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Piezoelektrische PZT-Wafer (PZT auf Si/SOI)
  • Piezoelektrische PZT-Wafer (PZT auf Si/SOI)Piezoelektrische PZT-Wafer (PZT auf Si/SOI)

Piezoelektrische PZT-Wafer (PZT auf Si/SOI)

Da die Nachfrage nach hochempfindlichen und stromsparenden MEMS-Wandlern mit der Verbreitung von 5G-Kommunikation, medizinischen Präzisionsgeräten und intelligenten Wearables wächst, bieten unsere PZT auf Si/SOI-Wafern eine entscheidende Materiallösung. Durch den Einsatz fortschrittlicher Dünnschichtabscheidungsprozesse wie Sol-Gel oder Sputtern erreichen wir eine außergewöhnliche Konsistenz und überlegene piezoelektrische Leistung auf Siliziumsubstraten. Diese Wafer dienen als grundlegender Kern für die elektromechanische Energieumwandlung.

1. Technische Architektur

Unsere Wafer verfügen über eine hochentwickelte mehrschichtige Stapelstruktur, die eine optimale Haftung, Leitfähigkeit und piezoelektrische Reaktion während der komplexen MEMS-Verarbeitung gewährleistet:

 ●Obere Elektrode (Schlüsselschicht): Pt (Platin).

Piezoschicht (Kernschicht): PZT.

Zwischenschichten: Enthält Pufferschicht, Bodenelektrode und Adhäsionsschicht zur Optimierung der Kornorientierung und Strukturstabilität.

Substrat: Kompatibel mit Si- oder SOI-Wafern.


PZT Piezoelectric Ceramic Wafers Physical Structure

2. Qualitätssicherung und Mikrostrukturanalyse

Wir gewährleisten hohe Zuverlässigkeit durch strenge technische Charakterisierung:

Typical Stack of PZT Piezoelectric Ceramic Wafers


 ●SEM-Analyse: Rasterelektronenmikroskopie-Bilder (REM) zeigen eine dichte, rissfreie Oberflächenmorphologie mit gleichmäßiger Korngrößenverteilung, ideal für hochzuverlässige MEMS-Anwendungen.

 ●XRD-Charakterisierung: Röntgenbeugungsmuster (XRD) bestätigen die Bildung einer reinen Perowskit-Phase mit einer starken (100)-Vorzugsorientierung, was maximale piezoelektrische Leistungskoeffizienten gewährleistet.


3. Technische Spezifikationen (Merkmale)

PZT-Eigenschaften
Polykristallines PZT
Piezoelektrische Konstante d31
200 Stück/N
Piezoelektrischer Koeffizient e31
-14 C/m²
Curie-Temperatur
X ℃
Wafergrößen
4 / 6 / 8 Zoll verfügbar


4. Kernanwendungen


 ● Piezoelektrische mikrobearbeitete Ultraschallwandler (pMUT): Miniaturisierte Hochfrequenz-Arrays für Fingerabdrucksensoren, Gestenerkennung und Automobil-Ultraschallradar.

 ● Kommunikation: Schlüssel zur Herstellung von FBAR- oder SAW-Filtern in 5G/6G, um eine größere Bandbreite und einen geringeren Einfügungsverlust zu erreichen.

 ● Akustische MEMS: Bietet ein starkes Einschwingverhalten für MEMS-Lautsprecher und verbessert das Signal-Rausch-Verhältnis (SNR) für MEMS-Mikrofone.

 ● Präzise Flüssigkeitskontrolle: Hochgeschwindigkeitsvibration über den D31-Modus zur präzisen Steuerung des Tröpfchenvolumens in Tintenstrahldruckköpfen im Nanoliterbereich.

 ● Medizin & Schönheit (Mikropumpen): Treibt medizinische Vernebler oder kosmetische Ultraschallpumpen mit hoher Zuverlässigkeit und kompakter Größe an.


5. Anpassungsdienste

Zusätzlich zur Standardabscheidung auf Si-Wafern bieten wir auch kundenspezifische Abscheidungsdienstleistungen an:

 ●Anpassung von Film und Dicke: Aufbringung spezifischer Folientypen und kundenspezifischer Dicken entsprechend den Designanforderungen.

 ●OEM-Gießerei: Abnahme der von Kunden gelieferten Wafer für hochwertiges piezoelektrisches Dünnschichtwachstum.

 ●SOI-Substratunterstützung: Spezialisierte Abscheidung auf SOI-Wafern mit folgenden Spezifikationen:


SOI-Substratwafer
Größe
Höchste Si-Beständigkeit
Dicke
Dotierstoff
Kastenschicht
6 Zoll, 8 Zoll
> 5000 Ohm/cm




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