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Siliziumwafer sind die Grundlage für integrierte Schaltkreise und Halbleiterbauelemente. Sie haben ein interessantes Merkmal – flache Kanten oder winzige Rillen an den Seiten. Es handelt sich nicht um einen Defekt, sondern um eine bewusst gestaltete Funktionsmarkierung. Tatsächlich dient diese Kerbe während des gesamten Herstellungsprozesses als Richtungsreferenz und Identitätsmarkierung.

Chemisch-mechanisches Polieren (CMP) entfernt überschüssiges Material und Oberflächenfehler durch die kombinierte Wirkung chemischer Reaktionen und mechanischer Abrieb. Es handelt sich um einen Schlüsselprozess zur Erzielung einer globalen Planarisierung der Waferoberfläche und ist für mehrschichtige Kupferverbindungen und dielektrische Low-k-Strukturen unverzichtbar. In der praktischen Fertigung

Auch im Jahr 2025 trifft sich die europäische Halbleiterindustrie vom 18. bis 21. November wieder auf der größten Halbleitermesse SEMICON Europa in München