7N hochreiner CVD-SiC-Rohstoff

1. Kernleistungsfaktoren

• Reinheitsgrad 7N: Wir halten eine konstante Reinheit von 99,99999 % (7N) aufrecht und halten metallische Verunreinigungen im ppb-Bereich. Dies ist für die Züchtung hochohmiger halbisolierender (HPSI) Kristalle und die Gewährleistung von Kontaminationsfreiheit bei Strom- oder HF-Anwendungen von entscheidender Bedeutung.
• Strukturelle Stabilität vs. C-Staub: Im Gegensatz zu herkömmlichen Pulvern, die bei der Sublimation dazu neigen, zu kollabieren oder Feinteile freizusetzen, bleibt unsere großkörnige CVD-Masse strukturell stabil. Dies verhindert die Migration von Kohlenstoffstaub (C-Staub) in die Wachstumszone – die Hauptursache für Kristalleinschlüsse und Mikrorohrdefekte.
• Optimierte Wachstumskinetik: Diese Quelle wurde für die Herstellung im industriellen Maßstab entwickelt und unterstützt Wachstumsraten von bis zu 1,46 mm/h. Dies stellt eine 2- bis 3-fache Verbesserung gegenüber den 0,3–0,8 mm/h dar, die typischerweise mit herkömmlichen pulverbasierten Methoden erreicht werden.
• Wärmegradientenmanagement: Die hohe Schüttdichte und die spezifische Geometrie unserer Blöcke erzeugen einen aggressiveren Temperaturgradienten im Tiegel. Dies fördert eine ausgewogene Freisetzung von Silizium- und Kohlenstoffdämpfen und mildert die „Si-reich früh/C-reich spät“-Schwankungen, die bei Standardprozessen auftreten.
• Optimierung der Tiegelbeladung: Unser Material ermöglicht eine um mehr als 2 kg höhere Ladekapazität für 8-Zoll-Tiegel im Vergleich zu Pulvermethoden. Dies ermöglicht das Wachstum längerer Barren pro Zyklus, wodurch sich die Ausbeute nach der Produktion direkt auf 100 % verbessert.

1. Technische Spezifikationen

Vergleich: Traditionelles Pulver vs. VETEK CVD Bulk