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Zu den wichtigsten Wachstumsmethoden von Siliciumcarbid (SIC) gehören PVT, TSSG und HTCVD mit jeweils unterschiedlichen Vorteilen und Herausforderungen. Thermische Feldmaterialien auf Kohlenstoffbasis wie Isolationssystemen, Kreuzgruppen, TAC-Beschichtungen und poröse Graphit verbessern das Kristallwachstum, indem sie Stabilität, Wärmeleitfähigkeit und Reinheit verleihen, die für die genaue Herstellung und Anwendung von SIC wesentlich sind.

SiC verfügt über eine hohe Härte, Wärmeleitfähigkeit und Korrosionsbeständigkeit und eignet sich daher ideal für die Halbleiterfertigung. Die CVD-SiC-Beschichtung wird durch chemische Gasphasenabscheidung erzeugt und bietet eine hohe Wärmeleitfähigkeit, chemische Stabilität und eine passende Gitterkonstante für epitaktisches Wachstum. Seine geringe Wärmeausdehnung und hohe Härte sorgen für Haltbarkeit und Präzision und machen es unverzichtbar für Anwendungen wie Waferträger, Vorheizringe und mehr. VeTek Semiconductor ist auf kundenspezifische SiC-Beschichtungen für verschiedene Branchenanforderungen spezialisiert.

Siliziumcarbid (SIC) ist ein hochpräzises Halbleitermaterial, das für seine hervorragenden Eigenschaften wie Hochtemperaturwiderstand, Korrosionsbeständigkeit und hohe mechanische Festigkeit bekannt ist. Es hat über 200 Kristallstrukturen, wobei 3c-sic der einzige kubische Typ ist und im Vergleich zu anderen Typen überlegene natürliche Sphärizität und Verdichtung bietet. 3C-SIC zeichnet sich durch seine hohe Elektronenmobilität aus und ist damit ideal für MOSFETs in der Leistungselektronik. Darüber hinaus zeigt es ein großes Potenzial für Nanoelektronik, blaue LEDs und Sensoren.

Diamant, ein potenzieller „ultimativer Halbleiter“ der vierten Generation, gewinnt aufgrund seiner außergewöhnlichen Härte, Wärmeleitfähigkeit und elektrischen Eigenschaften bei Halbleitersubstraten an Aufmerksamkeit. Obwohl die hohen Kosten und Produktionsherausforderungen den Einsatz einschränken, ist CVD die bevorzugte Methode. Trotz Dotierung und großflächiger Kristallherausforderungen ist Diamant vielversprechend.

SIC und GaN sind breite Bandgap -Halbleiter mit Vorteilen gegenüber Silizium wie höheren Breakdown -Spannungen, schnellere Schaltgeschwindigkeiten und überlegene Effizienz. SIC ist aufgrund seiner höheren thermischen Leitfähigkeit besser für Hochleistungsanwendungen mit Hochleistungsanwendungen, während Gan dank seiner überlegenen Elektronenmobilität in hochfrequenten Anwendungen auszeichnet.

Die Elektronenstrahlverdampfung ist im Vergleich zu Widerstandserwärmung eine hocheffiziente und weit verbreitete Beschichtungsmethode, die das Verdunstungsmaterial mit einem Elektronenstrahl erhitzt und dazu führt, dass es verdampft und in einen dünnen Film kondensiert.