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Poröse Graphit mit hoher Reinheit

Poröse Graphit mit hoher Reinheit

Poröser Graphit mit hoher Reinheit, die von Vetek Semiconductor bereitgestellt wird, ist ein fortschrittliches Semiconductor -Verarbeitungsmaterial. Es besteht aus hohem Kohlenstoffmaterial mit hervorragender thermischer Leitfähigkeit, guter chemischer Stabilität und ausgezeichneter mechanischer Stärke. Dieser poröse Graphit mit hoher Reinheit spielt eine wichtige Rolle im Wachstumsprozess von Einkristall -SIC. Vetek Semiconductor setzt sich dafür ein, Qualitätsprodukte zu Wettbewerbspreisen bereitzustellen, und freut sich darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

Hochwertiger Vetek Semiconductor High Purity Porous Graphit wird vom chinesischen Hersteller Vetek Semiconductor angeboten. Kaufen Sie Vetek Semiconductor High Purity Porous Graphit, der direkt mit niedrigem Preis von hoher Qualität ist.

Vetek Semiconductor High Purity Porous Graphit ist ein Meisterwerk von hitzebeständigen Materialien, die den extremen Temperaturen in Halbleiteröfen standhalten können. Die überlegene Haltbarkeit und Langlebigkeit bedeutet weniger Ersatz und weniger Ausfallzeiten, was zu erheblichen Kosteneinsparungen im Laufe der Zeit führt.

Wir erstellen poröse Graphit mit hoher Reinheit aus den Kohlenstoffquellen von höchster Qualität, um minimale Verunreinigungen und ein minimales Verschmutzungsrisiko zu gewährleisten. Diese hohe Reinheit bedeutet höhere Erträge und eine überlegene Leistung der Halbleitervorrichtung.

Wählen Sie Porous Graphit mit hoher Reinheit, wo seine außergewöhnliche thermische Stabilität eine konsistente Leistung gewährleistet, was sie ideal für die kritische Halbleiterverarbeitung ist.

Aktualisieren Sie noch heute Ihre Semiconductor -Herstellung, um poröse Graphit mit hoher Reinheit zu verwenden - ein Material, das die Art und Weise verändert, wie wir die Technologie von morgen herstellen. Kontaktieren Sie uns noch heute, um Ihre spezifischen Bedürfnisse zu besprechen und eine Innovationsreise in der Herstellung von Halbleiter zu befreit. Lassen Sie uns zusammenarbeiten, um eine überlegene Semiconductor Manufacturing Future zu schaffen!


Produktparameter des porösen Graphits mit hoher Reinheit:

Typische physikalische Eigenschaften von poröser Graphit
ltems Parameter
Schüttdichte 0,89 g/cc
Druckfestigkeit 8,27 MPa
Biegekraft 8,27 MPa
Zugfestigkeit 1,72 MPa
Spezifischer Widerstand 130 Ω-inx10-5
Porosität 50%
Durchschnittliche Porengröße 70um
Wärmeleitfähigkeit 12W/m*k


Vergleichen Sie den Semiconductor Production Shop:

VeTek Semiconductor Production Shop


Überblick über die Semiconductor Chip Epitaxy Industry -Kette:

Overview of the semiconductor chip epitaxy industry chain


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