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Poröser Graphit
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Poröser Graphit

Porous Graphit spielt als Kernverbrauchsteuer im Halbleiterherstellungsprozess eine unersetzliche Rolle bei mehreren Links wie Kristallwachstum, Doping und Tempern. Als professioneller Hersteller von poröser Graphit setzt sich Vetek Semiconductor dafür ein, qualitativ hochwertige poröse Graphitprodukte zu wettbewerbsfähigen Preisen bereitzustellen. Begrüßen Sie Ihre weitere Anfrage.

Auf dem chinesischen Markt für Silizium -Carbid -beschichtete Graphitentabletts ist die poröse Graphitkomponente von VETEK im Halbleiter -Herstellungsprozess ein wesentlicher Verbrauchsmaterial, und seine Leistung wirkt sich direkt auf die Qualität und Zuverlässigkeit von Halbleitergeräten aus. Es ist ein unverzichtbares Produkt im Semiconductor -Herstellungsprozess. Willkommen zu Ihrer weiteren Beratung.


Es Halbleiter Poröse GraphitenteileSpielen Sie eine unersetzliche Rolle in der Halbleiterverarbeitung, wie folgt:


● Hochtemperatur-Schmelzbehälter: Mit dem hohen Schmelzpunkt poröser Graphit können es dem Hochtemperatur-Schmelzprozess von Halbleitermaterialien standhalten, während die poröse Struktur die Erzeugung von Blasen wirksam hemmt und die hohe Reinheit der Schmelze gewährleistet.


● Atmosphäreschutzträger: Poröse Graphit kann eine relativ stabile Inertatmosphäre liefern, den Kontakt zwischen der Schmelze und der äußeren Umgebung verringern und Oxidation und Kontamination vermeiden.


● Wärmeübertragungsmedium: Die ausgezeichnete thermische Leitfähigkeit von poröser Graphit sorgt für eine gleichmäßige Verteilung der Schmelztemperatur und ist dem gleichmäßigen Wachstum von Kristallen förderlich.


● Unterstützung und Fixierung: Graphit Crucible unterstützt die Schmelze eine stabile Unterstützung, um ihre Verformung zu verhindern.


● Gasdiffusionskanal: Die Struktur des porösen Graphits liefert einen Diffusionskanal für das in der Schmelze erzeugte Gas, wodurch der Gasdruck reduziert und Kristalldefekte vermieden werden.


Noch wichtiger ist, dass Vetek Semiconductor eine absolute marktführende Position auf dem chinesischen Markt für sic -beschichtete Graphit -Anfälligkeiten und den TAC -beschichteten Graphit Crucible -Markt hat.Als professioneller Hersteller vonporösGraphit Crucible, Poröser GraphitUndTAC -Beschichtungsplatte iN China, Vetek Semiconductor, besteht immer auf der Bereitstellung maßgeschneiderter Produktdienstleistungen und setzt sich dafür ein, der Branche Top -Technologie- und Produktlösungen zur Verfügung zu stellen. Wir freuen uns auf Ihre Beratung aufrichtig.


Poröser Graphitphysische Eigenschaften:

Typische physikalische Eigenschaften von poröser Graphit
Ltem
Parameter
Schüttdichte
0,89 g/cm2
Druckfestigkeit
8,27 MPa
Biegekraft
8,27 MPa
Zugfestigkeit
1,72 MPa
Spezifischer Widerstand
130 Ω-inx10-5
Graphitporosität
50%
Durchschnittliche Porengröße
70um
Wärmeleitfähigkeit
12W/m*k

Vetek Semiconductor Porous Graphit Products Shops:

VeTek Semiconductor Porous Graphite production shops


Überblick über die Halbleiter -Chip -Epitaxie -Industriekette

the semiconductor chip epitaxy industry chain

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