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Ein SiC-beschichteter Graphitsuszeptor für ASM ist nicht nur ein Ersatzteil innerhalb eines Epitaxiesystems. Es handelt sich um einen prozesskritischen Träger, der die thermische Gleichmäßigkeit, die Sauberkeit der Wafer, die Haltbarkeit der Beschichtung, die Kammerstabilität und die langfristigen Produktionskosten beeinflusst.

Eine CVD-TaC-Beschichtungsabdeckung ist nicht nur ein Schutzdeckel oder eine beschichtete Graphitkomponente. Bei Hochtemperatur-Halbleiterprozessen kann es die Sauberkeit der Kammer, die thermische Stabilität, die Teilelebensdauer und die Prozesskonsistenz beeinflussen.

Bei der PECVD-Produktion beginnen viele Beschichtungs- und Abscheidungsprobleme nicht mit der Plasmaleistung oder der Gaschemie. Sie beginnen mit dem Träger, der die Wafer hält.