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Während das 8-Zoll-Siliziumkarbid (SiC)-Verfahren ausgereift ist, beschleunigen die Hersteller die Umstellung von 6 Zoll auf 8 Zoll. Kürzlich haben ON Semiconductor und Resonac Updates zur 8-Zoll-SiC-Produktion angekündigt.

In diesem Artikel werden die neuesten Entwicklungen im neu gestalteten PE1O8 Hot-Wall CVD-Reaktor des italienischen Unternehmens LPE und der Fähigkeit zur Durchführung einer einheitlichen 4H-Sic-Epitaxie auf 200-mm-SIC eingeführt.

Angesichts der wachsenden Nachfrage nach SIC -Materialien in Kraftelektronik, Optoelektronik und anderen Bereichen wird die Entwicklung der SIC -Einzelkristallwachstumstechnologie zu einem wichtigen Bereich der wissenschaftlichen und technologischen Innovation. Als Kern von SIC-Einzelkristallwachstumsgeräten wird das thermische Felddesign weiterhin umfangreiche Aufmerksamkeit und eingehende Forschung erhalten.

Durch kontinuierliche technologische Fortschritt und eingehende Mechanismusforschung wird erwartet, dass die 3C-Sic-Heteroepitaxial-Technologie in der Halbleiterindustrie eine wichtigere Rolle spielt und die Entwicklung hochwirksamer elektronischer Geräte fördert.

Spatial ALD, räumlich isolierte Atomlagenabscheidung. Der Wafer bewegt sich zwischen verschiedenen Positionen und wird an jeder Position unterschiedlichen Vorläufern ausgesetzt. Die folgende Abbildung zeigt einen Vergleich zwischen traditioneller ALD und räumlich isolierter ALD.

In jüngster Zeit hat das Deutsche Forschungsinstitut Fraunhofer IISB einen Durchbruch in der Forschung und Entwicklung der Tantal -Carbid -Beschichtungstechnologie erzielt und eine Sprühbeschichtungslösung entwickelt, die flexibler und umweltfreundlicher ist als die CVD -Abscheidungslösung und wurde kommerzialisiert.