4H-Typ SIC-Substrat

Vetek Semiconductor4H-Typ SIC-SubstratProdukte verfügen über hervorragende elektrische, thermische und mechanische Eigenschaften. Daher wird dieses Produkt häufig bei der Verarbeitung von Halbleiterbauelementen verwendet, die hohe Leistung, hohe Frequenz, hohe Temperatur und hohe Zuverlässigkeit erfordern.

Die Breakdown-Elektrofeldstärke von 4H N-Typ-sic beträgt bis zu 2,2 bis 3,0 mV/cm. Diese Produktfunktion ermöglicht die Herstellung kleinerer Geräte mit höheren Spannungen, sodass unser 4H-SIC-Substrat häufig zur Herstellung von MOSFETs, Schottky und JFETs verwendet wird.

Die thermische Leitfähigkeit von 4H-Typ-SIC-Wafer beträgt etwa 4,9 W/cm · k, was dazu beiträgt, Wärme effektiv abzuleiten, die Wärmeakkumulation zu reduzieren, die Lebensdauer der Geräte zu verlängern und für Anwendungen mit hoher Stromdichte geeignet zu sein.

Darüber hinaus kann der SiC-Wafer vom N-Typ 4H von Vetek Semiconductor auch bei Temperaturen von bis zu 600 °C eine stabile elektronische Leistung aufweisen, sodass er häufig zur Herstellung von Hochtemperatursensoren verwendet wird und sich sehr gut für extreme Umgebungen eignet.

Durch den Anbau einer Siliziumkarbid-Epitaxialschicht auf einem Silizium-Carbid-Substrat vom N-Typ kann das Homoepitaxial-Wafer Silizium-Carbid weiter in Stromversorgungsgeräte wie SBD, MOSFET, IGBT usw. verarbeitet werden, die in Elektrofahrzeugen, Eisenbahntransport, Hochdurchschnitt verwendet werden -Power -Übertragung und -Transformation usw.

Vetek Semiconductorstrebt weiterhin eine höhere Kristallqualität und Verarbeitungsqualität an, um den Kundenbedürfnissen gerecht zu werden. Derzeit sind sowohl 6-Zoll- als auch 8-Zoll-Produkte erhältlich. Im Folgenden sind die grundlegenden Produktparameter des 6-Zoll- und 8-Zoll-SIC-Substrats aufgeführt:

6-Zoll-N-Typ-SiC-Substrat GRUNDLEGENDE PRODUKTSPEZIFIKATIONEN:

8-Zoll-N-Typ-SiC-Substrat GRUNDLEGENDE PRODUKTSPEZIFIKATIONEN:

4H-Typ SIC-Substrat-Erkennungsmethode und Terminologie: