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Durch kontinuierliche technologische Fortschritt und eingehende Mechanismusforschung wird erwartet, dass die 3C-Sic-Heteroepitaxial-Technologie in der Halbleiterindustrie eine wichtigere Rolle spielt und die Entwicklung hochwirksamer elektronischer Geräte fördert.

Spatial ALD, räumlich isolierte Atomlagenabscheidung. Der Wafer bewegt sich zwischen verschiedenen Positionen und wird an jeder Position unterschiedlichen Vorläufern ausgesetzt. Die folgende Abbildung zeigt einen Vergleich zwischen traditioneller ALD und räumlich isolierter ALD.

In jüngster Zeit hat das Deutsche Forschungsinstitut Fraunhofer IISB einen Durchbruch in der Forschung und Entwicklung der Tantal -Carbid -Beschichtungstechnologie erzielt und eine Sprühbeschichtungslösung entwickelt, die flexibler und umweltfreundlicher ist als die CVD -Abscheidungslösung und wurde kommerzialisiert.