Beispielkartierung

Basierend auf der vom Kunden bereitgestellten physischen Probe (auch wenn es sich um ein verschlissenes oder gebrochenes Gebrauchtteil handelt) bieten wir einen umfassenden Service an, der vom Reverse Engineering der physikalischen Struktur bis zur physikalisch-chemischen Charakterisierung auf Materialebene reicht. Mithilfe hochpräziser Inspektionsgeräte in Halbleiterqualität quantifizieren wir komplexe geometrische 3D-Strukturen, Eigenschaften der Beschichtungs-/Substratschnittstellen und materialphysikalische Parameter genau und stellen so sicher, dass das rückentwickelte Produkt die Anforderungen erfüllt übertrifft OEM-Standards in Bezug auf physische Passform, Prozesskompatibilität und Lebensdauer (Form-Fit-Function-Ersatz).

Was wir messen (technische Leistungen):

• Maß- und geometrische Toleranzen:Mithilfe hochpräziser Koordinatenmessgeräte (CMM) und optischer 3D-Scanner führen wir eine Punktwolkenmodellierung und Rekonstruktion komplexer Hohlraumstrukturen sowie Montage-/Lokalisierungslöcher in Originalgröße durch und erreichen dabei eine Genauigkeit im Mikrometerbereich.
• Oberflächenmikromorphologie und Ebenheit:Einsatz von Weißlichtinterferometern und optischen Profilometern zur Bewertung der Oberflächenrauheit (Ra) im Nanometerbereich und der großflächigen Ebenheit, um die Anforderungen an die Handhabung von Wafern und die Kammerabdichtung zu erfüllen.
• Edge-Mikrofunktionen:Kartierung von Kanten-R-Radien und Fasen-Mikroprofilen mit hoher Vergrößerung, um die Aufstiegsmorphologie der Beschichtung zu optimieren und Spannungskonzentrationen an scharfen Ecken zu vermeiden, die zu einer Delaminierung bei hohen Temperaturen führen können.
• Analyse des Graphitsubstrats und der thermischen Anpassung:Bewertung der Substratdichte, der Korngröße und des Wärmeausdehnungskoeffizienten (CTE) von hochreinem Graphit, um eine Übereinstimmung der thermischen Spannungen zwischen Substrat und CVD-Beschichtung sicherzustellen.
• Beschichtungsquerschnitt und Verbindungsqualität der Schnittstelle:Zerstörungsfreie RFA- und metallografische Querschnitts-REM-Analyse zur Messung der absoluten Dicke, der radialen Gleichmäßigkeit der CVD-Beschichtung und der Eindringtiefe der Grenzfläche.
• Phasenstruktur und Mikrokristallanalyse:XRD-Bewertung der Reinheit der kubischen Phase (β-SiC) von CVD-SiC; qualitative Bewertung der chemischen Stöchiometrie und Kristallstruktureigenschaften von CVD-TaC.

Echter Fall und Kundennutzen (Erfahrung):

Ein Kunde für 12-Zoll-Halbleiter-Ätzkomponenten:OEM-Lieferung eingestellt; Es war nur ein verschlissenes Gebrauchtteil verfügbar. Durch CMM-Umkehrmodellierung + SEM-Beschichtungsquerschnittsanalyse haben wir die Entwicklung von Ersatzteilen und Tests am Werkzeug innerhalb von zwei Monaten ohne Originalzeichnungen abgeschlossen und so eine 100-prozentige Einbaupassung erreicht. Letztendlich wurde der Komponentenbeschaffungszyklus von der ursprünglichen 6-monatigen Importvorlaufzeit auf 2 Monate verkürzt, die Stückbeschaffungskosten sanken um 42 % und dieses Modell wurde für mehr als 30 Chargen stabil geliefert.

Siliziumkarbid (SiC)-Beschichtung im SEM-Beschichtungsquerschnitt

FAQ

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