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Erfahren Sie, wie Vetek radiale Risse in großen MOCVD-SiC-beschichteten Graphitsuszeptoren beseitigt hat. Die Neugestaltung des Strukturspannungspuffers und die CTE-Anpassung erhöhten die Lebensdauer um über 300 %.

Ein Jahrzehnt der SiC-Entwicklung – von den frühen Herausforderungen bei der Kommerzialisierung von 4-Zoll-Wafern bis zum heutigen Übergang zu 8-Zoll-Wafern. Entdecken Sie, wie CVD-SiC-Beschichtungen, feste SiC- und TaC-Materialien eine zuverlässige Halbleiterfertigung ermöglichen.

Erfahren Sie, wie CVD-SiC-beschichtete Graphitsuszeptoren das epitaktische Wachstum verbessern, indem sie die thermische Gleichmäßigkeit verbessern, Verunreinigungen reduzieren und die Lebensdauer der Komponenten bei der Herstellung von SiC-, GaN-, LED- und Siliziumhalbleitern verlängern.