Hochreines CVD-SiC-beschichtetes Waferboot

1. Kernleistungsfaktoren?

• Reinheit auf der 7N-Ebene:Wir halten einen Reinheitsstandard von 99,99999 % (7N) ein. Dies ist nicht verhandelbar, um zu verhindern, dass Metallverunreinigungen während langer Eintreib- oder Oxidationsschritte in den Wafer eindringen.
• Die CVD-Dichtung (50–300 μm):Wir „streichen“ nicht nur die Oberfläche. Unsere 50–300 μm dicke CVD-SiC-Schicht sorgt für eine vollständige Abdichtung über dem Substrat. Dadurch wird Porosität beseitigt, was bedeutet, dass das Boot keine Chemikalien einfängt oder Partikel abgibt, selbst wenn es wiederholt reaktiven Gasen oder aggressiver SPM/DHF-Reinigung ausgesetzt ist.
• Thermische Steifigkeit:Die natürliche geringe Wärmeausdehnung von Siliziumkarbid hält diese Boote gerade. Beim Rapid Thermal Annealing (RTA) verbiegen oder verbiegen sie sich nicht und stellen so sicher, dass der Roboterarm immer den richtigen Schlitz trifft, ohne zu verklemmen.
• Nachhaltige Erträge:Die Oberfläche ist für eine geringe Adhäsion von Nebenprodukten ausgelegt. Weniger Ablagerungen bedeuten, dass weniger Partikel auf Ihre Wafer treffen und mehr Durchläufe zwischen den Reinigungszyklen der Nassbank erforderlich sind.
• Benutzerdefinierte Geometrie:Jede Fabrik hat ihr eigenes Setup. Wir bearbeiten diese gemäß Ihren spezifischen Teilungs- und Schlitzzeichnungen, unabhängig davon, ob Sie einen horizontalen Ofen oder eine vertikale automatisierte 300-mm-Linie betreiben.

2. Prozesskompatibilität

• Atmosphäre:Beständig gegen TMGa, AsH₃ und hochkonzentrierte O₂-Umgebungen.
• Wärmebereich:Stabiler Langzeitbetrieb bis 1400°C.
• Materialien:Speziell entwickelt für Oxidations- und Diffusionsprozesse von Logik-, Leistungs- und Analogwafern.