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MOCVD-Suszeptor mit TaC-Beschichtung
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MOCVD-Suszeptor mit TaC-Beschichtung

VeTek Semiconductor ist ein umfassender Anbieter, der sich mit Forschung, Entwicklung, Produktion, Design und Vertrieb von TaC-Beschichtungen und SiC-Beschichtungsteilen beschäftigt. Unsere Expertise liegt in der Herstellung hochmoderner MOCVD-Suszeptoren mit TaC-Beschichtung, die eine entscheidende Rolle im LED-Epitaxieprozess spielen. Wir laden Sie herzlich ein, mit uns Anfragen und weitere Informationen zu besprechen.

VETEK Semiconductor ist ein führender chinesischer Hersteller, Lieferant und Exporteur, der sich auf MOCVD -SURCEPTOR spezialisiert hatTAC -Beschichtung. Sie sind herzlich willkommen, in unsere Fabrik zu kommen, um die neuesten, preisgünstigsten und qualitativ hochwertigsten MOCVD-Suszeptoren mit TaC-Beschichtung zu kaufen. Wir freuen uns auf die Zusammenarbeit mit Ihnen.


Die LED-Epitaxie steht vor Herausforderungen wie Kristallqualitätskontrolle, Materialauswahl und -anpassung, Strukturdesign und -optimierung, Prozesskontrolle und -konsistenz sowie Lichtextraktionseffizienz. Die Wahl des richtigen Epitaxie-Wafer-Trägermaterials ist von entscheidender Bedeutung, und die Beschichtung mit einem Tantalcarbid (TaC)-Dünnfilm (TaC-Beschichtung) bietet zusätzliche Vorteile.


Bei der Auswahl eines Epitaxie-Wafer-Trägermaterials müssen mehrere Schlüsselfaktoren berücksichtigt werden:


● Temperaturtoleranz und chemische Stabilität: LED -Epitaxienprozesse beinhalten hohe Temperaturen und können die Verwendung von Chemikalien beinhalten. Daher ist es notwendig, Materialien mit guter Temperaturtoleranz und chemischer Stabilität auszuwählen, um die Stabilität des Trägers in Hochtemperatur- und chemischen Umgebungen zu gewährleisten.

● Oberflächenflatheit und Verschleißfestigkeit: Die Oberfläche des Epitaxie-Waferträgers sollte eine gute Ebenheit aufweisen, um einen gleichmäßigen Kontakt und ein stabiles Wachstum des Epitaxie-Wafers zu gewährleisten. Darüber hinaus ist die Verschleißfestigkeit wichtig, um Oberflächenschäden und Abrieb zu verhindern.

● Wärmeleitfähigkeit: Die Auswahl eines Materials mit einer guten thermischen Leitfähigkeit hilft dabei, die Wärme effektiv abzuleiten, eine stabile Wachstumstemperatur für die Epitaxienschicht aufrechtzuerhalten und die Prozessstabilität und -konsistenz zu verbessern.


In dieser Hinsicht bietet die Beschichtung des Epitaxy -Wafer -Trägers mit TAC die folgenden Vorteile:


● Hochtemperaturstabilität: Die TaC-Beschichtung weist eine ausgezeichnete Hochtemperaturstabilität auf, sodass sie ihre Struktur und Leistung während Hochtemperatur-Epitaxieprozessen beibehält und eine hervorragende Temperaturtoleranz bietet.

● Chemische Stabilität: Die TaC-Beschichtung ist beständig gegen Korrosion durch übliche Chemikalien und Atmosphären, schützt den Träger vor chemischem Abbau und erhöht seine Haltbarkeit.

● Härte und Verschleißfestigkeit: Die TAC -Beschichtung besitzt eine hohe Härte und den Verschleißfestigkeit, stärkt die Oberfläche des Epitaxy -Waferträgers, reduziert Schäden und Verschleiß und verlängert ihre Lebensdauer.

● Wärmeleitfähigkeit: Die TaC-Beschichtung weist eine gute Wärmeleitfähigkeit auf, unterstützt die Wärmeableitung, sorgt für eine stabile Wachstumstemperatur der Epitaxieschicht und verbessert die Prozessstabilität und -konsistenz.


Die Auswahl eines Epitaxy-Wafer-Trägers mit einer TAC-Beschichtung hilft daher bei der Bewältigung der Herausforderungen der LED-Epitaxie und erfüllt die Anforderungen der Hochtemperatur- und chemischen Umgebungen. Diese Beschichtung bietet Vorteile wie Hochtemperaturstabilität, chemische Stabilität, Härte und Verschleißresistenz und thermische Leitfähigkeit, die zur verbesserten Leistung, Lebensdauer und Produktionseffizienz des Epitaxy-Wafer-Trägers beiträgt.


Grundlegende physikalische Eigenschaften der TAC -Beschichtung:


Physikalische Eigenschaften der TAC -Beschichtung
Beschichtungsdichte 14,3 (g/cm³)
Spezifischer Emissionsgrad 0.3
Wärmeausdehnungskoeffizient 6.3*10-6/K
TaC-Beschichtungshärte (HK) 2000 HK
Widerstand 1 × 10-5Ohm*cm
Thermische Stabilität <2500 ℃
Graphitgröße ändert sich -10 ~ -20um
Beschichtungsdicke ≥20um typischer Wert (35um±10um)


VeTek SemiconductorMOCVD -SUPPETOR mit TAC -BeschichtungProduktionsgeschäft

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Überblick über die Semiconductor Chip Epitaxy -Industriekette:

Overview of the semiconductor chip epitaxy industry chain

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