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Branchennachrichten

ALD-Rezept für die Atomlagenabscheidung27 2024-07

ALD-Rezept für die Atomlagenabscheidung

Spatial ALD, räumlich isolierte Atomlagenabscheidung. Der Wafer bewegt sich zwischen verschiedenen Positionen und wird an jeder Position unterschiedlichen Vorläufern ausgesetzt. Die folgende Abbildung zeigt einen Vergleich zwischen traditioneller ALD und räumlich isolierter ALD.
Durchbruch der Tantal -Carbid -Technologie, sic epitaxiale Verschmutzung um 75%?27 2024-07

Durchbruch der Tantal -Carbid -Technologie, sic epitaxiale Verschmutzung um 75%?

In jüngster Zeit hat das Deutsche Forschungsinstitut Fraunhofer IISB einen Durchbruch in der Forschung und Entwicklung der Tantal -Carbid -Beschichtungstechnologie erzielt und eine Sprühbeschichtungslösung entwickelt, die flexibler und umweltfreundlicher ist als die CVD -Abscheidungslösung und wurde kommerzialisiert.
Explorative Anwendung der 3D-Drucktechnologie in der Halbleiterindustrie19 2024-07

Explorative Anwendung der 3D-Drucktechnologie in der Halbleiterindustrie

In einer Zeit rasanter technologischer Entwicklung verändert der 3D-Druck als wichtiger Vertreter fortschrittlicher Fertigungstechnologie nach und nach das Gesicht der traditionellen Fertigung. Mit der kontinuierlichen Reife der Technologie und der Kostensenkung hat die 3D-Drucktechnologie breite Anwendungsaussichten in vielen Bereichen wie Luft- und Raumfahrt, Automobilbau, medizinische Geräte und Architekturdesign gezeigt und die Innovation und Entwicklung dieser Branchen gefördert.
Silizium -Epitaxie -Vorbereitungstechnologie (SI)16 2024-07

Silizium -Epitaxie -Vorbereitungstechnologie (SI)

Ein einzelne Kristallmaterial allein können die Bedürfnisse der zunehmenden Produktion verschiedener Halbleitergeräte nicht erfüllen. Ende 1959 wurde eine dünne Schicht der Einkristallmaterial -Wachstumstechnologie entwickelt - epitaxielles Wachstum.
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