Führungsring aus porösem Graphit

Kernproduktvorteile

1. Garantie für extrem hohe Reinheit und geringe Fehler

Verwendet einen Vakuum-Hochtemperatur-Reinigungsprozess bei 3000 °C, um nichtmetallische Verunreinigungen wie Sauerstoff und Stickstoff gründlich zu entfernen und die Produktreinheit auf ≥99,9995 % zu erhöhen. Es beseitigt verunreinigungsbedingte Kristalldefekte (z. B. Mikrotubuli, Versetzungen) von der Quelle, stellt die Konsistenz und Stabilität der elektrischen Eigenschaften von SiC-Einkristallen sicher und schafft eine solide Grundlage für ein qualitativ hochwertiges Kristallwachstum.

2. Ultrahohe Temperaturstabilität und präzise Wärmefeldregulierung

Hält extrem hohen Temperaturen von 2200 °C in einer Argon- oder Vakuumumgebung stand und arbeitet kontinuierlich und stabil über 1000 Stunden ohne Erweichung oder Verformung. Das Produkt verfügt über einen niedrigen Wärmeausdehnungskoeffizienten, wodurch Materialrisse durch thermische Spannung wirksam vermieden werden können. Es unterstützt das Gradientenverteilungsdesign der Porosität (15–30 %) und optimiert die Porengröße (10–200 μm) in Kombination mit der CFD-Simulationstechnologie (Computational Fluid Dynamics), wodurch die Temperaturgradientenschwankung innerhalb von ±3 °C gesteuert und die Gleichmäßigkeit des Wärmefelds und die Konsistenz des Kristallwachstums erheblich verbessert werden.

3. Individuelle Anpassung und Zufriedenheit mit dem gesamten Szenario

• Geometrische Formanpassung: Kann komplexe Formen wie ringförmige Fässer und mehrschichtige Schildstrukturen entsprechend den Ofenstrukturen des Kunden präzise verarbeiten, um eine perfekte Anpassung und Installation zu erreichen.
• Anpassung von Oberflächenprozessen: Bietet personalisierte Oberflächenbehandlungsdienste wie Hochpräzisionspolieren und Spezialbeschichtungen, wodurch die Korrosionsbeständigkeit und Lebensdauer des Produkts erheblich verbessert werden.

4. Leistungsüberprüft und Effizienz verbessert

• Beim Einsatz als zentrale Wärmefeldkomponente im PVT-SiC-Kristallisationsprozess wurde es in praktischen Szenarien verifiziert:
• Die Kristallwachstumsrate ist im Vergleich zu herkömmlichen Graphitprodukten um 15–20 % erhöht, was den Produktionszyklus erheblich verkürzt.
• Die Ausbeute an 4-Zoll-SiC-Einkristallwafern liegt bei über 90 %, wodurch die Produktionskosten effektiv gesenkt werden.
• Der Wartungszyklus der Anlagen wird von den herkömmlichen 3 Monaten auf 6 Monate verlängert, wodurch die Häufigkeit von Stillstandswartungen reduziert und die Produktionseffizienz verbessert wird.
  
  

Anwendungsszenarien

• PVT-Wachstumsofenbaugruppe: Dient als Kernkomponente für die Sublimation und das Kristallwachstum von SiC-Material und sorgt für eine stabile und gleichmäßige Wärmefeldverteilung, um den reibungslosen Ablauf des Kristallisationsprozesses sicherzustellen.
• Wärmefeldabschirmungskomponente: Die einzigartige poröse Struktur kann thermische Spannungen effektiv abfedern, den Geräteverschleiß reduzieren und die Gesamtlebensdauer der Geräte verlängern.
• Zubehör zur Impfkristallunterstützung: Verfügt über eine hohe mechanische Festigkeit, um Impfkristalle stabil zu stützen und die Präzision des gerichteten Kristallwachstums sicherzustellen.
• Gasdiffusionsschicht: Optimiert die Effizienz des Gasphasentransfers, fördert die gleichmäßige Sublimation und Abscheidung von Rohmaterialien und verbessert die Qualität und Wachstumsrate von Einkristallen weiter.

Technische Parameter

Wichtigste Wettbewerbshighlights

• Extreme Hochtemperaturleistung: Behält die strukturelle Stabilität bei 2200 °C ohne Erweichung oder Verformung bei und unterstützt einen kontinuierlichen Betrieb über 1000 Stunden, um extreme Prozessanforderungen zu erfüllen.
• Maßgeschneiderte Wärmefeldlösung: Stützt sich auf CFD-Simulationstechnologie zur Optimierung des Porengradientendesigns, zur genauen Anpassung an die Prozessanforderungen der Kunden und zur Verbesserung der Kristallgleichmäßigkeit und Produktausbeute.
• Rapid Response Service: Bietet Testdienste für den Prozessparameterabgleich und liefert innerhalb von 72 Stunden Prototypenlösungen, um Kunden dabei zu helfen, F&E- und Produktionsprozesse zu beschleunigen.