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Vetek Semiconductor ist ein Branchenpionier, der sich auf die Entwicklung, Produktion und Vermarktung von SIC-Pulver mit hohem Reinheit spezialisiert hat, die für ihre ultrahohe Reinheit, eine gleichmäßige Partikelgrößenverteilung und die hervorragende Kristallstruktur bekannt sind. Das Unternehmen verfügt über ein Forschungs- und Entwicklungsteam, das sich aus hochrangigen Experten zusammensetzt, um die technologische Innovation ständig zu fördern. Mit fortschrittlicher Produktionstechnologie und -ausrüstung können die Reinheit, die Partikelgröße und die Leistung von SIC -Pulver mit hohem Reinheit genau kontrolliert werden. Strenge Qualitätskontrolle stellt sicher, dass jede Charge die anspruchsvollsten Branchenstandards entspricht und ein stabiles und zuverlässiges Grundmaterial für Ihre High-End-Anwendungen bietet.
1. hoher Reinheit: Der SIC -Gehalt beträgt 99,9999%, der Verunreinigungsgehalt ist sehr niedrig, was die nachteiligen Auswirkungen auf die Leistung von Halbleiter- und Photovoltaik -Geräten verringert und die Konsistenz und Zuverlässigkeit von Produkten verbessert.
2. Ausgezeichnete physikalische Eigenschaften: einschließlich hoher Härte, hoher Festigkeit und hoher Verschleißfestigkeit, damit sie während der Verarbeitung und Verwendung eine gute strukturelle Stabilität aufrechterhalten können.
3.. Hohe thermische Leitfähigkeit: Kann schnell Wärme durchführen, die Wärmeableitungseffizienz des Geräts verbessern, die Betriebstemperatur reduzieren und so die Lebensdauer des Geräts verlängern.
4. Niedriger Expansionskoeffizient: Die Größenänderung ist gering, wenn sich die Temperatur ändert, wodurch das durch thermische Expansion und Kontraktion verursachte Materialsriss oder Leistungsrückgang verringert wird.
5. Gute chemische Stabilität: Säure- und Alkali -Korrosionsbeständigkeit kann in komplexer chemischer Umgebung stabil bleiben.
6. Weite Bandlückeneigenschaften: Mit hoher Breakdown -Elektrofeldstärke und Elektronensättigungsgeschwindigkeit, geeignet für die Herstellung von hohen Temperaturen, hohen Druck-, Hochfrequenz- und Hochleistungs -Halbleiter -Geräten.
7. Hohe Elektronenmobilität: Es ist förderlich, die Arbeitsgeschwindigkeit und Effizienz von Halbleitergeräten zu verbessern.
8. Umweltschutz: Relativ geringe Verschmutzung der Umwelt im Produktions- und Nutzungsprozess.
Halbleiterindustrie:
- Substratmaterial: Hochreines SiC-Pulver kann zur Herstellung von Siliziumkarbidsubstrat verwendet werden, mit dem Hochfrequenz-, Hochtemperatur-, Hochdruck-Leistungsgeräte und RF-Geräte hergestellt werden können.
Epitaxialwachstum: Im Semiconductor-Herstellungsprozess kann hochpuriges Silizium-Carbid-Pulver als Rohstoff für das epitaxiale Wachstum verwendet werden, das zum Anbau hochwertiger Siliziumkarbid-Epitaxialschichten am Substrat verwendet wird.
-Paketingmaterialien: Mit hoher Purity-Silizium-Carbid-Pulver kann zur Herstellung von Halbleiterverpackungsmaterialien verwendet werden, um die Leistung und Zuverlässigkeit des Pakets zu verbessern.
Photovoltaikindustrie:
Kristalline Siliziumzellen: Im Herstellungsprozess von kristallinen Siliziumzellen kann hoher Purity-Silizium-Carbidpulver als Diffusionsquelle für die Bildung von P-N-Übergängen verwendet werden.
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Siliziumkarbidpulverspezifikation | ||
Reinheit | g / cm3 | 99.9999 |
Dichte | 3.15-3.20 | 3.15-3.20 |
Elastizitätsmodul | GPA | 400-450 |
Härte | HV (0,3) kg/mm2 | 2300-2850 |
Partikelgröße | Netz | 200 ~ 25000 |
Frakturschärfe | MPA.M1/2 | 3.5-4.3 |
Elektrischer Widerstand | Ohm-cm | 100-107 |
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Veteksemicon offers high-purity silicon carbide (SiC) powder tailored for advanced semiconductor applications including single crystal growth, ceramic sintering, and high-performance coating formulations.
Our powders are synthesized through controlled processes to achieve exceptional purity levels (≥99.999%), low oxygen and metallic contamination, and narrow particle size distributions. This makes them ideal for use in CVD SiC growth, epitaxial layer support, high-density sintered parts, and thermal spray applications. The material is available in various grades—α-SiC and β-SiC—each selected based on crystallography, surface area, and flow characteristics.
Our powders are compatible with additive manufacturing, vacuum plasma spraying (VPS), and hot isostatic pressing (HIP), offering flexibility across R&D and production scales. From bulk lots for crucible production to micro-powders for fine-layer coatings, Veteksemicon ensures consistent batch quality, tight impurity control, and COA traceability.
To request a product spec sheet, MSDS, or discuss custom grading options, visit Veteksemicon’s High Purity SiC Powder page or get in touch with our technical sales team.
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