In diesem Artikel wird hauptsächlich die Produkttypen, Produktmerkmale und Hauptfunktionen der TAC -Beschichtung in der Halbleiterverarbeitung eingeführt und führt eine umfassende Analyse und Interpretation von TAC -Beschichtungsprodukten als Ganzes durch.
In diesem Artikel wird hauptsächlich die Produkttypen, Produktmerkmale und Hauptfunktionen von MOCVD -Anfälligkeiten bei der Verarbeitung von Halbleiter vorgelegt und führt eine umfassende Analyse und Interpretation von MOCVD -Suszeptorprodukten als Ganzes durch.
In der Semiconductor Manufacturing -Branche hat die Ablagerungstechnologie von Dünnfilmmaterialien im Laufe der Gerätegröße beispiellose Herausforderungen gestellt. Atomic Layer Deposition (ALD) als Dünnfilm -Abscheidungstechnologie, die auf Atomebene eine genaue Kontrolle erreichen kann, ist zu einem unverzichtbaren Bestandteil der Semiconductor -Herstellung geworden. Dieser Artikel zielt darauf ab, den Prozessfluss und die Prinzipien von ALD einzuführen, um seine wichtige Rolle bei der Herstellung fortgeschrittener Chips zu verstehen.
Es ist ideal, um integrierte Schaltkreise oder Halbleiterbauelemente auf einer perfekt kristallinen Basisschicht aufzubauen. Der Epitaxieprozess (EPI) in der Halbleiterfertigung zielt darauf ab, eine feine einkristalline Schicht, normalerweise etwa 0,5 bis 20 Mikrometer, auf einem einkristallinen Substrat abzuscheiden. Der Epitaxieprozess ist ein wichtiger Schritt bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen, insbesondere bei der Herstellung von Siliziumwafern.
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