CVD-Siliziumkarbid (SiC) beschichteter RTP-Suszeptor

Merkmale

• Therma Gleichmäßigkeit – Die hohe thermische Eigenschaft des Materials Die Diffusionsfähigkeit ermöglicht eine schnelle, räumlich gleichmäßige Wärmeübertragung und unterstützt wiederholbare Wafer-Temperaturprofile.
• Hoher Reinheitsgrad – Die CVD-SiC-Beschichtung erreicht eine Reinheit von 99,99995 %, wodurch das Risiko einer Kontamination mit mobilen Ionen und Metallen in kritischen Prozessschritten effektiv reduziert wird.
• Chemische Haltbarkeit – Die Beschichtung weist bei erhöhten Temperaturen eine starke Beständigkeit gegenüber korrosiven Spezies, einschließlich Gasen auf Halogenbasis, auf.l Verlängerte Wartungsintervalle – Verbesserte Oxidations- und Verschleißbeständigkeit führen zu weniger Austauschen und kürzeren Werkzeugausfallzeiten.
• Designflexibilität – Abmessungen und Konfigurationen können an spezifische RTP-Kammergeometrien und Wafergrößen angepasst werden.

Anwendungen

• Schnelle thermische Verarbeitung (RTP)
• Schnelles thermisches Ausheilen (RTA)
• Dotierstoffaktivierung, Oxidations- und Glühschritte
• Herstellung integrierter Schaltkreise (IC).
• Herstellung von LeistungsgerätenTechnisch
  
  

Spezifikationen

Warum sollten Sie sich für VeTek Semiconductor entscheiden??

• Eigens entwickelter CVD-SiC-Beschichtungsprozess, der speziell für die Anforderungen in Halbleiterqualität entwickelt wurde.
• Integrierte Funktionen zur Graphitreinigung, Präzisionsbearbeitung und Schichtdickenkontrolle.
• Bewährte Beschichtungshaftung und Schichtgleichmäßigkeit über die gesamte Chargenproduktion hinweg.
• Technische Unterstützung für kundenspezifische Suszeptordesigns, die mit den wichtigsten RTP-Toolplattformen kompatibel sind.
• Eine strenge Wareneingangskontrolle, prozessbegleitende Überwachung und abschließende Qualifizierungstests gewährleisten die Konsistenz von Charge zu Charge.