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Die poröse SIC -Keramikplatte ist eines der Kernmaterialien im Bereich der Semiconductor -Herstellung. Mit seiner einzigartigen Struktur und hervorragenden physikalischen Eigenschaften ist eine poröse Sic -Keramikscheibe zu einer unersetzlichen Schlüsselkomponente in hohen Temperaturen und korrosiven Umgebungen geworden. In diesem Artikel werden wir seine physikalischen Eigenschaften, Anwendungsszenarien und Auswahlvorteile tiefgreifend analysieren.

Das Quarzboot ist eine wichtige tragende Komponente, die im Semiconductor-Herstellungsprozess verwendet wird. Es wird hauptsächlich zur Hochtemperaturverarbeitung von Wafern wie Diffusion, Oxidation und Tempern verwendet. Seine hervorragende thermische Stabilität, niedrige Verschmutzungseigenschaften und Korrosionsbeständigkeit machen es zu einem unverzichtbaren Material in der Halbleiterindustrie. Dieser Artikel wird auf Materialien, physikalische Eigenschaften, Klassifizierung, Anwendungsszenarien des Quarzboots und seine Unterschiede zum Pecvd -Graphitboot erläutert.

Das Kernmaterial von PECVD-Graphitboot ist ein hochreines isotropes Graphitmaterial (die Reinheit beträgt normalerweise ≥ 99,999%), was eine hervorragende elektrische Leitfähigkeit, Wärmeleitfähigkeit und Dichte aufweist. Im Vergleich zu gewöhnlichen Graphitbooten haben PECVD -Graphitboote viele Vorteile für physikalische und chemische Eigenschaften und werden hauptsächlich in der Halbleiter- und Photovoltaikindustrie verwendet, insbesondere in PECVD- und CVD -Prozessen.

MOCVD -Graphit -Tabletts spielen eine wichtige Rolle im epitaxialen Prozess. In diesem Artikel werden aus der Perspektive der Materialeigenschaften und Anwendungsszenarien eine detaillierte Analyse zur Auswahl von MOCVD -Graphitentabletts durchgeführt.