Ultra reines Siliziumcarbidpulver für das Kristallwachstum

Als professioneller Hersteller möchte Vetek Semiconductor Ihnen qualitativ hochwertige Ultra -Silicon -Carbidpulver für das Kristallwachstum bieten.

Vetek Semiconductor ist auf die Bereitstellung von ultra reinem Silizium -Carbidpulver für das Kristallwachstum mit unterschiedlichem Reinheitsgrad spezialisiert. Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr zu erfahren und ein Angebot zu erhalten. Erhöhen Sie Ihre Halbleiterforschung und -entwicklung mit den hochwertigen Produkten von Vetek Semiconductor.

Vetek Semiconductor Ultra reines Siliziumcarbidpulver für das Kristallwachstum wird unter Verwendung eines Hochtemperatur-Reaktionsmethode mit Festphasen-Reaktion mit hoher Purity-Siliziumpulver und hohem Kohlenstoffpulver als Rohstoffe hergestellt. Mit einer Reinheit von bis zu 99,999 Gew .-% WT und extrem niedrigen Verunreinigungsniveaus von Stickstoff, Bor, Aluminium und anderen Verunreinigungen ist es speziell entwickelt, um die semi-insidenten Eigenschaften von Siliziumcarbide mit hoher Purity-Silizium zu verbessern.

Die Reinheit unseres Siliziumkarbidpulvers in Halbleiterqualität erreicht beeindruckende 99,999%und macht es zu einem hervorragenden Rohstoff für die Herstellung von Silizium-Carbid-Einkristallen. Was unser Produkt von anderen auf dem Markt unterscheidet, ist das bemerkenswerte Merkmal des Hochgeschwindigkeitskristallwachstums. Da die Kristallwachstumsraten von 0,2 bis 0,3 mm/h erreichen, verkürzt es die Kristallwachstumszeit signifikant und die Gesamtproduktionskosten.

Die Qualität des Siliziumcarbidpulvers ist entscheidend für die Erzielung eines hohen Kristallwachstumsertrags und erfordert präzise Herstellungsprozesse. Unsere Technologie beinhaltet die thermische Trennung in verschiedenen Stadien, um Verunreinigungen unterschiedlicher Eigenschaften zu entfernen, was zu halbpurtigen halbinsidierenden Siliziumkarbidpulver mit geringem Stickstoffgehalt führt. Durch die weitere Verarbeitung des Pulvers in Granulat und die Verwendung thermischer Radsportechniken entsprechen wir den dimensionalen Wachstumsanforderungen von Siliziumcarbidkristallen. Diese Technologie zielt darauf ab, die Forschungsmöglichkeiten für die inländische fortgeschrittene Halbleiter zu verbessern, die Selbstversorgung der materiellen Selbstversorgung zu verbessern, internationale Monopole zu beherrschen und die Produktionskosten in der Halbleiterindustrie in der heimischen Siliziumcarbide zu senken, was letztendlich ihre globale Wettbewerbsfähigkeit erhöht.

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