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Der CMP-Polierschlamm (Chemical Mechanical Planarization) für Siliziumwafer ist eine entscheidende Komponente im Halbleiterherstellungsprozess. Es spielt eine entscheidende Rolle dabei, sicherzustellen, dass Siliziumwafer – die zur Herstellung integrierter Schaltkreise (ICs) und Mikrochips verwendet werden – genau auf die Glätte poliert werden, die für die nächsten Produktionsschritte erforderlich ist

In der Halbleiterfertigung spielt die chemisch-mechanische Planarisierung (CMP) eine entscheidende Rolle. Der CMP-Prozess kombiniert chemische und mechanische Vorgänge, um die Oberfläche von Siliziumwafern zu glätten und eine gleichmäßige Grundlage für nachfolgende Schritte wie Dünnschichtabscheidung und Ätzen zu schaffen. CMP-Polierschlamm als Kernbestandteil dieses Prozesses hat erheblichen Einfluss auf die Poliereffizienz, die Oberflächenqualität und die Endleistung des Produkts

Wafer-CMP-Polierschlamm ist ein speziell formuliertes flüssiges Material, das im CMP-Prozess der Halbleiterherstellung verwendet wird. Es besteht aus Wasser, chemischen Ätzmitteln, Schleifmitteln und Tensiden und ermöglicht sowohl chemisches Ätzen als auch mechanisches Polieren.

Siliziumkarbid-Schleifmittel werden typischerweise aus Quarz und Petrolkoks als Primärrohstoffen hergestellt. In der Vorbereitungsphase werden diese Materialien einer mechanischen Bearbeitung unterzogen, um die gewünschte Partikelgröße zu erreichen, bevor sie der Ofenbeschickung chemisch zudosiert werden.

In den letzten Jahren rückte nach und nach eine scheinbar „alte Technologie“ – CMP (Chemical Mechanical Polishing) – in den Mittelpunkt der Verpackungstechnik. Wenn Hybrid Bonding zur führenden Rolle der neuen Generation fortschrittlicher Verpackungen wird, rückt CMP allmählich aus dem Hintergrund ins Rampenlicht.

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