Großer SiC-Kristallwachstumsofen mit Widerstandsheizung

Technische Parameter

Kernvorteile

 ● Kompatibilität in voller Größe

Ermöglicht ein stabiles Wachstum von 6-Zoll-, 8-Zoll- und 12-Zoll-Siliziumkarbidkristallen, vollständig kompatibel mit leitfähigen, halbisolierenden und N-Typ-Materialsystemen. Es deckt den Produktionsbedarf von Produkten mit unterschiedlichen Spezifikationen ab und passt sich verschiedenen Anwendungsszenarien an.

● Starke Prozessstabilität

Die 8-Zoll-Kristalle haben eine ausgezeichnete 4H-Polytyp-Konsistenz, eine stabile Oberflächenform und eine hohe Wiederholgenauigkeit; Die Verifizierung der 12-Zoll-Siliziumkarbid-Kristallwachstumstechnologie mit hoher Machbarkeit in der Massenproduktion wurde abgeschlossen.

● Niedrige Kristallfehlerrate

Durch die präzise Steuerung von Temperatur, Druck und Leistung werden Kristallfehler wirksam reduziert, wobei die Schlüsselindikatoren den Standards entsprechen: EPD=1435 ea/cm², BPD=381 ea/cm², TSD=0 ea/cm² und TED=1054 ea/cm². Alle Fehlerindikatoren erfüllen die hohen Anforderungen an die Kristallqualität und verbessern die Barrenausbeute erheblich.

● Kontrollierbare Betriebskosten

Es hat den niedrigsten Energieverbrauch unter ähnlichen Produkten. Kernkomponenten (z. B. Wärmedämmschilde) haben einen langen Austauschzyklus von 6–12 Monaten, wodurch die Gesamtbetriebskosten gesenkt werden.

● Plug-and-Play-Komfort

Maßgeschneiderte Rezept- und Prozesspakete basierend auf den Eigenschaften der Ausrüstung, verifiziert durch Langzeit- und Mehrchargenproduktion, sodass eine sofortige Produktion nach der Installation möglich ist.

● Sicherheit und Zuverlässigkeit

Verwendet ein spezielles Anti-Lichtbogen-Funkendesign, um potenzielle Sicherheitsrisiken auszuschließen; Echtzeit-Überwachungs- und Frühwarnfunktionen vermeiden proaktiv betriebliche Risiken.

● Hervorragende Vakuumleistung

Die ultimativen Vakuum- und Druckanstiegsraten-Indikatoren übertreffen international führende Werte und gewährleisten eine saubere Umgebung für das Kristallwachstum.

● Intelligente Bedienung und Wartung

Verfügt über eine intuitive HMI-Schnittstelle in Kombination mit umfassender Datenaufzeichnung und unterstützt optionale Fernüberwachungsfunktionen für ein effizientes und komfortables Produktionsmanagement.

Visuelle Darstellung der Kernleistung

Genauigkeitskurve der Temperaturregelung

Temperaturregelgenauigkeit des Kristallwachstumsofens ≤ ±0,3 °C; Übersicht über den Temperaturverlauf

Diagramm zur Genauigkeit der Druckregelung

Druckregelgenauigkeit des Kristallwachstumsofens: 1,0 Torr, Druckregelgenauigkeit: 0,001 Torr

Präzision der Leistungsstabilität

Stabilität und Konsistenz zwischen Öfen/Chargen: Die Stabilitätsgenauigkeit der Leistung

Im Kristallwachstumsstatus beträgt die Genauigkeit der Leistungssteuerung während eines stabilen Kristallwachstums ±0,15 %.

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