Branchennachrichten

Die vier leistungsstärksten Graphithersteller der Welt: SGL, Toyo Tanso, Tokai Carbon, Mersen und ihre entsprechenden typischen Graphit- und Anwendungsbereiche.

Der Artikel beschreibt die hervorragenden physikalischen Eigenschaften des Kohlenstofffilms, die spezifischen Gründe für die Auswahl der SIC -Beschichtung sowie die Methode und das Prinzip der SIC -Beschichtung auf Kohlenstofffilmen. Es analysiert auch die Verwendung des D8-Advance-Röntgen-Diffraktometers (XRD) spezifisch, um die Phasenzusammensetzung des Kohlenstofffilms mit SIC-Beschichtung zu analysieren.

Die Hauptmethoden zum Anbau von sic -einzelnen Kristallen sind: Physikalischer Dampftransport (PVT), chemische Dampfabscheidung mit hoher Temperatur (HTCVD) und Hochtemperaturlösungwachstum (HTSG).

Mit der Entwicklung der Solarphotovoltaikindustrie sind Diffusionsöfen und LPCVD -Öfen die Hauptausrüstung für die Herstellung von Solarzellen, die die effiziente Leistung von Solarzellen direkt beeinflussen. Basierend auf den umfassenden Produktleistungs- und Nutzungskosten haben Siliziumcarbid -Keramikmaterialien auf dem Gebiet der Solarzellen mehr Vorteile als Quarzmaterial. Die Anwendung von Silizium -Carbid -Keramikmaterialien in der Photovoltaikindustrie kann Photovoltaikunternehmen erheblich helfen, die Kosten für die Hilfsmaterialinvestition zu senken, die Produktqualität und Wettbewerbsfähigkeit zu verbessern. Der zukünftige Trend von Siliziumcarbid-Keramikmaterialien im Photovoltaikfeld richtet sich hauptsächlich zu höherer Reinheit, stärkerer Tragfähigkeit, höherer Belastungskapazität und niedrigeren Kosten.

Der Artikel analysiert die spezifischen Herausforderungen des CVD -TAC -Beschichtungsprozesses für SIC -Einzelkristallwachstum während der Halbleiterverarbeitung, wie z. sowie die entsprechenden Branchenlösungen.

Aus der Anwendungsperspektive des SIC -Einzelkristallwachstums vergleicht dieser Artikel die grundlegenden physikalischen Parameter der TAC -Beschichtung und der SIC -Beschichtung und erklärt die grundlegenden Vorteile der TAC -Beschichtung gegenüber der SIC -Beschichtung in Bezug auf Hochtemperaturresistenz, starke chemische Stabilität, reduzierte Verunreinigungen und reduzierte Verunreinigungen und niedrigere Kosten.

Es gibt viele Arten von Messgeräten in der fabelhaften Fabrik. Zu den allgemeinen Geräten gehören Lithographie -Prozessmessgeräte, Radierungsprozess -Messgeräte, Dünnfilmabscheidungsprozess -Messgeräte, Dotierungsverfahrensmessgeräte, CMP -Prozessmessgeräte, Waferpartikelerkennungsgeräte und andere Messgeräte.

Die Tantal -Carbid -Beschichtung (TAC) kann die Lebensdauer von Graphitteilen erheblich verlängern, indem die Hochtemperaturwiderstand, die Korrosionsbeständigkeit, die mechanischen Eigenschaften und die thermischen Managementfähigkeiten verbessert werden. Seine hohen Reinheitseigenschaften verringern Verunreinigungsverschmutzung, verbessern die Qualität der Kristallwachstum und verbessern die Energieeffizienz. Es eignet sich für die Herstellung von Halbleitern und für Kristallwachstumsanwendungen in hochtemperativen, stark korrosiven Umgebungen.

Tantalum-Carbid (TAC) Beschichtungen werden im Halbleiterfeld weit verbreitet, hauptsächlich für epitaxiale Wachstumsreaktorkomponenten, einzelne Kristallwachstumskomponenten, Hochtemperatur-industrielle Komponenten, MOCVD-Systemheizungen und Waferträger.

Während des SIC -epitaxialen Wachstumsprozesses kann ein SIC -beschichtetes Graphitsuspensionsfehler auftreten. Diese Arbeit führt eine strenge Analyse des Versagensphänoms der sic -beschichteten Graphitsuspension durch, die hauptsächlich zwei Faktoren umfasst: sic epitaxiale Gasversagen und SIC -Beschichtungsversagen.

In diesem Artikel werden hauptsächlich die jeweiligen Prozessvorteile und Unterschiede des Epitaxieprozesses des molekularen Strahls und der metallorganischen chemischen Dampfabscheidungstechnologien erörtert.

Das poröse Tantalcarbid von VeTek Semiconductor verfügt als SiC-Kristallwachstumsmaterial der neuen Generation über viele hervorragende Produkteigenschaften und spielt eine Schlüsselrolle in einer Vielzahl von Halbleiterverarbeitungstechnologien.

Das Funktionsprinzip des Epitaxieofens besteht darin, Halbleitermaterialien unter hoher Temperatur und hohem Druck auf einem Substrat abzuscheiden. Beim Silizium-Epitaxiewachstum wird eine Kristallschicht mit der gleichen Kristallorientierung wie das Substrat und unterschiedlicher Dicke auf einem Silizium-Einkristallsubstrat mit einer bestimmten Kristallorientierung wachsen gelassen. In diesem Artikel werden hauptsächlich die epitaktischen Wachstumsmethoden für Silizium vorgestellt: Dampfphasenepitaxie und Flüssigphasenepitaxie.

Die chemische Dampfabscheidung (CVD) in der Semiconductor -Herstellung wird verwendet, um Dünnfilmmaterialien in der Kammer, einschließlich SiO2, Sünde usw. Durch die Einstellung der Temperatur, des Druck- und Reaktionsgasstyps erreicht CVD eine hohe Reinheit, Gleichmäßigkeit und gute Filmabdeckung, um unterschiedliche Prozessanforderungen zu erfüllen.

Dieser Artikel beschreibt hauptsächlich die umfassenden Anwendungsaussichten für Siliziumkarbidkeramik. Es konzentriert sich auch auf die Analyse der Ursachen von Sinterrissen in Siliziumkarbidkeramik und entsprechenden Lösungen.