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Sic beschichtete MOCVD -SURCEPTOR
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Sic beschichtete MOCVD -SURCEPTOR

Der sic -beschichtete MOCVD -Suszeptor von Vetekememon ist ein Gerät mit hervorragendem Prozess, Haltbarkeit und Zuverlässigkeit. Sie können hohen Temperaturen und chemischen Umgebungen standhalten, eine stabile Leistung und eine lange Lebensdauer beibehalten, wodurch die Häufigkeit von Ersatz und Wartung und Verbesserung der Produktionseffizienz verringert wird. Unser MOCVD -Epitaxial -Suszeptor ist für seine hohe Dichte, hervorragende Flachheit und ausgezeichnete thermische Kontrolle bekannt. Damit ist es die bevorzugte Ausrüstung in harten Fertigungsumgebungen. Ich freue mich darauf, mit Ihnen zusammenzuarbeiten.

VekekemiconMOCVD -epitaxiale Anfällesind so konzipiert, dass sie hohen Temperaturumgebungen und harten chemischen Bedingungen standhalten, die im Waferproduktionsprozess üblich sind. Durch Precision Engineering sind diese Komponenten auf die strengen Anforderungen von epitaxialen Reaktorsystemen zugeschnitten. 


Unsere MOCVD-epitaxialen Suszeptoren bestehen aus hochwertigen Graphit-Substraten, die mit einer Schicht von beschichtet sindSiliziumkarbid (sic), was nicht nur einen hervorragenden hohen Temperatur- und Korrosionsbeständigkeit aufweist, sondern auch eine gleichmäßige Wärmeverteilung gewährleistet, was für die Aufrechterhaltung einer konsistenten epitaxialen Filmablagerung von entscheidender Bedeutung ist.


Darüber hinaus haben unsere Halbleiter -Anfälligkeiten eine ausgezeichnete thermische Leistung, was eine schnelle und gleichmäßige Temperaturregelung ermöglicht, um den Halbleiterwachstumsprozess zu optimieren. Sie sind in der Lage, dem Angriff von hoher Temperatur, Oxidation und Korrosion standzuhalten, um selbst in den schwierigsten Betriebsumgebungen einen zuverlässigen Betrieb zu gewährleisten.


Darüber hinaus sind die MOCVD-Anfällungen von Siliziumcarbidbeschichtung mit Schwerpunkt auf Gleichmäßigkeit ausgelegt, was für die Erzielung hochwertiger Einzelkristallsubstrate von entscheidender Bedeutung ist. Die Leistung der Flachheit ist wichtig, um ein hervorragendes Einkristallwachstum auf der Waferoberfläche zu erzielen.


Bei Vetekemicon ist unsere Leidenschaft für die Übersteuerung der Branchenstandards genauso wichtig wie unser Engagement für die Kosteneffizienz für unsere Partner. Wir bemühen uns, Produkte wie den MOCVD-epitaxialen Anfänger bereitzustellen, um den sich ständig ändernden Bedürfnissen der Herstellung von Halbleiter zu erfüllen, und erwarten seine Entwicklungstrends, um sicherzustellen, dass Ihr Betrieb mit den fortschrittlichsten Werkzeugen ausgestattet ist. Wir freuen uns darauf, eine langfristige Partnerschaft mit Ihnen aufzubauen und Ihnen Qualitätslösungen zu bieten.


Produktparameter der Sic beschichtete MOCVD -SURCEPTOR

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD -sic -Beschichtung
Eigentum Typischer Wert
Kristallstruktur Polykristalline FCC -β -Phasen -FCC -β -Phase, hauptsächlich (111) orientiert
Dichte 3,21 g/cm³
Härte 2500 Vickers Härte (500 g Last)
Körnung 2 ~ 10 mm
Chemische Reinheit 99,99995%
Wärmekapazität 640 J · kg-1· K-1
Sublimationstemperatur 2700 ℃
Biegerstärke 415 MPa RT 4-Punkte
Young's Modul 430 GPA 4PT Bend, 1300 ℃
Wärmeleitfähigkeit 300W · m-1· K-1
Wärmeausdehnung (CTE) 4,5 × 10-6K-1


CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE

SEM -Daten der CVD -SIC -Filmkristallstruktur

Vetekemicon Sic Coated Mocvd Susceptor Geschäft

SiC Coated MOCVD Susceptor Production Shop

Überblick über die Halbleiter -Chip -Epitaxie -Industriekette:

semiconductor chip epitaxy industry chain


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