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SiC- vs. TaC-Beschichtung: Die ultimative Abschirmung für Graphit-Suszeptoren in der Hochtemperatur-Halbleiterverarbeitung05 2026-03

SiC- vs. TaC-Beschichtung: Die ultimative Abschirmung für Graphit-Suszeptoren in der Hochtemperatur-Halbleiterverarbeitung

In der Welt der Wide-Bandgap-Halbleiter (WBG) ist der fortschrittliche Herstellungsprozess die „Seele“, der Graphit-Suszeptor das „Rückgrat“ und seine Oberflächenbeschichtung die entscheidende „Haut“.
Der entscheidende Wert der chemisch-mechanischen Planarisierung (CMP) in der Halbleiterfertigung der dritten Generation06 2026-02

Der entscheidende Wert der chemisch-mechanischen Planarisierung (CMP) in der Halbleiterfertigung der dritten Generation

In der hochriskanten Welt der Leistungselektronik stehen Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) an der Spitze einer Revolution – von Elektrofahrzeugen (EVs) bis hin zur Infrastruktur für erneuerbare Energien. Allerdings stellen die legendäre Härte und chemische Inertheit dieser Materialien einen erheblichen Produktionsengpass dar.
Der Schlüssel zur Effizienz und Kostenoptimierung: Eine Analyse der Stabilitätskontrolle und Auswahlstrategien für CMP-Schlamm30 2026-01

Der Schlüssel zur Effizienz und Kostenoptimierung: Eine Analyse der Stabilitätskontrolle und Auswahlstrategien für CMP-Schlamm

In der Halbleiterfertigung ist der Prozess der chemisch-mechanischen Planarisierung (CMP) der Kernschritt für die Planarisierung der Waferoberfläche und bestimmt direkt den Erfolg oder Misserfolg nachfolgender Lithographieschritte. Als entscheidendes Verbrauchsmaterial bei CMP ist die Leistung der Polierschlämme der entscheidende Faktor für die Kontrolle der Abtragsrate (RR), die Minimierung von Defekten und die Steigerung der Gesamtausbeute.
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