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Siliziumcarbid (SIC) -Kristallwachstumsöfen spielen eine wichtige Rolle bei der Herstellung von Hochleistungs-SIC-Wafern für Halbleitergeräte der nächsten Generation. Der Prozess des Anbaus von hochwertigen SIC-Kristallen stellt jedoch erhebliche Herausforderungen auf. Von der Behandlung extremer thermischer Gradienten bis hin zur Reduzierung von Kristallfehlern, der Gewährleistung eines einheitlichen Wachstums und zur Kontrolle der Produktionskosten erfordert jeder Schritt fortschrittliche technische Lösungen. Dieser Artikel wird die technischen Herausforderungen von SIC -Kristallwachstumsöfen aus mehreren Perspektiven analysieren.

Smart Cut ist ein fortschrittlicher Semiconductor-Herstellungsprozess, der auf Ionen-Implantation und Herrenstreifen basiert, speziell für die Herstellung von ultra-dünn- und hoch einheitlichen 3C-SIC-Wafern (Kubik-Silizium-Carbid). Es kann ultradünne Kristallmaterialien von einem Substrat auf ein anderes übertragen, wodurch die ursprünglichen physikalischen Einschränkungen gebrochen und die gesamte Substratindustrie verändert werden.

Bei der Herstellung hochwertiger und hochrangiger Silizium-Carbid-Substrate erfordert der Kern eine präzise Kontrolle der Produktionstemperatur durch gute thermische Feldmaterialien. Derzeit sind die thermischen Feldsteuer-Kits hauptsächlich verwendete Strukturkomponenten mit hoher Purity-Graphit, deren Funktionen geschmolzenes Kohlenstoffpulver und Siliziumpulver erhitzen und Wärme aufrechterhalten.

Wenn Sie die Halbleiter der dritten Generation sehen, werden Sie sich sicherlich fragen, was die erste und die zweite Generationen waren. Die "Generation" wird hier basierend auf den Materialien der Semiconductor -Herstellung eingestuft.

Das elektrostatische Chuck (ESC), auch als elektrostatisches Chuck (ESC, E-Chuck) bekannt, ist ein Gerät, das das Prinzip der elektrostatischen Adsorption verwendet, um das adsorbierte Material zu halten und zu reparieren. Es ist für Vakuum- und Plasmaumgebungen geeignet.

Die SIC-Waferträger als wichtige Verbrauchsmaterialien in der Halbleiterindustrie der dritten Generation beeinflussen ihre technischen Merkmale direkt die Ausbeute an epitaxiellem Wachstum und Geräteherstellung. Angesichts der steigenden Nachfrage nach Hochspannungs- und Hochtemperaturgeräten in Branchen wie 5G-Basisstationen und neuen Energiefahrzeugen stehen die Forschung und Anwendung von SIC-Waferträgern nun mit erheblichen Entwicklungsmöglichkeiten.