Branchennachrichten

Unter den verfügbaren Technologien hat sich der SiC-Kristallwachstumsofen mit großer Widerstandsheizung als entscheidende Lösung für die Herstellung von SiC-Kristallen mit großem Durchmesser und geringer Defektzahl und verbesserter Konsistenz und Effizienz herausgestellt. In diesem Artikel wird untersucht, wie diese Technologie funktioniert, welche Vorteile sie bietet, welche Anwendungen sie bietet und warum Branchenführer den innovativen Lösungen von Veteksemi vertrauen.

Ein SiC-beschichteter Graphitsuszeptor für ASM ist nicht nur ein Ersatzteil innerhalb eines Epitaxiesystems. Es handelt sich um einen prozesskritischen Träger, der die thermische Gleichmäßigkeit, die Sauberkeit der Wafer, die Haltbarkeit der Beschichtung, die Kammerstabilität und die langfristigen Produktionskosten beeinflusst.

Eine CVD-TaC-Beschichtungsabdeckung ist nicht nur ein Schutzdeckel oder eine beschichtete Graphitkomponente. Bei Hochtemperatur-Halbleiterprozessen kann es die Sauberkeit der Kammer, die thermische Stabilität, die Teilelebensdauer und die Prozesskonsistenz beeinflussen.