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8-Zoll-SIC-Epitaxialofen und Homoepitaxialprozessforschung29 2024-08

8-Zoll-SIC-Epitaxialofen und Homoepitaxialprozessforschung

8-Zoll-SIC-Epitaxialofen und Homoepitaxialprozessforschung
Halbleitersubstratwafer: Materialeigenschaften von Silizium, GaAs, SiC und GaN28 2024-08

Halbleitersubstratwafer: Materialeigenschaften von Silizium, GaAs, SiC und GaN

Der Artikel analysiert die Materialeigenschaften von Halbleitersubstratwafern wie Silizium, GaAs, SiC und GaN
Gan-basierte Niedertemperatur-Epitaxie-Technologie27 2024-08

Gan-basierte Niedertemperatur-Epitaxie-Technologie

Dieser Artikel beschreibt hauptsächlich die GaN-basierte Niedertemperatur-Epitaxial-Technologie, einschließlich der Kristallstruktur von GaN-basierten Materialien, 3. Epitaxiale Technologieanforderungen und -Lentationslösungen, die Vorteile der auf PVD-Prinzipien basierenden epitaxialen Technologie mit niedriger Temperaturen.
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