Hochreine Materialien sind für die Halbleiterfertigung unerlässlich. Diese Prozesse sind mit extremer Hitze und ätzenden Chemikalien verbunden. CVD-SiC (Chemical Vapour Deposition Silicon Carbide) sorgt für die nötige Stabilität und Festigkeit. Aufgrund seiner hohen Reinheit und Dichte ist es heute die erste Wahl für fortschrittliche Ausrüstungsteile.
In der Welt der Siliziumkarbid-Halbleiter (SiC) stehen 8-Zoll-Epitaxiereaktoren oder die Feinheiten des Waferpolierens im Mittelpunkt der Aufmerksamkeit. Wenn wir die Lieferkette jedoch bis zum Anfang zurückverfolgen – im PVT-Ofen (Physical Vapour Transport) – findet still und leise eine grundlegende „Materialrevolution“ statt.
Im Zeitalter der rasanten MEMS-Entwicklung (Mikroelektromechanische Systeme) ist die Auswahl des richtigen piezoelektrischen Materials eine entscheidende Entscheidung für die Geräteleistung. PZT-Dünnschichtwafer (Blei-Zirkonat-Titanat) haben sich gegenüber Alternativen wie AlN (Aluminiumnitrid) als erste Wahl herausgestellt und bieten eine überlegene elektromechanische Kopplung für modernste Sensoren und Aktoren.
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