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SiC-beschichteter Graphit-Tiegelabweiser
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SiC-beschichteter Graphit-Tiegelabweiser

Der SiC-beschichtete Graphittiegelabweiser ist eine Schlüsselkomponente in der Einkristallofenausrüstung. Seine Aufgabe besteht darin, das geschmolzene Material reibungslos vom Tiegel zur Kristallwachstumszone zu leiten und die Qualität und Form des Einkristallwachstums sicherzustellen. Vetek-Halbleiter kann Wir bieten sowohl Graphit- als auch SiC-Beschichtungsmaterial an. Für weitere Informationen kontaktieren Sie uns bitte.

Vetek Semiconducotr ist ein professioneller chinesischer Sic -beschichtetes Graphit -Tiegel -Deflex -Deflex -Hersteller und Lieferant. Der SIC Coated Graphit Crucible DefLektor ist eine entscheidende Komponente in monokristallinen Ofenausrüstungen, die mit der reibungslosen Leitung des geschmolzenen Materials vom Tiegel in die Kristallwachstumszone reibungslos leitet, um die Qualität und Form des monokristalen Wachstums zu gewährleisten.


Die Funktionen unseres SiC-beschichteten Graphittiegelabweisers sind:

Flusskontrolle: Sie lenkt den Fluss des geschmolzenen Siliziums während des Czochralski-Prozesses und sorgt so für eine gleichmäßige Verteilung und kontrollierte Bewegung des geschmolzenen Siliziums, um das Kristallwachstum zu fördern.

Temperaturregulation: Sie hilft, die Temperaturverteilung innerhalb des geschmolzenen Siliziums zu regulieren, um optimale Bedingungen für das Kristallwachstum zu gewährleisten und Temperaturgradienten zu minimieren, die die Qualität des monokristallinen Siliziums beeinflussen könnten.

Kontaminationsverhinderung: Durch die Steuerung des Flusses von geschmolzenem Silizium wird eine Kontamination durch den Tiegel oder andere Quellen verhindert und die für Halbleiteranwendungen erforderliche hohe Reinheit aufrechterhalten.

Stabilität: Der Deflektor trägt zur Stabilität des Kristallwachstumsprozesses bei, indem er Turbulenzen reduziert und einen stetigen Fluss von geschmolzenem Silizium fördert, was für die Erzielung gleichmäßiger Kristalleigenschaften von entscheidender Bedeutung ist.

Erleichterung des Kristallwachstums: Durch die Führung des geschmolzenen Siliziums kontrollierter Weise erleichtert der DeLektor das Wachstum eines einzelnen Kristalls aus dem geschmolzenen Silizium, was für die Herstellung hochwertiger monokristalliner Silizium-Wafer von hochwertigem, in der Herstellung von Halbleiter verwendetem Silizium-Wafern essentiell ist.


Produktparameter des SIC -beschichteten Graphit Crucible Deflexector

Physikalische Eigenschaften von isostatischen Graphiten
Eigentum Einheit Typischer Wert
Schüttdichte g/cm³ 1.83
Härte HSD 58
Elektrischer Widerstand μΩ.m 10
Biegefestigkeit MPA 47
Druckfestigkeit MPA 103
Zugfestigkeit MPA 31
Young's Modul GPA 11.8
Wärmeausdehnung (CTE) 10-6K-1 4.6
Wärmeleitfähigkeit W·m-1· K-1 130
Durchschnittliche Korngröße μm 8-10
Porosität % 10
Ascheninhalt ppm ≤ 10 (nach gereinigt)

Hinweis: Vor dem Beschichten führen wir eine erste Reinigung durch, nach dem Beschichten führen wir eine zweite Reinigung durch.


Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung
Eigentum Typischer Wert
Kristallstruktur Polykristalline FCC -β -Phasen -FCC -β -Phase, hauptsächlich (111) orientiert
Dichte 3,21 g/cm³
Härte 2500 Vickers Härte (500 g Last)
Körnung 2 ~ 10 mm
Chemische Reinheit 99,99995%
Wärmekapazität 640 J · kg-1· K-1
Sublimationstemperatur 2700℃
Biegefestigkeit 415 MPa RT 4-Punkt
Young's Modul 430 GPA 4PT Bend, 1300 ℃
Wärmeleitfähigkeit 300W · m-1· K-1
Wärmeausdehnung (CTE) 4,5 × 10-6K-1


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