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TAC Coated Defweictor Ring
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TAC Coated Defweictor Ring

Vetek Semiconductor's TAC Coated DefLector Ring ist eine hochspezialisierte Komponente, die für SIC -Kristallwachstumsprozesse ausgelegt ist. Die TAC -Beschichtung bietet eine hervorragende hohe Temperaturresistenz und chemische Inertheit, um die hohen Temperaturen und korrosiven Umgebungen während des Kristallwachstums zu bewältigen. Dies gewährleistet eine stabile Leistung und lange Lebensdauer der Komponente, wodurch die Häufigkeit von Ersatz und Ausfallzeiten verringert wird. Wir sind bestrebt, Qualitätsprodukte zu wettbewerbsfähigen Preisen bereitzustellen, und freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu sein.

Vetek Semiconductor ist ein professioneller China -Hersteller und Lieferant von China TAC Coated Deflector Ring. Diese Komponenten sind in Umgebungen von entscheidender Bedeutung, die Hochtemperaturwiderstand, außergewöhnliche Haltbarkeit und unübertroffene chemische Trägheit erfordern.

Der TAC -beschichtete Deflektorring wird aus Tantal -Carbid mit hohem Reinheit hergestellt, das eine hervorragende thermische Leitfähigkeit und extreme Widerstand gegen hohe Temperaturen und thermische Schock bietet. Die TAC -Beschichtung der Komponente bietet eine zusätzliche Schutzschicht vor aggressiven Chemikalien und harten Umgebungen, die im Kristallwachstum häufig sind. Das Vorhandensein der Beschichtung erhöht die Haltbarkeit und Lebensdauer der Komponente und sorgt für eine konsistente Leistung über mehrere Zyklen.

Der TAC -beschichtete Deflektor -Ring kann Temperaturen bis zu 2200 ° C standhalten, was ihn für Hochtemperaturprozesse ideal macht. TAC -beschichtete Deflexring werden hauptsächlich in der Halbleiterindustrie verwendet, insbesondere für das Kristallwachstum von Siliziumkarbid. Geeignet für Forschungs- und Industrie -Skala -Kristallwachstumsreaktoren.


Produktparameter des TAC -beschichteten Defflektorrings

Physikalische Eigenschaften der TAC -Beschichtung
Dichte 14,3 (g/cm³)
Spezifischer Emissionsvermögen 0.3
Wärmeleitkoeffizient 6,3 × 10-6/K
Härte (HK) 2000 HK
Widerstand 1 × 10-5Ohm*cm
Wärmestabilität <2500 ℃
Graphitgröße ändert sich -10 ~ -20um
Beschichtungsdicke ≥ 20 um einen typischen Wert (35 € ± 10um)


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Überblick über die Semiconductor Chip Epitaxy Industry -Kette:

Overview of the semiconductor chip epitaxy industry chain


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