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Sic beschichtete Graphit -Barrel -SUPTOR für EPI
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Sic beschichtete Graphit -Barrel -SUPTOR für EPI

Die epitaxiale Waferheizungsbasis vom Fass -Typ ist ein Produkt mit komplizierter Verarbeitungstechnologie, das für die Bearbeitungsgeräte und die Fähigkeit sehr schwierig ist. Vetek Semiconductor verfügt über fortgeschrittene Geräte und umfangreiche Erfahrung in der Verarbeitung von Sic Coated Graphit Barrel Susceceptor für EPI kann das gleiche wie das ursprüngliche Fabrikleben und kostengünstigere epitaxiale Fässer liefern. Wenn Sie an unseren Daten interessiert sind, können Sie sich nicht an uns kontaktieren.

VeTek Semiconductorist ein chinesischer Hersteller und Lieferant, der hauptsächlich SiC-beschichtete Graphitzylindersuszeptoren für EPI mit langjähriger Erfahrung herstellt. Ich hoffe, eine Geschäftsbeziehung mit Ihnen aufzubauen.Und (Epitaxie)ist ein entscheidender Prozess bei der Herstellung fortschrittlicher Halbleiter. Dabei werden dünne Materialschichten auf einem Substrat abgeschieden, um komplexe Gerätestrukturen zu erzeugen. SiC-beschichtete Graphitrohrsuszeptoren für EPI werden aufgrund ihrer hervorragenden Wärmeleitfähigkeit und Beständigkeit gegenüber hohen Temperaturen häufig als Suszeptoren in EPI-Reaktoren verwendet. MitCVD-SiC-BeschichtungEs wird widerstandsfähiger gegen Kontamination, Erosion und thermischen Schock. Dies führt zu einer längeren Lebensdauer für den Suszeptor und eine verbesserte Filmqualität.


Vorteile unseres SiC-beschichteten Graphit-Fass-Suszeptors:


Reduzierte Kontamination: Die Inert -Natur von SIC verhindert, dass Verunreinigungen an der Suszeptoroberfläche einhalten und das Risiko einer Kontamination der abgelagerten Filme verringert.

Erhöhte Erosionsresistenz: SIC ist erheblich widerstandsfähiger gegen Erosion als herkömmlicher Graphit, was zu einer längeren Lebensdauer für den Suszeptor führt.

Verbesserte thermische Stabilität: SiC verfügt über eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit und hält hohen Temperaturen ohne nennenswerte Verformung stand.

Verbesserte Filmqualität: Die verbesserte thermische Stabilität und die geringere Kontamination führen zu qualitativ hochwertigeren abgeschiedenen Filmen mit verbesserter Gleichmäßigkeit und Dickenkontrolle.


Anwendungen:

SIC Coated Graphit Barrel Susceptors werden in verschiedenen EPI -Anwendungen häufig verwendet, darunter:

✔ LEDs in Gan

✔ Leistungselektronik

✔ Optoelektronische Geräte

✔ Hochfrequenztransistoren

✔ Sensoren

Produktparameter des SIC -beschichteten Graphit -Barrel -Suszeptors

Physikalische Eigenschaften vonisostatischer Graphit
Eigentum Einheit Typischer Wert
Schüttdichte g/cm³ 1.83
Härte HSD 58
Elektrischer Widerstand μω.M 10
Biegefestigkeit MPA 47
Druckfestigkeit MPA 103
Zugfestigkeit MPA 31
Der Modul von Young GPA 11.8
Wärmeausdehnung (CTE) 10-6K-1 4.6
Wärmeleitfähigkeit W·m-1· K-1 130
Durchschnittliche Korngröße μm 8-10
Porosität % 10
Ascheninhalt ppm ≤10 (nach der Reinigung)

        Hinweis: Vor dem Beschichten führen wir eine erste Reinigung durch, nach dem Beschichten führen wir eine zweite Reinigung durch.

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung
Eigentum Typischer Wert
Kristallstruktur Polykristalline FCC -β -Phasen -FCC -β -Phase, hauptsächlich (111) orientiert
Dichte der SiC-Beschichtung 3,21 g/cm³
CVD -SIC -Beschichtungshärte 2500 Vickers-Härte (500 g Belastung)
Körnung 2 ~ 10 mm
Chemische Reinheit 99,99995%
Wärmekapazität 640 J · kg-1· K-1
Sublimationstemperatur 2700 ℃
Biegefestigkeit 415 MPa RT 4-Punkt
Elastizitätsmodul 430 GPA 4PT Bend, 1300 ℃
Wärmeleitfähigkeit 300W · m-1· K-1
Wärmeausdehnung (CTE) 4,5 × 10-6K-1

VeTek SemiconductorSiC-beschichteter Graphit-Fass-Suszeptor für EPIProduktionsgeschäft

SiC Coated Graphite Barrel Susceptor for EPI products shops

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