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Die Entwicklung von CVD-SiC von Dünnfilmbeschichtungen zu Massenmaterialien10 2026-04

Die Entwicklung von CVD-SiC von Dünnfilmbeschichtungen zu Massenmaterialien

Hochreine Materialien sind für die Halbleiterfertigung unerlässlich. Diese Prozesse sind mit extremer Hitze und ätzenden Chemikalien verbunden. CVD-SiC (Chemical Vapour Deposition Silicon Carbide) sorgt für die nötige Stabilität und Festigkeit. Aufgrund seiner hohen Reinheit und Dichte ist es heute die erste Wahl für fortschrittliche Ausrüstungsteile.
Der unsichtbare Engpass beim SiC-Wachstum: Warum 7N Bulk CVD SiC-Rohmaterial herkömmliches Pulver ersetzt07 2026-04

Der unsichtbare Engpass beim SiC-Wachstum: Warum 7N Bulk CVD SiC-Rohmaterial herkömmliches Pulver ersetzt

In der Welt der Siliziumkarbid-Halbleiter (SiC) stehen 8-Zoll-Epitaxiereaktoren oder die Feinheiten des Waferpolierens im Mittelpunkt der Aufmerksamkeit. Wenn wir die Lieferkette jedoch bis zum Anfang zurückverfolgen – im PVT-Ofen (Physical Vapour Transport) – findet still und leise eine grundlegende „Materialrevolution“ statt.
Piezoelektrische PZT-Wafer: Hochleistungslösungen für MEMS der nächsten Generation20 2026-03

Piezoelektrische PZT-Wafer: Hochleistungslösungen für MEMS der nächsten Generation

Im Zeitalter der rasanten MEMS-Entwicklung (Mikroelektromechanische Systeme) ist die Auswahl des richtigen piezoelektrischen Materials eine entscheidende Entscheidung für die Geräteleistung. PZT-Dünnschichtwafer (Blei-Zirkonat-Titanat) haben sich gegenüber Alternativen wie AlN (Aluminiumnitrid) als erste Wahl herausgestellt und bieten eine überlegene elektromechanische Kopplung für modernste Sensoren und Aktoren.
Hochreine Suszeptoren: Der Schlüssel zur Ausbeute an maßgeschneiderten Halbleiterwafern im Jahr 202614 2026-03

Hochreine Suszeptoren: Der Schlüssel zur Ausbeute an maßgeschneiderten Halbleiterwafern im Jahr 2026

Während sich die Halbleiterfertigung weiter in Richtung fortschrittlicher Prozessknoten, höherer Integration und komplexerer Architekturen weiterentwickelt, verändern sich die entscheidenden Faktoren für die Waferausbeute subtil. Bei der kundenspezifischen Herstellung von Halbleiterwafern liegt der Durchbruch bei der Ausbeute nicht mehr nur in Kernprozessen wie Lithographie oder Ätzen; Hochreine Suszeptoren werden zunehmend zur zugrunde liegenden Variablen, die die Prozessstabilität und -konsistenz beeinflussen.
SiC- vs. TaC-Beschichtung: Die ultimative Abschirmung für Graphit-Suszeptoren in der Hochtemperatur-Halbleiterverarbeitung05 2026-03

SiC- vs. TaC-Beschichtung: Die ultimative Abschirmung für Graphit-Suszeptoren in der Hochtemperatur-Halbleiterverarbeitung

In der Welt der Wide-Bandgap-Halbleiter (WBG) ist der fortschrittliche Herstellungsprozess die „Seele“, der Graphit-Suszeptor das „Rückgrat“ und seine Oberflächenbeschichtung die entscheidende „Haut“.
Der entscheidende Wert der chemisch-mechanischen Planarisierung (CMP) in der Halbleiterfertigung der dritten Generation06 2026-02

Der entscheidende Wert der chemisch-mechanischen Planarisierung (CMP) in der Halbleiterfertigung der dritten Generation

In der hochriskanten Welt der Leistungselektronik stehen Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) an der Spitze einer Revolution – von Elektrofahrzeugen (EVs) bis hin zur Infrastruktur für erneuerbare Energien. Allerdings stellen die legendäre Härte und chemische Inertheit dieser Materialien einen erheblichen Produktionsengpass dar.
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