessern.

Photovoltaik-Industrie:

Kristalline Siliziumzellen: Im Herstellungsprozess kristalliner Siliziumzellen kann hochreines Siliziumkarbidpulver als Diffusionsquelle für die Bildung von pn-Übergängen verwendet werden.

- Dünnschichtbatterie: Im Herstellungsprozess von Dünnschichtbatterien kann hochreines Siliziumkarbidpulver als Target für die Sputterabscheidung von Siliziumkarbidfilmen verwendet werden.