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AMAT 0200-03201 CVD-SiC-Wafer-Hebestift
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AMAT 0200-03201 CVD-SiC-Wafer-Hebestift

Dieser AMAT 0200-03201 Wafer Lift Pin von VeTek beginnt mit hochreinem Graphit, dann fügen wir oben eine dichte CVD-SiC-Beschichtung hinzu. Es ist für 300-mm-Epitaxiesysteme und Applied Materials EPI-Reaktoren konzipiert. Warum Graphit und SiC? Graphit verträgt Hitze sehr gut. Die SiC-Schicht nimmt korrosive Gase auf und nutzt sich nicht schnell ab. Das dünnwandige Design? Dies ermöglicht ein saubereres Anheben und Positionieren der Wafer, weniger Partikel und eine längere Lebensdauer der Teile bei hohen Temperaturen. Wir stellen auch ähnliche SiC-beschichtete Graphitteile für ASM-, Aixtron- und LPE-Systeme her. Wir freuen uns auf Ihre Anfrage.

Produktmerkmale

 ● Hochreiner Graphitkern + CVD-SiC-Beschichtung – gebaut für die echte Halbleiterproduktion.

 ● Bewältigt Epitaxieläufe bei hohen Temperaturen, ohne dass die mechanische Stabilität Zyklus für Zyklus verloren geht.

 ● Die dünne Wandform verringert die thermische Masse und verbessert die Präzision bei der Waferhandhabung.

 ● SiC-Schicht hält aggressiven Prozessgasen und chemischer Reinigung stand.

 ● Eine glatte, gleichmäßige Beschichtung bedeutet weniger Partikelabwurf und eine stabilere Verarbeitung. Bei der CNC-Bearbeitung für kritische Halbleiterteile halten wir enge Toleranzen ein.


CVD-SIC-FILM-CRYSTAL-STRUCTURE

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung
Eigentum
Typischer Wert
Kristallstruktur
Polykristalline FCC-β-Phase, hauptsächlich (111)-orientiert
CVD-SiC-Beschichtungsdichte
3,21 g/cm³
SiC-Beschichtungshärte
2500 Vickers-Härte (500 g Belastung)
Körnung
2~10μm
Chemische Reinheit
99,99995 %
Wärmekapazität
640 J·kg-1·K-1
Sublimationstemperatur
2700℃
Biegefestigkeit
415 MPa RT 4-Punkt
Elastizitätsmodul
430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃
Wärmeleitfähigkeit
300W·m-1·K-1
Wärmeausdehnung (CTE)
4,5×10-6K-1


Anwendungen

 ● Siliziumepitaxie (Si EPI) – Heben, Positionieren und Bewegen von Wafern in 300-mm-Reaktoren.

 ● Allgemeine Verarbeitung von Halbleiterwafern, bei der Hitzestabilität, Korrosionsbeständigkeit, geringe Partikelbildung und eine lange Lebensdauer der Teile erforderlich sind.

 ● AMAT-Epitaxiekammern und kompatible Wafer-Handlingsysteme.


Warum sollten Sie sich für VeTek Semiconductor entscheiden?

 ● Hochreiner SiC-beschichteter Graphit, der für den Einsatz in Halbleitern vorgesehen ist.

 ● Sowohl die thermische Stabilität als auch die chemische Beständigkeit sind solide.

 ● Halten Sie die Toleranzen eng – Präzisionsbearbeitung ist unser Ding.

 ● Kompatibel mit AMAT, ASM, Aixtron und LPE.

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