CVD-SiC-Beschichtungs-Graphitteile-Reinigungsservice

1. Herausforderungen, denen Sie möglicherweise gegenüberstehen

• AlN-Schicht schwer zu entfernen:Die thermische Reinigung bei 1300 °C kann die verbleibende AlN-Schicht immer noch nicht wirksam ätzen.

• Wiederkehrender Memory-Effekt:Der Oberflächengedächtniseffekt führt zu einer instabilen Gasströmung im Reaktor und beeinträchtigt die Prozesskonsistenz.

• Reinigungszyklus-Auswirkungents Durchsatz:Typischerweise ist alle 16 Prozesszyklen (4–5 Suszeptoren) eine externe Reinigung erforderlich.

• Bedenken hinsichtlich der Beschädigung kostspieliger Beschichtungen:Mangelnde interne Erfahrung in der chemischen Reinigung führt dazu, dass die Bediener zögern, eine aggressive Reinigung durchzuführen.

2. Unsere Lösung – Entwickelt für GaN-/AlN-/AlGaN-Prozesse

• Professionelle Reinigung:Kundenspezifischer Prozess, der speziell für CVD-SiC-beschichtete Graphitteile entwickelt wurde. Vom Kunden ist keine chemische Formel erforderlich.

• Beschichtungssicherheit:Schützt die 100 µm CVD-SiC-Beschichtung umfassend. Absolut kein Dickenverlust nach der Reinigung.

• Überprüfbare Ergebnisse:Vollständiges Analysezertifikat (COA), das fünf Kerndimensionen abdeckt. Daten bereit für Archivierung und Qualitätsprüfung.

3. Fünf zentrale Akzeptanzkriterien

Streng auf die kritischen Anforderungen von Anwendern der Halbleiterepitaxie abgestimmt:

1. Kein Beschichtungsverlust– Die Dicke der SiC-Beschichtung verringert sich nach der Reinigung nie (Überprüfung der Dickenvergleiche vor/nachher).

2. Keine Oberflächenverformung– Ebenheit und geometrische Genauigkeit werden streng geprüft, um sicherzustellen, dass es zu keiner physikalischen Verformung kommt.

3. Beseitigen Sie den Memory-Effekt– Die XPS-Analyse für Al/Ga-Reste bestätigt die gründliche Entfernung von Memory-Effekt-Quellen.

4. Keine Metallrückstände– ICP-MS-Tests auf Fe, Cu, Ni und andere Metalle bestätigen, dass keine metallischen Verunreinigungen mehr vorhanden sind.

5. Keine überschüssigen Partikel– Der QIII-Partikeltest und die Überprüfung der Sauberkeit verhindern eine durch Restpartikel verursachte Instabilität des Gasflusses.

4. Lieferinspektion und COA-Bericht

Jede Charge wird mit vollständigen Verifizierungsdaten für fünf Kerndimensionen geliefert:

5. Anwendbare Produkte und Prozesshintergrund

Produktparameter

Serviceprozess

1. Anfrage– Teilefotos / Modell / Menge zur Bewertung senden.

2. Angebot– Technische Bewertung und detaillierter Reinigungsvorschlag mit Kostenvoranschlag.

3. Versand– Senden Sie Teile an uns oder vereinbaren Sie einen Abholservice.

4. Reinigung– Professionelle Reinigung + vollständige mehrdimensionale Inspektion.

5. Bericht– COA-Bericht ausgestellt und gereinigte Teile zurückgegeben.

6. Nachbereitung– Effektverfolgung und fortlaufender technischer Support.

6. Warum sollten Sie sich für den VETEK-Reinigungsservice entscheiden?

VETEK kombiniert umfassendes Fachwissen in der CVD-SiC-Beschichtungstechnologie mit speziellen Reinigungskapazitäten für hochwertige Graphitsuszeptoren. Wir verstehen die entscheidende Bedeutung der Beschichtungsintegrität, der Partikelkontrolle und der Prozessreinheit bei der GaN/AlN-Epitaxie. Unser Service richtet sich an Kunden, die absolute Sicherheit für teure CVD-SiC-Beschichtungen benötigen und gleichzeitig Probleme mit dem Memory-Effekt und der Gasströmungsinstabilität vollständig lösen möchten.

· Für die Überprüfung kleiner Chargen ist eine Probereinigung möglich

· Vollständiger COA-Bericht, der jeder Lieferung beiliegt

· Kein Risiko von Beschichtungsschäden oder neuer Kontamination

· Professionell · Sicher · Überprüfbar