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In der Welt der Wide-Bandgap-Halbleiter (WBG) ist der fortschrittliche Herstellungsprozess die „Seele“, der Graphit-Suszeptor das „Rückgrat“ und seine Oberflächenbeschichtung die entscheidende „Haut“.

In der hochriskanten Welt der Leistungselektronik stehen Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) an der Spitze einer Revolution – von Elektrofahrzeugen (EVs) bis hin zur Infrastruktur für erneuerbare Energien. Allerdings stellen die legendäre Härte und chemische Inertheit dieser Materialien einen erheblichen Produktionsengpass dar.

In der Halbleiterfertigung ist der Prozess der chemisch-mechanischen Planarisierung (CMP) der Kernschritt für die Planarisierung der Waferoberfläche und bestimmt direkt den Erfolg oder Misserfolg nachfolgender Lithographieschritte. Als entscheidendes Verbrauchsmaterial bei CMP ist die Leistung der Polierschlämme der entscheidende Faktor für die Kontrolle der Abtragsrate (RR), die Minimierung von Defekten und die Steigerung der Gesamtausbeute.

In der hochriskanten Welt der Halbleiterfertigung, in der Präzision und extreme Umgebungen nebeneinander bestehen, sind Fokusringe aus Siliziumkarbid (SiC) unverzichtbar. Diese Komponenten sind für ihre außergewöhnliche thermische Beständigkeit, chemische Stabilität und mechanische Festigkeit bekannt und für fortschrittliche Plasmaätzprozesse von entscheidender Bedeutung. Das Geheimnis ihrer hohen Leistung liegt in der Solid CVD-Technologie (Chemical Vapour Deposition). Heute führen wir Sie hinter die Kulissen, um den anspruchsvollen Herstellungsprozess zu erkunden – vom rohen Graphitsubstrat bis zum hochpräzisen „unsichtbaren Helden“ der Fabrik.

Hochreine Quarzmaterialien spielen in der Halbleiterindustrie eine entscheidende Rolle. Ihre hervorragende Hochtemperaturbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit, thermische Stabilität und Lichtdurchlässigkeit machen sie zu kritischen Verbrauchsmaterialien. Quarzprodukte werden für Komponenten sowohl in Hochtemperatur- als auch in Niedertemperaturzonen der Waferproduktion verwendet und gewährleisten die Stabilität und Sauberkeit des Herstellungsprozesses.

Mit der globalen Energiewende, der KI-Revolution und der Welle der Informationstechnologien der neuen Generation hat sich Siliziumkarbid (SiC) aufgrund seiner außergewöhnlichen physikalischen Eigenschaften schnell von einem „potenziellen Material“ zu einem „strategischen Grundmaterial“ entwickelt.