Kennen Sie von Mocvd Susceptor?

Beim MOCVD-Verfahren (metallorganische chemische Dampfablagerung) ist der SUSCEPTOR eine Schlüsselkomponente, die für die Unterstützung des Wafers und der Gewährleistung der Gleichmäßigkeit und präzisen Kontrolle des Abscheidungsprozesses verantwortlich ist. Die materielle Auswahl und die Produkteigenschaften beeinflussen direkt die Stabilität des epitaxialen Prozesses und die Qualität des Produkts.

MOCVD -Unterstützung(Metall-organische chemische Dampfabscheidung) ist eine wichtige Prozesskomponente bei der Herstellung von Halbleiter. Es wird hauptsächlich im Prozess der MOCVD (Metall-organische chemische Dampfabscheidung) verwendet, um den Wafer für die Ablagerung von Dünnfilmen zu unterstützen und zu heizen. Die Auswahl und die materielle Auswahl des Sehzeptors sind entscheidend für die Gleichmäßigkeit, Effizienz und Qualität des Endprodukts.

Produkttyp und Materialauswahl:

Die Konstruktion und die materielle Auswahl von MOCVD -Anfälligkeiten sind vielfältig und werden normalerweise durch Prozessanforderungen und Reaktionsbedingungen bestimmt.Das Folgende sind gemeinsame Produkttypen und deren Materialien:

Sic beschichtete Suszeptor(Siliziumkarbidbeschichteter SURCETTOR):

Beschreibung: Suszeptor mit SIC-Beschichtung mit Graphit oder anderen Hochtemperaturmaterialien als Substrat und CVD-SIC-Beschichtung (CVD-sic-Beschichtung) auf der Oberfläche, um ihren Verschleißwiderstand und die Korrosionsbeständigkeit zu verbessern.

Anwendung: In MOCVD -Prozessen in hohen Temperaturen und hochkarrosiven Gasumgebungen, insbesondere in Silizium -Epitaxie und zusammengesetzten Halbleiterablagerung, häufig verwendet.

TAC -beschichtete Sumers:

Beschreibung: Suszeptor mit TAC -Beschichtung (CVD -TAC -Beschichtung), da das Hauptmaterial extrem hohe Härte und chemische Stabilität aufweist und für die Verwendung in extrem ätzenden Umgebungen geeignet ist.

Anwendung: Wird in MOCVD -Prozessen verwendet, die eine höhere Korrosionsbeständigkeit und mechanische Stärke erfordern, wie z.

Siliziumkarbidbeschichtete Graphit -Anfälligkeit für MOCVD:

Beschreibung: Das Substrat ist Graphit, und die Oberfläche ist mit einer Schicht von CVD -SIC -Beschichtung bedeckt, um Stabilität und lange Lebensdauer bei hohen Temperaturen zu gewährleisten.

Anwendung: Geeignet für die Verwendung in Geräten wie Aixtron-MOCVD-Reaktoren zur Herstellung hochwertiger Verbund-Halbleitermaterialien.

EPI -Unterstützung (Epitaxy -Unterstützer):

Beschreibung: SUPPENTOR, das speziell für den epitaxialen Wachstumsprozess ausgelegt ist, normalerweise mit SIC -Beschichtung oder TAC -Beschichtung, um seine thermische Leitfähigkeit und Haltbarkeit zu verbessern.

Anwendung: In der Silizium -Epitaxie und der zusammengesetzten Halbleiterpitaxie wird es verwendet, um eine gleichmäßige Erwärmung und Ablagerung von Wafern zu gewährleisten.

Hauptaufgabe des Suszeptors für MOCVD bei der Verarbeitung der Halbleiter:

Waferstütze und gleichmäßige Erwärmung:

Funktion: SUPPECTOR wird verwendet, um Wafer in MOCVD -Reaktoren zu unterstützen und eine gleichmäßige Wärmeverteilung durch Induktionsheizung oder andere Methoden zu ermöglichen, um eine gleichmäßige Filmablagerung zu gewährleisten.

Wärmeleitung und Stabilität:

Funktion: Die thermische Leitfähigkeit und thermische Stabilität von Suszeptormaterialien sind entscheidend. SIC-beschichtete Suszeptor und TAC-beschichtete Suszeptor können aufgrund ihrer hohen thermischen Leitfähigkeit und hohen Temperaturwiderstand die Stabilität in Hochtemperaturprozessen aufrechterhalten, wodurch Filmdefekte vermieden werden, die durch ungleiche Temperatur verursacht werden.

Korrosionsbeständigkeit und langes Leben:

Funktion: Im MoCVD -Prozess ist der Suszeptor verschiedenen chemischen Vorläufergasen ausgesetzt. Die SIC -Beschichtung und die TAC -Beschichtung bieten einen hervorragenden Korrosionsbeständigkeit, verringern die Wechselwirkung zwischen der Materialoberfläche und dem Reaktionsgas und verlängern die Lebensdauer des Suszeptors.

Optimierung der Reaktionsumgebung:

Funktion: Durch die Verwendung hochwertiger Suszeptoren werden das Gasfluss- und Temperaturfeld im MOCVD-Reaktor optimiert, wodurch ein einheitlicher Filmabscheidungsprozess gewährleistet ist und die Ausbeute und Leistung des Geräts verbessert. Es wird normalerweise bei Suszeptoren für MOCVD -Reaktoren und Aixtron -MOCVD -Geräte verwendet.

Produktfunktionen und technische Vorteile：

Hohe thermische Leitfähigkeit und thermische Stabilität:

Merkmale: SIC- und TAC -beschichtete Suszeptoren haben eine extrem hohe thermische Leitfähigkeit, können die Wärme schnell und gleichmäßig verteilen und die strukturelle Stabilität bei hohen Temperaturen aufrechterhalten, um eine gleichmäßige Erwärmung von Wafern zu gewährleisten.

Vorteile: Geeignet für MOCVD -Prozesse, die eine präzise Temperaturkontrolle erfordern, wie z. B. epitaxielles Wachstum von zusammengesetzten Halbleitern wie Galliumnitrid (GaN) und Galliumarsenid (GAAs).

Hervorragende Korrosionsbeständigkeit:

Merkmale: CVD -SIC -Beschichtung und CVD -TAC -Beschichtung haben eine extrem hohe chemische Inertheit und können Korrosion vor hochkarrosiven Gasen wie Chloriden und Fluoriden widerstehen, wodurch das Substrat des Suszeptors vor Beschädigungen schützt.

Vorteile: Erweitern Sie die Lebensdauer des Suszeptors, verringern Sie die Wartungsfrequenz und verbessern Sie die Gesamteffizienz des MocvD -Prozesses.

Hohe mechanische Stärke und Härte:

Merkmale: Die hohe Härte und mechanische Stärke von SIC- und TAC-Beschichtungen ermöglichen es dem Empfängnis, mechanischer Belastung in hohen Temperatur- und Hochdruckumgebungen zu standhalten und langfristige Stabilität und Präzision aufrechtzuerhalten.

Vorteile: Besonders für Halbleiterherstellungsprozesse geeignet, die eine hohe Präzision erfordern, wie z. B. epitaxielles Wachstum und chemische Dampfabscheidung.

Marktanwendungs- und Entwicklungsaussichten

MOCVD -Anfällewerden häufig bei der Herstellung von LEDs mit hoher Breite, elektronischen Leistungsstärken (wie GaN-basierten HEMTs), Solarzellen und anderen optoelektronischen Geräten eingesetzt. Mit der zunehmenden Nachfrage nach höherer Leistung und niedrigeren Halbleitergeräten für Stromverbrauch fördert die MocvD -Technologie weiterhin die Innovationen bei Suszeptormaterialien und -designs. Zum Beispiel die Entwicklung der SIC-Beschichtungstechnologie mit höherer Reinheit und niedrigerer Defektdichte und Optimierung des strukturellen Designs von Susceceptor zur Anpassung an größere Wafer und komplexere, mehrschichtige Epitaxisprozesse.

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