In der Welt der Wide-Bandgap-Halbleiter (WBG) ist der fortschrittliche Herstellungsprozess die „Seele“, der Graphit-Suszeptor das „Rückgrat“ und seine Oberflächenbeschichtung die entscheidende „Haut“.
In der hochriskanten Welt der Leistungselektronik stehen Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) an der Spitze einer Revolution – von Elektrofahrzeugen (EVs) bis hin zur Infrastruktur für erneuerbare Energien. Allerdings stellen die legendäre Härte und chemische Inertheit dieser Materialien einen erheblichen Produktionsengpass dar.
In der Halbleiterfertigung ist der Prozess der chemisch-mechanischen Planarisierung (CMP) der Kernschritt für die Planarisierung der Waferoberfläche und bestimmt direkt den Erfolg oder Misserfolg nachfolgender Lithographieschritte. Als entscheidendes Verbrauchsmaterial bei CMP ist die Leistung der Polierschlämme der entscheidende Faktor für die Kontrolle der Abtragsrate (RR), die Minimierung von Defekten und die Steigerung der Gesamtausbeute.
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