Branchennachrichten

Der Taiko -Prozess verdünnt Siliziumwafer mit seinen Prinzipien, technischen Vorteilen und den Prozessursprüngen.

8-Zoll-SIC-Epitaxialofen und Homoepitaxialprozessforschung

Der Artikel analysiert die Materialeigenschaften von Halbleitersubstratwafern wie Silizium, GaAs, SiC und GaN

Dieser Artikel beschreibt hauptsächlich die GaN-basierte Niedertemperatur-Epitaxial-Technologie, einschließlich der Kristallstruktur von GaN-basierten Materialien, 3. Epitaxiale Technologieanforderungen und -Lentationslösungen, die Vorteile der auf PVD-Prinzipien basierenden epitaxialen Technologie mit niedriger Temperaturen.