CVD TAC -Beschichtungswaferträger

Während des Semiconductor -Herstellungsprozesses wurde Vetek Semiconductor's von VetekCVD TAC -Beschichtungswaferträgerist ein Tablett, mit dem Wafer getragen werden. Dieses Produkt verwendet einen chemischen Dampfabscheidungsprozess (CVD), um eine Schicht TAC -Beschichtung auf der Oberfläche desWaferträgersubstrat. Diese Beschichtung kann die Oxidation und Korrosionsbeständigkeit des Waferträgers erheblich verbessern und gleichzeitig die Partikelverunreinigung während der Verarbeitung reduzieren. Es ist eine wichtige Komponente in der Halbleiterverarbeitung.

Deals Semiconductor'sCVD TAC -Beschichtungswaferträgerbesteht aus einem Substrat und aTantal -Carbid (TAC) -Mehne.

Die Dicke von Tantal -Carbidbeschichtungen liegt typischerweise im Reichweite von 30 Mikrometer, und TAC hat einen Schmelzpunkt von bis zu 3.880 ° C und bietet unter anderem eine hervorragende Korrosions- und Verschleißfestigkeit.

Das Basismaterial des Trägers besteht aus hochreinem Graphit oderSiliziumkarbid (sic)und dann wird eine TAC -Schicht (Knoop -Härte bis zu 2000 HK) durch einen CVD -Prozess auf der Oberfläche beschichtet, um seinen Korrosionsbeständigkeit und die mechanische Festigkeit zu verbessern.

Während des Waferprozesses hat Vetek Semiconductor's'sCVD TAC -Beschichtungswaferträgerkann die folgenden wichtigen Rollen spielen:

1. Schutz der Wafer

Physischer Schutz Der Träger dient als physische Barriere zwischen Wafer und externen mechanischen Schädenquellen. Wenn Wafer zwischen verschiedenen Verarbeitungsgeräten wie zwischen einer Chemikalie -Dampfabscheidung (CVD) und einem Ätzwerkzeug übertragen werden, sind sie anfällig für Kratzer und Auswirkungen. Der CVD -TAC -Schicht -Waferträger hat eine relativ harte und glatte Oberfläche, die normale Handhabungskräfte standhalten und einen direkten Kontakt zwischen Wafer und rauen oder scharfen Objekten verhindern kann, wodurch das Risiko einer physischen Schädigung der Wafer verringert wird.

Der chemische Schutz TAC hat eine ausgezeichnete chemische Stabilität. Während verschiedener chemischer Behandlungsschritte im Waferprozess, wie z. B. Nassetching oder chemischer Reinigung, kann die CVD -TAC -Beschichtung verhindern, dass die chemischen Mittel direkt in Kontakt mit dem Trägermaterial kommen. Dies schützt den Waferträger vor Korrosion und chemischem Angriff, um sicherzustellen, dass keine Verunreinigungen aus dem Träger auf die Wafer freigesetzt werden, wodurch die Integrität der Waferoberflächenchemie aufrechterhalten wird.

2. Unterstützung und Ausrichtung

Stabile Unterstützung Der Waferträger bietet eine stabile Plattform für Wafer. In Prozessen, bei denen Wafer einer hohen Temperaturbehandlung oder hohen Druckumgebungen ausgesetzt sind, z. Das richtige Design und die hochwertige TAC -Beschichtung des Trägers gewährleisten eine gleichmäßige Spannungsverteilung über den Wafer, wobei seine Flachheit und strukturelle Integrität aufrechterhalten wird.

Eine genaue Ausrichtung genaue Ausrichtung ist für verschiedene Lithographie- und Abscheidungsprozesse von entscheidender Bedeutung. Der Waferträger ist mit präzisen Ausrichtungsmerkmalen ausgelegt. Die TAC -Beschichtung trägt dazu bei, die dimensionale Genauigkeit dieser Ausrichtungsmerkmale im Laufe der Zeit zu erhalten, auch nach mehreren Verwendungen und Exposition gegenüber unterschiedlichen Verarbeitungsbedingungen. Dies stellt sicher, dass die Wafer in der Verarbeitungsgeräte genau positioniert sind und eine präzise Strukturierung und Schichtung von Halbleitermaterialien auf der Waferoberfläche ermöglichen.

3. Wärmeübertragung

Eine gleichmäßige Wärmeverteilung bei vielen Waferprozessen wie thermischer Oxidation und CVD ist eine präzise Temperaturregelung von wesentlicher Bedeutung. Der CVD TAC -Beschichtungswaferträger hat gute Wärmeleitfähigkeitseigenschaften. Es kann während des Heizvorgangs gleichmäßig Wärme in den Wafer übertragen und den Wärme während des Kühlprozesses entfernen. Diese gleichmäßige Wärmeübertragung hilft dabei, die Temperaturgradienten über den Wafer zu reduzieren und thermische Spannungen zu minimieren, die zu Defekten der Halbleitergeräte auf dem Wafer führen können.

Verbesserte Wärme - Übertragungseffizienz Die TAC -Beschichtung kann die Gesamtwärmeeigenschaften des Waferträgers verbessern. Im Vergleich zu unbeschichteten Trägern oder Trägern mit anderen Beschichtungen kann die TAC -Beschichtungsoberfläche eine günstigere Oberfläche haben - Energie und Textur für den Wärmeaustausch mit der Umgebung und dem Wafer selbst. Dies führt zu einer effizienteren Wärmeübertragung, die die Verarbeitungszeit verkürzen und die Produktionseffizienz des Waferherstellungsprozesses verbessern kann.

4. Kontaminationskontrolle

Niedrige Outgas -Eigenschaften Die TAC -Beschichtung weist typischerweise ein geringes Outgassing -Verhalten auf, was in der sauberen Umgebung des Waferherstellungsprozesses von entscheidender Bedeutung ist. Durch die Ausgabe von flüchtigen Substanzen aus dem Waferträger kann die Waferoberfläche und die Verarbeitungsumgebung kontaminieren, was zu Gerätenfehlern und reduzierten Erträgen führt. Die niedrige Outgasation der Natur der CVD -TAC -Beschichtung stellt sicher, dass der Träger nicht unerwünschte Verunreinigungen in den Prozess einführt und die hohen Reinheitsanforderungen für die Herstellung von Halbleiter beibehält.

Partikel - Freie Oberfläche Die glatte und gleichmäßige Natur der CVD -TAC -Beschichtung verringert die Wahrscheinlichkeit einer Partikelerzeugung auf der Trägeroberfläche. Partikel können sich während der Verarbeitung an den Wafer halten und Defekte in den Halbleitergeräten verursachen. Durch die Minimierung der Partikelerzeugung trägt der TAC -Beschichtungswaferträger dazu bei, die Sauberkeit des Waferherstellungsprozesses zu verbessern und die Produktausbeute zu erhöhen.

Tantal-Carbid (TAC) -Beschicht auf einem mikroskopischen Querschnitt:

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD -TAC -Beschichtung：

Es HalbleiterCVD TAC Coating Wafer Carrier Production Shops: