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Ein einzelne Kristallmaterial allein können die Bedürfnisse der zunehmenden Produktion verschiedener Halbleitergeräte nicht erfüllen. Ende 1959 wurde eine dünne Schicht der Einkristallmaterial -Wachstumstechnologie entwickelt - epitaxielles Wachstum.

Siliziumcarbid ist eines der idealen Materialien, um Hochtemperatur-, Hochleistungs-, Hochleistungs- und Hochspannungsgeräte herzustellen. Um die Produktionseffizienz zu verbessern und die Kosten zu senken, ist die Vorbereitung großer Siliziumkarbidsubstrate eine wichtige Entwicklungsrichtung.

Laut ausländischen Nachrichten gaben zwei Quellen am 24. Juni bekannt, dass ByteDance mit dem US-amerikanischen Chipdesign-Unternehmen Broadcom zusammenarbeitet, um einen fortschrittlichen Computerprozessor mit künstlicher Intelligenz (KI) zu entwickeln, der ByteDance dabei helfen wird, angesichts der Spannungen zwischen China eine ausreichende Versorgung mit High-End-Chips sicherzustellen und die Vereinigten Staaten.