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In diesem Artikel werden die neuesten Entwicklungen im neu gestalteten PE1O8 Hot-Wall CVD-Reaktor des italienischen Unternehmens LPE und der Fähigkeit zur Durchführung einer einheitlichen 4H-Sic-Epitaxie auf 200-mm-SIC eingeführt.

Angesichts der wachsenden Nachfrage nach SIC -Materialien in Kraftelektronik, Optoelektronik und anderen Bereichen wird die Entwicklung der SIC -Einzelkristallwachstumstechnologie zu einem wichtigen Bereich der wissenschaftlichen und technologischen Innovation. Als Kern von SIC-Einzelkristallwachstumsgeräten wird das thermische Felddesign weiterhin umfangreiche Aufmerksamkeit und eingehende Forschung erhalten.

Durch kontinuierliche technologische Fortschritt und eingehende Mechanismusforschung wird erwartet, dass die 3C-Sic-Heteroepitaxial-Technologie in der Halbleiterindustrie eine wichtigere Rolle spielt und die Entwicklung hochwirksamer elektronischer Geräte fördert.