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Anwendung von Wärmefeldmaterialien auf Kohlenstoffbasis im Siliziumkarbidkristallwachstum21 2024-10

Anwendung von Wärmefeldmaterialien auf Kohlenstoffbasis im Siliziumkarbidkristallwachstum

Zu den wichtigsten Wachstumsmethoden von Siliciumcarbid (SIC) gehören PVT, TSSG und HTCVD mit jeweils unterschiedlichen Vorteilen und Herausforderungen. Thermische Feldmaterialien auf Kohlenstoffbasis wie Isolationssystemen, Kreuzgruppen, TAC-Beschichtungen und poröse Graphit verbessern das Kristallwachstum, indem sie Stabilität, Wärmeleitfähigkeit und Reinheit verleihen, die für die genaue Herstellung und Anwendung von SIC wesentlich sind.
Warum erhält die SiC-Beschichtung so viel Aufmerksamkeit? - VeTek Semiconductor17 2024-10

Warum erhält die SiC-Beschichtung so viel Aufmerksamkeit? - VeTek Semiconductor

SiC verfügt über eine hohe Härte, Wärmeleitfähigkeit und Korrosionsbeständigkeit und eignet sich daher ideal für die Halbleiterfertigung. Die CVD-SiC-Beschichtung wird durch chemische Gasphasenabscheidung erzeugt und bietet eine hohe Wärmeleitfähigkeit, chemische Stabilität und eine passende Gitterkonstante für epitaktisches Wachstum. Seine geringe Wärmeausdehnung und hohe Härte sorgen für Haltbarkeit und Präzision und machen es unverzichtbar für Anwendungen wie Waferträger, Vorheizringe und mehr. VeTek Semiconductor ist auf kundenspezifische SiC-Beschichtungen für verschiedene Branchenanforderungen spezialisiert.
Warum hebt sich 3c-sic unter vielen SiC-Polymorphen aus? - Vetek Semiconductor16 2024-10

Warum hebt sich 3c-sic unter vielen SiC-Polymorphen aus? - Vetek Semiconductor

Siliziumcarbid (SIC) ist ein hochpräzises Halbleitermaterial, das für seine hervorragenden Eigenschaften wie Hochtemperaturwiderstand, Korrosionsbeständigkeit und hohe mechanische Festigkeit bekannt ist. Es hat über 200 Kristallstrukturen, wobei 3c-sic der einzige kubische Typ ist und im Vergleich zu anderen Typen überlegene natürliche Sphärizität und Verdichtung bietet. 3C-SIC zeichnet sich durch seine hohe Elektronenmobilität aus und ist damit ideal für MOSFETs in der Leistungselektronik. Darüber hinaus zeigt es ein großes Potenzial für Nanoelektronik, blaue LEDs und Sensoren.
Diamant – der zukünftige Star der Halbleiter15 2024-10

Diamant – der zukünftige Star der Halbleiter

Diamant, ein potenzieller „ultimativer Halbleiter“ der vierten Generation, gewinnt aufgrund seiner außergewöhnlichen Härte, Wärmeleitfähigkeit und elektrischen Eigenschaften bei Halbleitersubstraten an Aufmerksamkeit. Obwohl die hohen Kosten und Produktionsherausforderungen den Einsatz einschränken, ist CVD die bevorzugte Methode. Trotz Dotierung und großflächiger Kristallherausforderungen ist Diamant vielversprechend.
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