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CVD-Siliziumkarbid (SiC) beschichteter Graphit-Duschkopf
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CVD-Siliziumkarbid (SiC) beschichteter Graphit-Duschkopf

Wenn Sie jemals mit einem ungleichmäßigen Gasfluss oder einer Partikelverunreinigung in einer Abscheidungskammer zu kämpfen hatten, ist der VETEK CVD SiC-beschichtete Graphit-Duschkopf genau das Richtige für Sie. Es beginnt mit hochreinem isostatischem Graphit für thermische Stabilität und einfache Bearbeitung und erhält dann eine dichte CVD-Siliziumkarbid (SiC)-Beschichtung, die die Oberfläche versiegelt, korrosiven Gasen (wie HCl oder NF₃) widersteht und ein Ausgasen verhindert. Das Ergebnis ist eine Gasverteilungsplatte, die einen gleichmäßigen Fluss über den Wafer liefert, Hochtemperaturepitaxie beherrscht und viel länger hält als blanker Graphit oder Quarz – was sie zu einer zuverlässigen Komponente für CVD-, PECVD-, MOCVD-, Siliziumepitaxie- und SiC-Epitaxieprozesse macht. Wir bieten auch kundenspezifische Lochmuster und -größen an, da keine zwei Reaktoren genau gleich sind.

Hauptmerkmale

• Ultrahohe Reinheit – Die SiC-Beschichtung versiegelt den Graphit vollständig, so dass kein Ausgasen oder Metallverunreinigungen auftreten.

• Hervorragende Gasverteilung – Jeder Duschkopf ist so gefertigt, dass er eine gleichmäßige Gasgeschwindigkeit über den gesamten Wafer liefert.

• Hervorragende Korrosionsbeständigkeit – CVD-SiC reagiert nicht mit Halogenen oder Prozessrückständen. Es hält viel länger als blanker Graphit oder Quarz.

• Hervorragende thermische Leistung – Die Beschichtung passt sich genau der thermischen Ausdehnung von Graphit an, so dass bei schnellen Temperaturanstiegen keine Risse entstehen.

• Präzisionsfertigung – Wir nutzen CNC-Bearbeitung und hauseigene CVD-Beschichtung. Lochdurchmesser und -muster unterliegen engen Toleranzen.


Technische Spezifikationen



Anwendungen

Diese Duschköpfe werden verwendet in:

• Halbleiter-CVD-Systeme (sowohl Produktion als auch Forschung und Entwicklung)

• PECVD-Ausrüstung – Niedertemperatur-Dielektrika

• MOCVD-Reaktoren – III-V-Verbindungen wie GaN, InP

• Siliziumepitaxie (Si Epi) – für Leistungsgeräte und CMOS

• SiC-Epitaxie – Hochspannungs-Leistungselektronik

• Verbundhalbleiterfabriken

• Erweiterte Verpackung (z. B. TSV-Liner-Ablagerung)

• Jedes Dünnschichtwerkzeug, das einen korrosionsbeständigen, hochreinen Gasverteiler benötigt



Warum VETEK wählen?

• Wir sind kein Handelsunternehmen. Alles – von der Graphitbearbeitung bis zur abschließenden CVD-SiC-Beschichtung – wird im eigenen Haus durchgeführt. Das bedeutet, dass wir die Qualität, Lieferzeit und Kosten kontrollieren.

• Vollständige Inhouse-Fertigung – keine Outsourcing-Überraschungen

• Fortschrittliche Beschichtungstechnologie – dichtes, lochfreies CVD-SiC

• Kundenspezifische technische Unterstützung – senden Sie uns Ihre Duschkopfzeichnung oder einfach das Reaktormodell

• Zuverlässige Halbleiterlieferkette – wir beliefern seit Jahren Fabriken und OEMs

• Sie müssen ein neues Design nicht jedes Mal neu qualifizieren. Wir haben bereits Duschköpfe für viele gängige Plattformen (AMAT, TEL, LAM, ASM usw.) beschichtet.


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