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Die chemische Dampfabscheidung (CVD) in der Semiconductor -Herstellung wird verwendet, um Dünnfilmmaterialien in der Kammer, einschließlich SiO2, Sünde usw. Durch die Einstellung der Temperatur, des Druck- und Reaktionsgasstyps erreicht CVD eine hohe Reinheit, Gleichmäßigkeit und gute Filmabdeckung, um unterschiedliche Prozessanforderungen zu erfüllen.

Dieser Artikel beschreibt hauptsächlich die umfassenden Anwendungsaussichten für Siliziumkarbidkeramik. Es konzentriert sich auch auf die Analyse der Ursachen von Sinterrissen in Siliziumkarbidkeramik und entsprechenden Lösungen.

Bei der Ätztechnologie in der Halbleiterfertigung treten häufig Probleme wie Ladeeffekt, Mikrorilleneffekt und Ladeeffekt auf, die sich auf die Produktqualität auswirken. Zu den Verbesserungslösungen gehören die Optimierung der Plasmadichte, die Anpassung der Reaktionsgaszusammensetzung, die Verbesserung der Effizienz des Vakuumsystems, die Gestaltung eines angemessenen Lithographie-Layouts sowie die Auswahl geeigneter Ätzmaskenmaterialien und Prozessbedingungen.

Heißes Presssenssintern ist die Hauptmethode zur Vorbereitung von Hochleistungs-SIC-Keramik. Der Prozess des heißen Pressessinterns umfasst: Auswahl hochreines SIC-Pulvers, Drücken und Formteilen unter hoher Temperatur und hohem Druck und dann Sintern. Mit dieser Methode erstellte SIC -Keramik haben die Vorteile von hoher Reinheit und hoher Dichte und werden häufig bei der Schleifscheiben und Wärmebehandlungsgeräten für die Waferverarbeitung verwendet.

Zu den wichtigsten Wachstumsmethoden von Siliciumcarbid (SIC) gehören PVT, TSSG und HTCVD mit jeweils unterschiedlichen Vorteilen und Herausforderungen. Thermische Feldmaterialien auf Kohlenstoffbasis wie Isolationssystemen, Kreuzgruppen, TAC-Beschichtungen und poröse Graphit verbessern das Kristallwachstum, indem sie Stabilität, Wärmeleitfähigkeit und Reinheit verleihen, die für die genaue Herstellung und Anwendung von SIC wesentlich sind.